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10BASE-T1S如何推動(dòng)工業(yè)與汽車革新?
工業(yè)4.0可以用圖1所示的自上而下的層級(jí)金字塔來說明,人工智能(AI)、機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)、計(jì)劃、執(zhí)行、自動(dòng)化、跟蹤、庫(kù)存控制、監(jiān)督控制和編組占據(jù)了工廠的前三層,底部的藍(lán)色層是工廠車間,其中邊緣節(jié)點(diǎn)如機(jī)器人、執(zhí)行器、運(yùn)動(dòng)部件、傳感器和閥門在生產(chǎn)線上執(zhí)行制造工作。
2024-09-04
10BASE-T1S 工業(yè) 汽車
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通信芯片防護(hù):如何選擇合適的TVS TSS器件
在現(xiàn)代工業(yè)自動(dòng)化、能效監(jiān)測(cè)、智能儀表等應(yīng)用領(lǐng)域中,通信接口如RS-485、RS-232、CAN等芯片被廣泛應(yīng)用于實(shí)現(xiàn)設(shè)備間的高效數(shù)據(jù)交換。然而,這些接口產(chǎn)品經(jīng)常工作在電磁兼容性(EMC)挑戰(zhàn)極為嚴(yán)峻的環(huán)境中。生產(chǎn)和應(yīng)用環(huán)境中的瞬態(tài)沖擊,不僅可能導(dǎo)致通信信號(hào)失真和數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤,還可能損壞通信接口...
2024-09-04
通信芯片 TVS TSS器件
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UWB芯片深入城市每一條“神經(jīng)末梢”!紐瑞芯“創(chuàng)芯版圖”再升級(jí),劍指數(shù)字中國(guó)時(shí)空基底
智能調(diào)度道路交通設(shè)施,絲滑應(yīng)對(duì)城市交通錯(cuò)峰問題;車輛出場(chǎng)、進(jìn)高速自動(dòng)預(yù)約,還能按時(shí)長(zhǎng)、距離自動(dòng)支付;自駕車提前預(yù)約充電車位,讓車位提前等你;公共交通精準(zhǔn)卡點(diǎn)乘坐成為常態(tài);必經(jīng)之店的咖啡提前排好訂單、午餐排號(hào)早上就已提前預(yù)約就緒、晚餐食材提前預(yù)購(gòu)……
2024-09-04
UWB 芯片 創(chuàng)芯版圖 數(shù)字
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如何“榨干”SiC器件潛能?這幾種封裝技術(shù)提供了參考范例
隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏ο到y(tǒng)的需求不斷增長(zhǎng),光儲(chǔ)充一體化市場(chǎng)為實(shí)現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢(shì)引領(lǐng)下,碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)生態(tài)正迅速發(fā)展,逐漸成為替代傳統(tǒng)硅基功率器件的有力市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)者。
2024-09-03
SiC器件 封裝技術(shù)
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干簧管的外形與符號(hào),如何檢測(cè)干簧管
干簧管是一種利用磁場(chǎng)直接磁化觸點(diǎn)而讓觸點(diǎn)開關(guān)產(chǎn)生接通或斷開動(dòng)作的器件。當(dāng)干簧管未加磁場(chǎng)時(shí),內(nèi)部?jī)蓚€(gè)簧片不帶磁性,處于斷開狀態(tài)。若將磁鐵靠近干簧管,內(nèi)部?jī)蓚€(gè)簧片被磁化而帶上磁性,一個(gè)簧片磁性為N,另一個(gè)簧片磁性為S,兩個(gè)簧片磁性相異產(chǎn)生吸引,從而使兩簧片的觸點(diǎn)接觸。
2024-09-03
干簧管
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深入了解數(shù)字音頻接口TDM在軟硬件配置中的問題
在 PCB 板內(nèi)的音頻設(shè)計(jì)時(shí),很多時(shí)候都是以模擬信號(hào)作為前后輸入輸出,但是板內(nèi)更多是以數(shù)字信號(hào)為主,例如我們可以看到各種 aux、同軸、蓮花口等信號(hào)輸入。只要音頻需要進(jìn)行處理,一般都是需要轉(zhuǎn)成數(shù)字信號(hào)來進(jìn)行的,比如當(dāng)我們?cè)谟?FPGA、DSP、單片機(jī)等系統(tǒng)時(shí)。大多數(shù)情況下,簡(jiǎn)單 2 通道的實(shí)現(xiàn)在...
2024-09-02
數(shù)字音頻 接口 TDM 軟硬件配置
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第104屆中國(guó)電子展主題區(qū)揭秘!搶占黃金C位,“硬控”全場(chǎng)目光
在今年的政府工作報(bào)告中提出,要大力推進(jìn)現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系建設(shè),加快發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力。具體而言,新質(zhì)生產(chǎn)力就是由技術(shù)革命性突破、生產(chǎn)要素創(chuàng)新性配置、產(chǎn)業(yè)深度轉(zhuǎn)型升級(jí)而催生的當(dāng)代先進(jìn)生產(chǎn)力,它以勞動(dòng)者、勞動(dòng)資料、勞動(dòng)對(duì)象及其優(yōu)化組合的質(zhì)變?yōu)榛緝?nèi)涵,以全要素生產(chǎn)率提升為核心標(biāo)志。
2024-08-30
中國(guó)電子展 硬控
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觀眾如潮!AI+IoT行業(yè)頂級(jí)盛會(huì),重磅開幕!
IOTE 2024第二十二屆國(guó)際物聯(lián)網(wǎng)展·深圳站 + AGIC 2024 國(guó)際通用人工智能展在深圳國(guó)際會(huì)展中心盛大開幕。
2024-08-30
AI+IoT 國(guó)際物聯(lián)網(wǎng)展
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什么是IGBT的退飽和(desaturation)? 什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)?
這要從IGBT的平面結(jié)構(gòu)說起。IGBT和MOSFET有類似的器件結(jié)構(gòu),MOS中的漏極D相當(dāng)于IGBT的集電極C,而MOS的源極S相當(dāng)于IGBT的發(fā)射極E,二者都會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象。下圖所示是一個(gè)簡(jiǎn)化平面型IGBT剖面圖,以此來闡述退飽和發(fā)生的原因。柵極施加一個(gè)大于閾值的正壓VGE,則柵極氧化層下方會(huì)出現(xiàn)強(qiáng)反型層,形成...
2024-08-30
IGBT 退飽和
- 電阻器分類、規(guī)格要素及全球頭部廠商對(duì)比分析
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