【本資料來自第八屆新型節(jié)能設(shè)計技術(shù)研討會】
演講嘉賓：羅姆新材料元件研發(fā)中心經(jīng)理 中村孝
內(nèi)容介紹：SiC功率器件作為次世代節(jié)能型功率器件非常令人期待。羅姆在已經(jīng)實現(xiàn)SBD、DMOS實際應(yīng)用的同時，也正在推進(jìn)新一代Trench MOS的開發(fā)。而且，成功地進(jìn)行了高速、高溫工作的SiC功率模塊的試制。同時，羅姆計劃將在世界范圍內(nèi)率先推出采用了SiC-MOSFET和SiC二極管的FULL SiC POWER MODULE（全SiC功率模塊）產(chǎn)品。羅姆將挑戰(zhàn)SiC功率器件市場的變革。我們源源不斷穩(wěn)定地向市場提供大量高品質(zhì)且高性能的SiC元件，積極致力于打造高能效社會。