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一文讀懂SiC Combo JFET技術
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態(tài)斷路器和大電流開關系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。
2025-06-26
安森美 SiC JFET并聯技術 固態(tài)斷路器解決方案 大電流SiC JFET Combo JFET結構
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控制回路仿真入門：LTspice波特圖分析詳解
在電源設計中，控制回路的穩(wěn)定性是確保電源可靠運行的關鍵。一個設計不當的控制回路可能導致電源振蕩、輸出紋波過大，甚至降低電磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的響應速度直接影響到電源對負載變化和輸入電壓波動的適應能力。為了確保電源的穩(wěn)定性和高效性，控制回路的仿真分析至關重要。
2025-06-25
LTspice 波特圖分析 控制回路仿真 開關穩(wěn)壓器 電源穩(wěn)定性優(yōu)化 相位裕度 增益帶寬
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EA電池模擬器：重構電池研發(fā)全流程的技術引擎
在新能源產業(yè)爆發(fā)式增長的背景下，電池技術已成為制約電動汽車續(xù)航里程、消費電子產品體驗、可再生能源儲能效率的關鍵瓶頸。傳統(tǒng)電池研發(fā)模式依賴大量物理原型迭代，不僅面臨周期長、成本高的挑戰(zhàn)，更難以覆蓋極端工況下的性能驗證。EA電池模擬器的出現，通過構建電池的數字孿生模型，為工程師提供...
2025-06-25
EA電池模擬器 電池仿真技術 雙向直流電源 電池內阻測試 電池模擬軟件
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安森美SiC技術賦能AI數據中心，助力高能效電源方案
緊跟人工智能的算力步伐，全球數據中心正面臨前所未有的能耗挑戰(zhàn)。面對大模型訓練、實時推理等場景帶來的指數級能耗增長，全球領先的智能電源與感知技術供應商安森美（onsemi）正式推出《AI數據中心系統(tǒng)方案指南》，首次系統(tǒng)性展示其基于尖端碳化硅（SiC）技術的全鏈路電源解決方案，為下一代超算中...
2025-06-25
安森美 碳化硅 數據中心電源 AI服務器供電方案 SiC技術 數據中心能效提升 系統(tǒng)方案指南
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芯耀蓉城！西部電博會半導體專區(qū)全產業(yè)鏈集結
2025年7月9日至11日，第十三屆中國（西部）電子信息博覽會將于成都世紀城新國際會展中心8、9號館盛大啟幕！本屆展會匯聚500余家行業(yè)領軍企業(yè)、30余個專業(yè)買家團，預計吸引2萬名觀眾共襄盛舉。展會同期舉辦多場高端論壇、技術賽事及供需對接活動，其中半導體專區(qū)將集中展示產業(yè)鏈前沿成果，成為行業(yè)...
2025-06-25
2025西部電博會 半導體專區(qū) 成都電子信息博覽會 西部半導體展會 功率半導體展會
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破局電動車續(xù)航！羅姆第4代SiC MOSFET驅動助力豐田bZ5性能躍遷
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。
2025-06-24
羅姆 豐田bZ5 電驅技術 第四代SiC MOSFET 車規(guī)級碳化硅模塊 電動車牽引逆變器
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馴服電源幽靈：為敏感器件打造超低噪聲供電方案
在射頻通信、精密測量、高分辨率數據采集等尖端領域，毫伏級的電源噪聲都可能成為性能的致命殺手。鎖相環(huán)（PLL）的相位噪聲惡化、壓控振蕩器（VCO）的輸出頻率漂移、高分辨率模數轉換器（ADC）的有效位數（ENOB）下降——這些敏感電路的卓越性能，無一不建立在超低噪聲、超高純凈度的電源基礎之上。本...
2025-06-24
超低噪聲電源設計 射頻電源解決方案 μV級電源噪聲 低噪聲LDO 低噪聲電源模塊
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