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測試測量

聯(lián)網(wǎng)消費(fèi)電子產(chǎn)品市場將劇增

In-Stat預(yù)計，2010年，在所有售出的數(shù)字電視中，大約40%將具備聯(lián)網(wǎng)功能。到2013年，全球使用中的這類聯(lián)網(wǎng)消費(fèi)電子設(shè)備將達(dá)5億臺。在2008年至2013年間，此類產(chǎn)品的銷售額年均復(fù)合增長率接近64%。

2010-03-10

聯(lián)網(wǎng) 消費(fèi)電子市場劇增

恩智浦半導(dǎo)體推出新一代高效率低VCEsat晶體管

這些晶體管稱為突破性小信號(BISS)晶體管，正如其名，它們?yōu)闇p少打開導(dǎo)通電阻確立了新的基準(zhǔn)，使開關(guān)時間減到絕對最小值。超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時實現(xiàn)了50 mV的超低飽和電壓。4種新的高速開關(guān)晶體管使開關(guān)和存儲時間降低到125 ns。新型BISS-4產(chǎn)品表明，雙極晶體管技術(shù)為要求更高性能和降低...

2010-03-10

恩智浦新一代高效率低VCEsat 晶體管

IR推出行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級器件

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用設(shè)計的，包括服務(wù)器、路由器、交換機(jī)，以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。

2010-03-10

IR 商用集成氮化鎵功率級器件

恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶體管

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產(chǎn)品。該產(chǎn)品家族分成兩種優(yōu)化的分支：超低VCEsat晶體管以及高速開關(guān)晶體管。其電壓范圍為20 V - 60 V，采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。

2010-03-10

恩智浦 VCEsat 晶體管

iP2010/2011：IR率先推出行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級器件

2010-03-10

iP2010 iP2011 氮化鎵

任天堂超過三星成為消費(fèi)產(chǎn)品和手機(jī)MEMS的最大買家

據(jù)iSuppli公司，日本任天堂在2009年超越韓國的三星，成為用于消費(fèi)電子產(chǎn)品和手機(jī)的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的全球最大買家。

2010-03-10

任天堂三星 MEMS

2010中國IT領(lǐng)袖峰會將于3月底在深圳隆重舉行

記者是從近日召開的2010中國（深圳）IT領(lǐng)袖峰會新聞發(fā)布會上獲悉這一消息的。深圳市委常委、常務(wù)副市長許勤，數(shù)字中國聯(lián)合會主席吳鷹等出席了新聞發(fā)布會并回答了記者的提問

2010-03-09

2010 中國IT 領(lǐng)袖峰會中國經(jīng)濟(jì)

臺灣LG電子表示今年將搶攻15%市場

臺灣樂金電子（LG）董事長白明源近日表示，LG去年在臺灣手機(jī)市場穩(wěn)居第四名，市占率約一成，今年將進(jìn)一步挑戰(zhàn)15%市占率的目標(biāo)，推出約30多款新手機(jī)，帶給消費(fèi)者全新品牌體驗。

2010-03-09

臺灣 LG 白明源手機(jī)

136D：Vishay推出新款鉭外殼液鉭電容器

近日，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器——136D。對于高可靠性應(yīng)用，136D器件可在-55℃～+85℃溫度范圍內(nèi)工作，在電壓降額的情況下可在+200℃下工作，在120Hz和+25℃條件下的ESR低至0.44Ω。

2010-03-09

136D Vishay 鉭電容器