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戰(zhàn)略布局再進一步：意法半導體2025股東大會關(guān)鍵決議全票通過
意法半導體（STMicroelectronics，NYSE：STM）2025年股東大會于荷蘭阿姆斯特丹圓滿落幕，大會全票通過所有決議案。作為全球多重電子應用領(lǐng)域領(lǐng)導者，此次決議將為公司戰(zhàn)略布局注入新動能。
2025-06-20
意法半導體 股東大會
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μV級精度保衛(wèi)戰(zhàn)：信號鏈電源噪聲抑制架構(gòu)全解，拒絕LSB丟失！
在精密測量、醫(yī)療儀器及工業(yè)傳感系統(tǒng)中，信號鏈的μV級精度直接決定系統(tǒng)性能上限。而電源噪聲，常以隱形殺手的姿態(tài)吞噬ADC/DAC的有效位數(shù)——當1mV電源紋波可導致12位ADC丟失4個LSB時，電源架構(gòu)選型便成為精度保衛(wèi)戰(zhàn)的核心戰(zhàn)場。本文從噪聲頻譜與拓撲本質(zhì)出發(fā)，拆解LDO、開關(guān)電源及混合架構(gòu)的噪聲基因...
2025-06-19
電源噪聲 ADC精度 PSRR優(yōu)化 信號鏈噪聲抑制 LDO選型 開關(guān)電源濾波
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破解工業(yè)電池充電器難題：升壓or圖騰柱？SiC PFC拓撲選擇策略
工業(yè)設備電動化浪潮下，電池充電器面臨嚴苛挑戰(zhàn)：需兼容120-480V寬壓輸入，在震動/粉塵/溫變等惡劣條件下實現(xiàn)高效供電，同時滿足尺寸重量極限壓縮與無風扇散熱需求。本文聚焦PFC級核心設計，對比升壓與圖騰柱拓撲的實戰(zhàn)優(yōu)劣，解析SiC MOSFET如何重構(gòu)工業(yè)充電器性能邊界。
2025-06-19
工業(yè)電池充電器 PFC拓撲對比 升壓PFC 圖騰柱PFC SiC MOSFET應用
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從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴展實戰(zhàn)指南
在10kW-50kW中高功率應用領(lǐng)域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活并聯(lián)擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。
2025-06-19
SiC MOSFET并聯(lián) 高功率設計 分立器件優(yōu)勢 功率擴展 熱管理設計 并聯(lián)可靠性
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如何選擇正確的工業(yè)自動化應用的儀表放大器？
在自動化程度日益提升的工廠環(huán)境中，儀表放大器作為微弱信號采集的“感知末梢”，其性能穩(wěn)定性直接關(guān)乎設備運行狀態(tài)與生產(chǎn)效率。如何正確選擇一款堅固耐用、高精可靠的工業(yè)級儀表放大器？本文將揭秘工業(yè)級儀表放大器的五維選型矩陣與三大致命場景破解方案，助您筑起工業(yè)信號鏈的銅墻鐵壁。
2025-06-19
工業(yè)自動化應用 儀表放大器選型 工業(yè)傳感器接口 抗干擾信號調(diào)理
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0.01%精度風暴！儀表放大器如何煉成工業(yè)自動化的“神經(jīng)末梢”
在500kW伺服電機的轟鳴聲中，±0.01%的轉(zhuǎn)矩控制精度要求電流檢測誤差小于2μV——這正是儀表放大器的戰(zhàn)場。面對工業(yè)現(xiàn)場＞100V的共模干擾和10g的機械振動，這類具備≥140dB共模抑制比（CMRR） 的器件，正以nV/√Hz級噪聲性能，將應變片、熱電偶等傳感器的微弱信號轉(zhuǎn)化為可靠控制指令，成為智能工廠不可或...
2025-06-18
儀表放大器 電機控制信號調(diào)理 工業(yè)傳感器接口 伺服電機電流檢測 工業(yè)自動化信號鏈
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0.1微伏決定生死！儀表放大器如何成為醫(yī)療設備的“聽診器”
當心電圖機的電極貼上患者胸膛，0.2-5mV的微弱心電信號穿過人體組織時，衰減達90% ——此時儀表放大器（IA）正以≥140dB的共模抑制比（CMRR） 對抗50Hz工頻干擾，用nV級輸入噪聲捕獲決定生死的生物電特征。從心電圖（ECG）、腦電圖（EEG）到植入式血糖監(jiān)測，這種誕生于1969年的精密器件已成為現(xiàn)代醫(yī)療...
2025-06-18
儀表放大器醫(yī)療應用 ECG信號放大電路 生物電信號檢測 醫(yī)療傳感器接口 腦電信號采集方案
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