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Würth Elektronik攜手貿(mào)澤電子推出全新電子書(shū)，助你簡(jiǎn)化電磁兼容性設(shè)計(jì)
專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子宣布與Würth Elektronik合作推出全新電子書(shū)，探索新的電子設(shè)計(jì)如何將高速數(shù)據(jù)傳輸、連接性、無(wú)線電源、電池管理和近場(chǎng)通信整合到單個(gè)設(shè)備中。
2022-02-23
Würth Elektronik 貿(mào)澤電子 電磁兼容
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為 POE-bt 應(yīng)用設(shè)計(jì)有源鉗位正激變換器（上）
與傳統(tǒng)交流電源相比，以太網(wǎng)供電（PoE）電源可以通過(guò)現(xiàn)有以太網(wǎng)電纜同時(shí)供電并傳輸數(shù)據(jù)。通過(guò)將電源線與數(shù)據(jù)線集成在一起，PoE 應(yīng)用能夠?qū)崿F(xiàn)高性價(jià)比以及靈活的安裝。隨著應(yīng)用對(duì)電力需求的不斷增長(zhǎng)，PoE 解決方案在眾多行業(yè)中迅速普及。
2022-02-22
POE-bt 有源鉗位 正激變換器
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如何使用AFG31000測(cè)試電源的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)
負(fù)載瞬變測(cè)試是檢查功率轉(zhuǎn)換器表現(xiàn)的一種快速方法，它可以反映出轉(zhuǎn)換器的調(diào)整速度，能將轉(zhuǎn)換器的穩(wěn)定性問(wèn)題凸顯出來(lái)。轉(zhuǎn)換器的負(fù)載調(diào)整特性、占空比極限、PCB布局問(wèn)題和輸入電壓的穩(wěn)定性也可經(jīng)此測(cè)試快速顯現(xiàn)出來(lái)。
2022-02-22
AFG31000 電源 負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)
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構(gòu)建快速、靈活的電動(dòng)汽車充電網(wǎng)絡(luò)
在我們未來(lái)的電動(dòng)汽車行業(yè)中，半導(dǎo)體技術(shù)將為電網(wǎng)運(yùn)營(yíng)商提供更大的靈活性，從而更好地管理能源基礎(chǔ)設(shè)施。隨著世界各國(guó)政府致力于實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)，汽車行業(yè)計(jì)劃到 2025 年投資逾 3300 億美元來(lái)推進(jìn)汽車電氣化，向電動(dòng)汽車發(fā)展的趨勢(shì)已定。
2022-02-21
電動(dòng)汽車 充電網(wǎng)絡(luò)
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如何解決電動(dòng)汽車48V電源總線電池故障？
電動(dòng)汽車（e-mobility）的增長(zhǎng)越來(lái)越快，這要?dú)w功于汽車，公共汽車，貨運(yùn)卡車和帶有電動(dòng)汽車的踏板車的雪崩。這也導(dǎo)致了采用創(chuàng)新解決方案的電動(dòng)汽車電池和動(dòng)力總成制造技術(shù)的飛速發(fā)展。這些都提高了效率并降低了運(yùn)營(yíng)成本。逐步過(guò)渡到車輛的48V電源總線和引入高壓電池需要采用適當(dāng)?shù)臒峁芾砑夹g(shù)。
2022-02-21
電動(dòng)汽車 48V電源 總線電池故障
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MPS智能駕駛解決方案
現(xiàn)代汽車工業(yè)的四大趨勢(shì)分別為電氣化、智能化、網(wǎng)絡(luò)化和共享化。其中的智能化趨勢(shì)將需要先進(jìn)的車載傳感器、控制器和執(zhí)行器。
2022-02-21
MPS 智能駕駛 解決方案
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SiC MOSFET模塊的硬并聯(lián)
以對(duì)稱的布板設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)4個(gè)6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)，給出了實(shí)際的測(cè)量結(jié)果。最后還通過(guò)門(mén)特卡羅分析來(lái)演繹批量器件應(yīng)用在并聯(lián)場(chǎng)合下的溫度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET并聯(lián)使用的可行性。
2022-02-17
SiC MOSFET 模塊 硬并聯(lián)
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ADALM2000實(shí)驗(yàn)：CMOS模擬開(kāi)關(guān)
理想的模擬開(kāi)關(guān)不存在導(dǎo)通電阻，具有無(wú)窮大的關(guān)斷阻抗和零延時(shí)，可以處理大信號(hào)和共模電壓。實(shí)際使用MOS晶體管構(gòu)建的模擬開(kāi)關(guān)并不符合這些要求，但是如果我們了解模擬開(kāi)關(guān)的局限性，多數(shù)也是可以克服的。導(dǎo)通電阻是其中一項(xiàng)局限因素，本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)將嘗試表征此開(kāi)關(guān)規(guī)格。
2022-02-17
ADALM2000 CMOS 模擬開(kāi)關(guān)
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集成驅(qū)動(dòng)器！原來(lái)，GaN電源系統(tǒng)性能升級(jí)的奧秘在這里~
如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風(fēng)頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)……因此可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的電壓驅(qū)動(dòng)能力、更快的開(kāi)關(guān)頻率、更高的效率、更佳的熱性能、更小的尺寸，在高溫、高頻、...
2022-02-17
集成驅(qū)動(dòng)器 GaN電源 系統(tǒng)性能
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