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面對電動汽車和數(shù)據(jù)中心兩大主力應用市場，SiC和GaN該如何發(fā)力？
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是寬禁帶（WBG）半導體材料，由于其獨特性，使其在提高電子設備的效率和性能方面起著至關重要的作用，特別是在DC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/AC逆變器領域。
2024-12-04
電動汽車 數(shù)據(jù)中心 SiC GaN
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終于搞明白差模噪聲與共模噪聲
開關穩(wěn)壓器的EMI分為電磁輻射和傳導輻射(CE)。本文重點討論傳導輻射，其可進一步分為兩類：共模(CM)噪聲和差模(DM)噪聲。為什么要區(qū)分CM-DM？對CM噪聲有效的EMI抑制技術不一定對DM噪聲有效，反之亦然，因此，確定傳導輻射的來源可以節(jié)省花在抑制噪聲上的時間和成本。
2024-12-04
差模噪聲與 共模噪聲
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Spectrum儀器數(shù)字化儀應用：通過量子傳感器控制假肢
通常，我們需要通過識別人體發(fā)出的信號來控制假肢。目前，通過植入電極的方式控制假肢是最為普遍的技術。
2024-12-04
Spectrum
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面向嵌入式應用的生成式AI
近來，與AI相關的周期性熱點幾乎都圍繞著大語言模型（LLM）和生成式AI模型，這樣的趨勢反映出這些話題近年來日益增強的影響力和普及程度。與大語言模型和生成式AI模型相關的應用涵蓋了廣泛的領域，從開放式聊天機器人到任務型助手。雖然LLM主要聚焦基于云和服務器端的應用，但人們對在嵌入式系統(tǒng)和...
2024-12-03
嵌入式應用 AI
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汽車 GPU 算力新高度支持智駕芯片實現(xiàn)架構創(chuàng)新
隨著汽車行業(yè)在“新四化”領域內(nèi)迅猛地進步，汽車電子電氣架構正在發(fā)生顯著的變化。智能化的深入促使汽車計算架構逐步由傳統(tǒng)的以分域來進行風險控制的分布式架構，轉(zhuǎn)向以強調(diào)高性能計算同時減少冗余硬件和系統(tǒng)復雜性，從而提高系統(tǒng)效率和可靠性的中央計算架構。與此同時，一些新興的功能在新車中的滲...
2024-12-03
汽車 GPU 算力 智駕芯片
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貿(mào)澤電子與Analog Devices和Bourns聯(lián)手發(fā)布全新電子書
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢，以及發(fā)揮這些優(yōu)勢所面臨的挑戰(zhàn)。
2024-12-03
貿(mào)澤電子 Analog Devices Bourns 電子書
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英飛凌AURIX TC3x新增支持FreeRTOS
全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的AURIX? TC3x微控制器（MCU）系列新增了對FreeRTOS的支持。
2024-12-03
英飛凌
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借助支持邊緣 AI 的 MCU 優(yōu)化實時控制系統(tǒng)中的系統(tǒng)故障檢測
本文中將討論集成式微控制器 (MCU) 如何增強高壓實時控制系統(tǒng)中的故障檢測功能。此類 MCU 使用集成神經(jīng)網(wǎng)絡處理單元 (NPU) 運行卷積神經(jīng)網(wǎng)絡 (CNN) 模型，幫助在監(jiān)測系統(tǒng)故障時降低延遲和功耗。通過將邊緣 AI 功能集成到用于管理實時控制的同一 MCU 中，可以幫助您優(yōu)化系統(tǒng)設計，同時增強整體性能。
2024-12-02
邊緣 AI MCU 實時控制系統(tǒng)
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第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層
SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現(xiàn)產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應用于SiC器件時必須考慮到這一點。
2024-12-02
SiC 柵極絕緣層
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