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從富士通到RAMXEED，以全新一代FeRAM迎接邊緣智能高可靠性無延遲數(shù)據(jù)存儲需求
在人工智能大型模型和邊緣智能領(lǐng)域的算力需求激增的推動下，市場對于高性能存儲解決方案的需求也在不斷增加。據(jù)此預測，2024年全球存儲器市場的銷售額有望增長61.3%，達到1500億美元。為了降低云和邊緣的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存儲器正迎來市場快速增長的發(fā)展大時代，如鐵電存儲器FeRAM和ReRAM，以及磁性存儲器MRAM、阻變式存儲器ReRAM等。
2024-11-08
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什么是鐵電存儲器？
隨著我們進入超智能和超互聯(lián)的第四次工業(yè)革命時代，高密度和高性能存儲器的重要性比以往任何時候都更大。目前應(yīng)用最廣泛的NAND閃存由于依賴電荷陷阱效應(yīng)存儲信息，存在功耗高、運行速度慢、易重復使用等問題。為此，POSTECH的一個研究小組最近展示了一種鐵電存儲器，它在運行速度、功耗和設(shè)備可靠性方面都超過了傳統(tǒng)閃存的性能。
2021-01-21
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如何利用鐵電存儲器提高汽車應(yīng)用的可靠性？
非易失性存儲器 (NVM) 在幾乎所有嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中都起著關(guān)鍵作用，但許多設(shè)計對非易失性存儲器在數(shù)據(jù)寫入和訪問速度、數(shù)據(jù)保留、低功耗等方面的要求越來越嚴格。
2019-10-21
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鐵電存儲器
存儲器，我們在日常生活、工作中都經(jīng)常用到，但不知道大家對“鐵電存儲器”是否知道呢？本文收集整理了一些資料，希望本文能對各位讀者有比較大的參考價值。
2013-05-29
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F-RAM會帶來RFID標簽的革命嗎？
目前市場上的存儲器種類非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲器等。世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron的MaxArias?系列無線存儲器將非易失性F-RAM存儲器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業(yè)標準無線存取功能相結(jié)合，使創(chuàng)新型的數(shù)據(jù)采集能力應(yīng)用更廣泛的領(lǐng)域。
2011-03-01
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