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ADI 多協(xié)議工業(yè)以太網(wǎng)交換機(jī)
隨著工業(yè)4.0進(jìn)程的推進(jìn)，市面上急需能夠融合多種協(xié)議的工業(yè)以太網(wǎng)方案，以實(shí)現(xiàn)工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)無(wú)縫互聯(lián)的愿景。ADI近幾年不斷完善推出的Chronous系列產(chǎn)品，不僅加速了客戶(hù)工業(yè)以太網(wǎng)通信類(lèi)產(chǎn)品的上市，前瞻性的技術(shù)特性，也讓客戶(hù)的產(chǎn)品更具技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力和生命周期長(zhǎng)久性。本文將重點(diǎn)介紹ADI的多協(xié)議工業(yè)...
2025-01-29
ADI 工業(yè)以太網(wǎng) 交換機(jī)
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攻略：7種傾斜傳感器的設(shè)計(jì)選擇
本文介紹了傾斜傳感器的種類(lèi)與選擇技巧，介紹了它們的工作原理、特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域。此外，文章還討論了傾斜傳感器在應(yīng)用時(shí)可能面臨的問(wèn)題，并提供了相應(yīng)的解決方案。最后，文章總結(jié)了各種傾斜傳感器的應(yīng)用特性，強(qiáng)調(diào)了在選擇傾斜傳感器時(shí)需要綜合考慮各種因素，以確保系統(tǒng)的性能和可靠性。
2025-01-29
傾斜傳感器
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有源蜂鳴器與無(wú)源蜂鳴器的發(fā)聲原理是什么
有源蜂鳴器是一種內(nèi)置振蕩電路的蜂鳴器。其主要特點(diǎn)是，內(nèi)部已經(jīng)集成了驅(qū)動(dòng)電路，能夠自動(dòng)產(chǎn)生聲響。使用時(shí)，只需給它提供適當(dāng)?shù)碾妷海ㄒ话銥橹绷麟妷海蜁?huì)自動(dòng)發(fā)聲。
2025-01-26
有源蜂鳴器 無(wú)源蜂鳴器
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使用MSO 5/6內(nèi)置AWG進(jìn)行功率半導(dǎo)體器件的雙脈沖測(cè)試
SiC器件的快速開(kāi)關(guān)特性包括高頻率，要求測(cè)量信號(hào)的精度至少達(dá)到100MHz或更高帶寬 (BW)，這需要使用額定500MHz或更高頻率的示波器和探頭。在本文中，寬禁帶功率器件供應(yīng)商Qorvo與Tektronix合作，基于實(shí)際的SiC被測(cè)器件 (DUT)，描述了實(shí)用的解決方案。
2025-01-26
MSO AWG 功率半導(dǎo)體器件 雙脈沖測(cè)試
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MOS管在開(kāi)關(guān)電源中的核心作用及其關(guān)鍵性能參數(shù)對(duì)設(shè)計(jì)的影響
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET)是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的元器件之一，在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中扮演著至關(guān)重要的角色。開(kāi)關(guān)電源作為現(xiàn)代電力轉(zhuǎn)換和管理的核心組件，其性能與效率在很大程度上依賴(lài)于MOS管的選擇與應(yīng)用。本文將深入探討MOS管...
2025-01-25
MOS管 開(kāi)關(guān)電源
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第14講：工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時(shí)器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
工業(yè)用 SiC 功率模塊
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意法半導(dǎo)體榮膺 2025 年全球杰出雇主認(rèn)證
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM) 首次被Top Employers Institute評(píng)選為2025年全球杰出雇主。
2025-01-24
意法半導(dǎo)體
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IGBT并聯(lián)設(shè)計(jì)指南，拿下！
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來(lái)處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會(huì)影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電流分配。
2025-01-24
IGBT 并聯(lián)設(shè)計(jì)
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j－top)獲取結(jié)溫信息
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-24
功率器件 熱設(shè)計(jì) 熱系數(shù) 結(jié)溫
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