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如何“榨干”SiC器件潛能？這幾種封裝技術(shù)提供了參考范例
隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏ο到y(tǒng)的需求不斷增長(zhǎng)，光儲(chǔ)充一體化市場(chǎng)為實(shí)現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢(shì)引領(lǐng)下，碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)生態(tài)正迅速發(fā)展，逐漸成為替代傳統(tǒng)硅基功率器件的有力市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)者。
2024-09-03
SiC器件 封裝技術(shù)
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音頻變壓器的詳細(xì)的知識(shí)
除了升高或降低信號(hào)電壓外，變壓器還具有另一個(gè)非常有用的特性，即隔離。由于變壓器的初級(jí)和次級(jí)繞組之間沒(méi)有直接的電氣連接，因此變壓器的輸入和輸出電路之間提供了完全的電氣隔離。連接在放大器和揚(yáng)聲器之間的音頻變壓器也可以利用這種隔離特性。
2024-09-03
音頻變壓器
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單級(jí)小信號(hào) RF 放大器設(shè)計(jì)
幾乎所有的電子電路都依賴于放大器，放大器電路會(huì)放大它們接收到的輸入信號(hào)?；镜姆糯笃麟娐酚呻p極結(jié)型晶體管組成，晶體管偏置使器件在有源區(qū)運(yùn)行。晶體管的有源區(qū)用于放大目的。當(dāng)晶體管偏置為有源區(qū)時(shí)，施加在輸入端子上的輸入信號(hào)會(huì)使輸出電流出現(xiàn)波動(dòng)。波動(dòng)的輸出電流流過(guò)輸出電阻，產(chǎn)生經(jīng)過(guò)...
2024-09-02
單級(jí)小信號(hào) RF 放大器
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深入了解數(shù)字音頻接口TDM在軟硬件配置中的問(wèn)題
在 PCB 板內(nèi)的音頻設(shè)計(jì)時(shí)，很多時(shí)候都是以模擬信號(hào)作為前后輸入輸出，但是板內(nèi)更多是以數(shù)字信號(hào)為主，例如我們可以看到各種 aux、同軸、蓮花口等信號(hào)輸入。只要音頻需要進(jìn)行處理，一般都是需要轉(zhuǎn)成數(shù)字信號(hào)來(lái)進(jìn)行的，比如當(dāng)我們?cè)谟?FPGA、DSP、單片機(jī)等系統(tǒng)時(shí)。大多數(shù)情況下，簡(jiǎn)單 2 通道的實(shí)現(xiàn)在...
2024-09-02
數(shù)字音頻 接口 TDM 軟硬件配置
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適用于電化學(xué)傳感器的運(yùn)算放大器
電化學(xué)氣體檢測(cè)元件需要恒定的偏置才能正常準(zhǔn)確地運(yùn)行，這可能會(huì)消耗大量功率。當(dāng)器件處于空閑或休眠模式時(shí)，正常的 電源管理系統(tǒng)往往會(huì)試圖讓這些器件都保持關(guān)斷狀態(tài)。然而， 電化學(xué)傳感器需要數(shù)十分鐘甚至幾個(gè)小時(shí)才能穩(wěn)定下來(lái)。因 此，檢測(cè)元件及其偏置電路必須處于“始終接通”狀態(tài)。此 外，對(duì)于...
2024-08-30
電化學(xué)傳感器 運(yùn)算放大器
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雙色LED點(diǎn)陣顯示器行、列引腳的識(shí)別與檢測(cè)
雙色點(diǎn)陣顯示器有共陽(yáng)型和共陰型兩種類型。圖13—20所示是8×8雙色點(diǎn)陣顯示器的電路結(jié)構(gòu)，圖13—20（a）為共陽(yáng)型點(diǎn)陣顯示器，有8行16列，每行的16個(gè)LED（兩個(gè)LED組成一個(gè)發(fā)光點(diǎn)）的正極接在一根行公共線上，有8根行公共線，每列的8個(gè)LED的負(fù)極接在一根列公共線上，共有16根列公共線，共陽(yáng)型點(diǎn)陣顯示器...
2024-08-30
雙色LED 點(diǎn)陣顯示器
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什么是IGBT的退飽和（desaturation）？ 什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)？
這要從IGBT的平面結(jié)構(gòu)說(shuō)起。IGBT和MOSFET有類似的器件結(jié)構(gòu)，MOS中的漏極D相當(dāng)于IGBT的集電極C，而MOS的源極S相當(dāng)于IGBT的發(fā)射極E，二者都會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象。下圖所示是一個(gè)簡(jiǎn)化平面型IGBT剖面圖，以此來(lái)闡述退飽和發(fā)生的原因。柵極施加一個(gè)大于閾值的正壓VGE，則柵極氧化層下方會(huì)出現(xiàn)強(qiáng)反型層，形成...
2024-08-30
IGBT 退飽和
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當(dāng)輸入和輸出電壓接近時(shí)，為什么難以獲得穩(wěn)定的輸出電壓？
本文旨在解決DC-DC開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的功率級(jí)設(shè)計(jì)中面臨的復(fù)雜難題，重點(diǎn)關(guān)注功率晶體管和自舉電容。降壓轉(zhuǎn)換器用于演示忽視功率晶體管時(shí)序規(guī)范的影響，以及移除自舉電容時(shí)會(huì)發(fā)生什么情況。功率晶體管具有最小導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間要求，以確保FET柵極電容正確充電和放電，從而保證晶體管完全導(dǎo)通和關(guān)斷。如果忽...
2024-08-28
輸入電壓 輸出電壓 DC-DC 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器
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在隔離RS－485節(jié)點(diǎn)中劃分隔離電源的選項(xiàng)和解決方案
要在RS-485節(jié)點(diǎn)中實(shí)現(xiàn)出色的隔離信號(hào)和電源配置，就必須要有效應(yīng)對(duì)小尺寸、低功耗、數(shù)據(jù)速率、EMI和物料成本等系統(tǒng)要求帶來(lái)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。光耦合器等傳統(tǒng)的分立式解決方案存在失效壽命方面的問(wèn)題，而且光耦合器技術(shù)本身的物理特性決定了每通道隔離的功耗較高，業(yè)界就這些問(wèn)題已有詳細(xì)論述。
2024-08-26
RS－485節(jié)點(diǎn) 隔離電源
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