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混合信號示波器的原理和應用
混合信號示波器由模擬部分和數(shù)字部分組成。模擬部分包括一個或多個模擬通道,用于測量和顯示模擬信號的波形。數(shù)字部分包括一個或多個數(shù)字通道,用于測量和顯示數(shù)字信號的時序波形。
2024-12-31
混合信號 示波器
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功率器件熱設計基礎(chǔ)(十)——功率半導體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)
在功率器件的熱設計基礎(chǔ)系列文章《功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法》和《功率半導體芯片溫度和測試方法》分別講了功率半導體結(jié)溫、芯片溫度、殼溫和散熱器溫度的測試方法,用的測溫儀器是熱電偶、紅外成像儀和模塊中的NTC和芯片上的二極管。
2024-12-31
功率器件 熱設計 功率半導體器件 結(jié)構(gòu)函數(shù)
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JFET 共源共柵提高了電流源性能
許多過程控制傳感器,例如熱敏電阻和應變計電橋,都需要的偏置電流。通過添加單個電流設置電阻器 R 1,您可以配置電壓參考電路 IC 1 以產(chǎn)生恒定且的電流源(圖 1 )。然而,信號源的誤差取決于 R 1 和 IC 1的精度 ,并影響測量精度和分辨率。盡管您可以指定精度超過常用電壓基準 IC 精度的高精度電...
2024-12-31
JFET 共源共柵 電流源
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探索工業(yè)應用中邊緣連接的未來
我們的世界正變得更加智能且緊密相連,樓宇和工廠正以前所未有的方式實現(xiàn)自動化。為了確保這些新系統(tǒng)有效運行,可靠的信息通信至關(guān)重要——這不僅體現(xiàn)在工業(yè)控制面板內(nèi)部,也包括遍布整個場所的各種設備之間的通信。
2024-12-31
工業(yè)應用 邊緣連接
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機電繼電器的特性及其在信號切換中的選型和應用
本文介紹了機電繼電器(EMR)在信號切換中的應用,強調(diào)了其出色的導通和關(guān)斷性能、輸入/輸出隔離功能以及多極配置帶來的靈活性和多功能性。文章以 Omron Electronic Components 的產(chǎn)品為例,介紹了如何選擇和應用 EMR,包括繼電器類型、區(qū)別、配置、射頻性能、功耗以及可靠性等方面的考慮。
2024-12-31
機電繼電器 信號切換
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低功率開關(guān)電容器帶隙,第 2 部分
在本期文章中,對傳統(tǒng)的帶隙電路進行了誤差分析,然后解釋了如何使用開關(guān)電容電路將這些誤差降至。圖 1 顯示了傳統(tǒng)的帶隙參考實現(xiàn)方案及其相關(guān)的誤差源。
2024-12-31
開關(guān)電容器
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解構(gòu)數(shù)字化轉(zhuǎn)型:從策略到執(zhí)行的全面思考
今年,我們看到先進電子技術(shù)和軟件在產(chǎn)品功能中的占比仍在持續(xù)增加,產(chǎn)品、制造工藝和供應鏈的復雜程度更勝從前,市場高漲的需求要求更短的產(chǎn)品開發(fā)周期,同時,各種新規(guī)也不斷涌現(xiàn):今年 5 月,中國財政部發(fā)布了《企業(yè)可持續(xù)披露準則——基本準則(征求意見稿)》,要求企業(yè)踐行可持續(xù)發(fā)展理念;11 ...
2024-12-29
數(shù)字化轉(zhuǎn)型 工業(yè)軟件
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為什么超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心要選用SiC MOSFET?
如今,數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導體,以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少,從而降低散熱成本。
2024-12-28
數(shù)據(jù)中心 SiC MOSFET
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如何通過基本描述找到需要的電容?
本文介紹了電容的基本描述,包含了其類型、尺寸、容值、容差和額定電壓。了解這些參數(shù)可以幫助你準確地選擇和訂購所需的電容元件。
2024-12-28
電容
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