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如何正確使用二極管
二極管和晶體管都是如此，它們由二極管 P 和 N 材料制成。二極管類別包括兩個(gè)可能對控制工程師很重要的例子：硅二極管和 LED。
2024-09-12
二極管
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半導(dǎo)體后端工藝 第十一篇（完結(jié)篇）：半導(dǎo)體封裝的可靠性測試及標(biāo)準(zhǔn)
本系列文章詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體后端工藝，涵蓋了從不同類型的半導(dǎo)體封裝、封裝工藝及材料等各個(gè)方面。作為本系列的收篇之作，本文將介紹半導(dǎo)體的可靠性測試及標(biāo)準(zhǔn)。除了詳細(xì)介紹如何評估和制定相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)以外，還將介紹針對半導(dǎo)體封裝預(yù)期壽命、半導(dǎo)體封裝在不同外部環(huán)境中的可靠性，及機(jī)械可靠性等評估...
2024-09-12
半導(dǎo)體 后端工藝 封裝
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為什么存儲(chǔ)系統(tǒng)的性能對AI工作負(fù)載至關(guān)重要？
數(shù)據(jù)是各種現(xiàn)代企業(yè)的生命線，而數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、訪問與管理策略對企業(yè)的生產(chǎn)力、盈利能力以及競爭力會(huì)產(chǎn)生顯著影響。隨著人工智能（AI）的興起，各行各業(yè)都在經(jīng)歷變革，企業(yè)不得不重新思考如何利用數(shù)據(jù)來加速創(chuàng)新和增長。然而，AI訓(xùn)練和推理對數(shù)據(jù)管理和存儲(chǔ)提出了獨(dú)特的挑戰(zhàn)，因?yàn)樗鼈冃枰幚睚嫶蟮臄?shù)...
2024-09-11
存儲(chǔ)系統(tǒng) AI 工作負(fù)載
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邊界工況推動(dòng)下，汽車圖像傳感器的四大發(fā)展方向
隨著自動(dòng)駕駛等級進(jìn)階，搭載的攝像頭數(shù)量越來越多性能越來越高。為幫助自動(dòng)駕駛車輛描繪出一幅幅精準(zhǔn)細(xì)膩的“路況圖”，其幕后英雄圖像傳感器正在嶄露頭角，高分辨率、高動(dòng)態(tài)范圍等技術(shù)方向的推進(jìn)迫在眉睫。
2024-09-11
汽車 圖像傳感器
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開關(guān)模式電源問題分析及其糾正措施：檢測電阻器違規(guī)
本文是系列文章中的第二篇，該系列文章將討論常見的開關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)計(jì)問題及其糾正方案。本文旨在解決DC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器的反饋級設(shè)計(jì)中面臨的復(fù)雜難題，重點(diǎn)關(guān)注檢測電阻器(RSENSE)元件。RSENSE對于確保反饋網(wǎng)絡(luò)（負(fù)責(zé)維持輸出電壓）接收來自電感電流的準(zhǔn)確信號而言至關(guān)重要。失真的信號可能會(huì)...
2024-09-10
開關(guān)模式 電源 電阻器
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I2C信號為什么需要上拉電阻
I2C信號需要上拉電阻的原因與其工作原理密切相關(guān)。I2C是一種開放漏極（open-drain）或開集電極（open-collector）的通信協(xié)議，這意味著驅(qū)動(dòng)器（主設(shè)備或從設(shè)備）只能將線拉低到低電平（邏輯0），但不能主動(dòng)將線拉高到高電平（邏輯1）。
2024-09-10
I2C信號 上拉電阻
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貿(mào)澤電子對FIRST創(chuàng)始人兼發(fā)明家Dean Kamen進(jìn)行視頻專訪
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 很高興推出與工程師、發(fā)明家兼FIRST? (For Inspiration and Recognition of Science and Technology) 創(chuàng)始人Dean Kamen的視頻專訪。這家非營利機(jī)構(gòu)致力于通過機(jī)器人實(shí)踐項(xiàng)目，推動(dòng)青少年的科學(xué)、技術(shù)、工程與數(shù)學(xué) (STEM) 教育。自2014年以來，貿(mào)澤一直是FIRST的主要...
2024-09-09
貿(mào)澤電子 FIRST 視頻專訪
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2024CIOE中國光博會(huì) | 傲科光電邀您相約12A59展位！
匯聚全球光電科技，盡在中國深圳光電博覽會(huì)(CIOE)。本屆CIOE將于2024年9月11-13日在深圳國際會(huì)展中心(寶安新館)隆重舉辦。在這個(gè)全球光電科技匯聚的盛會(huì)上，傲科光電將展示業(yè)界領(lǐng)先的400G/800G/1.6T 應(yīng)用的全系列Driver、TIA及硅光解決方案。
2024-09-09
光博會(huì)
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超高功率密度SiC模塊，助力電動(dòng)車主逆變器小型化
碳化硅（SiC）作為一種第三代半導(dǎo)體材料，具有耐高壓、耐高頻的特性，相比傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體，碳化硅MOSFET在功率轉(zhuǎn)換效率、損耗降低方面表現(xiàn)出色，這使得它在新能源汽車、電力電子設(shè)備等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。隨著新能源汽車市場的快速增長，碳化硅MOSFET的需求也在不斷增加，尤其是在需要高效率...
2024-09-05
SiC模塊 電動(dòng)車
- 電阻器分類、規(guī)格要素及全球頭部廠商對比分析
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