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共模電感技術(shù)深度解析：噪聲抑制、選型策略與原廠競爭格局
在高速數(shù)字電路和開關(guān)電源系統(tǒng)中，共模噪聲如同無形的電磁污染，通過寄生電容和空間輻射耦合，威脅著電子設(shè)備的穩(wěn)定運行。共模電感（Common Mode Choke）作為電磁兼容設(shè)計的核心元件，在百kHz至GHz頻段內(nèi)構(gòu)建起抑制電磁干擾的關(guān)鍵屏障6。其獨特的雙繞組磁路結(jié)構(gòu)能夠區(qū)分共模干擾與差模信號：對共模噪聲呈現(xiàn)高阻抗進(jìn)行阻隔，對有用差模信號則保持低阻抗通路。這種選擇性濾波特性，使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備通過嚴(yán)格EMC認(rèn)證不可或缺的元件。
2025-07-22
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3μV噪聲極限！正弦波發(fā)生器電源噪聲凈化的七階降噪術(shù)
當(dāng)10MHz正弦波的電源抑制比（PSRR）下降20dB，輸出信號總諧波失真（THD）將惡化10倍！高頻開關(guān)電源的百mV級紋波、LDO基準(zhǔn)源的μV級噪聲，甚至PCB地彈效應(yīng)，都可能在輸出頻譜上產(chǎn)生-60dBc的雜散。本文揭示三類電源噪聲（低頻紋波/高頻開關(guān)/地回路干擾）的耦合路徑，并提供從芯片級到系統(tǒng)級的七重凈化方案，助您將電源噪聲壓至<3μV RMS。
2025-06-30
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μV級精度保衛(wèi)戰(zhàn)：信號鏈電源噪聲抑制架構(gòu)全解，拒絕LSB丟失！
在精密測量、醫(yī)療儀器及工業(yè)傳感系統(tǒng)中，信號鏈的μV級精度直接決定系統(tǒng)性能上限。而電源噪聲，常以隱形殺手的姿態(tài)吞噬ADC/DAC的有效位數(shù)——當(dāng)1mV電源紋波可導(dǎo)致12位ADC丟失4個LSB時，電源架構(gòu)選型便成為精度保衛(wèi)戰(zhàn)的核心戰(zhàn)場。本文從噪聲頻譜與拓?fù)浔举|(zhì)出發(fā)，拆解LDO、開關(guān)電源及混合架構(gòu)的噪聲基因，并通過多場景實測數(shù)據(jù)，揭示高精度信號鏈的電源設(shè)計法則。
2025-06-19
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高頻時代的電源革命：GaN技術(shù)如何顛覆傳統(tǒng)開關(guān)電源架構(gòu)？
在電力電子系統(tǒng)對能效和功率密度要求日益嚴(yán)苛的背景下，氮化鎵（GaN）技術(shù)已成為推動開關(guān)模式電源（SMPS）發(fā)展的核心動力。相較于傳統(tǒng)硅基器件，GaN憑借其3.4eV的寬禁帶特性、更高的電子遷移率（990-2000 cm2/V·s）及更低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），可將開關(guān)頻率提升至兆赫級，同時減少30%以上的能量損耗。然而，其實際應(yīng)用中仍面臨驅(qū)動設(shè)計、熱管理、電磁兼容性等挑戰(zhàn)。以半橋降壓轉(zhuǎn)換器為例，GaN開關(guān)的柵極電壓耐受值更低（通常<6V），且快速切換（dV/dt達(dá)100V/ns）易引發(fā)寄生振蕩和電磁干擾（EMI），這對電路布局和驅(qū)動控制提出了更高要求。
2025-06-09
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MOS管在開關(guān)電源中的核心作用及其關(guān)鍵性能參數(shù)對設(shè)計的影響
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOSFET)是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的元器件之一，在開關(guān)電源設(shè)計中扮演著至關(guān)重要的角色。開關(guān)電源作為現(xiàn)代電力轉(zhuǎn)換和管理的核心組件，其性能與效率在很大程度上依賴于MOS管的選擇與應(yīng)用。本文將深入探討MOS管在開關(guān)電源中的具體作用，并剖析其關(guān)鍵性能參數(shù)對電源整體性能的影響。
2025-01-25
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ESR 對陶瓷電容器選擇的影響（下）
在樓氏電容事業(yè)部，我們深知 ESR 對這些高功率或高頻率電路的影響，因為 Q 值在這些電路中至關(guān)重要。同時，我們也意識到，由于ESR會隨著設(shè)備工作頻率的改變而變化，因此并不存在一種適用于所有情況的超低ESR電容器。為此，我們精心打造了一系列II類陶瓷電介質(zhì)電容器（根據(jù)芯片尺寸選用BX或X7R材料），這些電容器不僅具備卓越的容積效率，而且壓電效應(yīng)微乎其微。我們專門針對惡劣環(huán)境設(shè)計了一系列產(chǎn)品，例如在大功率寬帶耦合和開關(guān)電源中，以確保產(chǎn)品的可靠運行。
2025-01-03
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車用開關(guān)電源的開關(guān)頻率定多高才不影響EMC？
本文探討了汽車電力應(yīng)用中開關(guān)電源的開關(guān)頻率如何確定，以及高開關(guān)頻率對電磁兼容性（EMC）的影響。文章分析了不同應(yīng)用場景下EMC標(biāo)準(zhǔn)的差異，以及如何通過系統(tǒng)評估和電路板布局優(yōu)化來滿足這些標(biāo)準(zhǔn)。
2024-10-31
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【測試案例分享】使用示波器自動化測量電源開關(guān)損耗
開關(guān)電源是當(dāng)前電子信息飛速發(fā)展不可或缺的電源方式之一。開關(guān)電源以其功耗小、效率高、節(jié)能效果顯著的優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于各種消費類電子以及各類供電系統(tǒng)當(dāng)中，成為一種主流的電源產(chǎn)品。
2024-08-25
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如何在沒有軟啟動方程的情況下測量和確定軟啟動時序？
電源管理IC通常包含稱為軟啟動的內(nèi)置功能。軟啟動功能主要見于開關(guān)電源中，但也可見于線性電源(LDO)中，作用是在啟動期間以受控方式逐漸提高輸出電壓，從而限制沖擊電流，這有助于防止初始通電時電流或電壓突然激增。大多數(shù)開關(guān)電源都帶有軟啟動功能，該功能可以從外部調(diào)節(jié)或在內(nèi)部設(shè)置。
2024-08-23
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SW與電感之間的鋪銅面積越大越好嗎？
開關(guān)電源是以功率MOS為核心的電能變換器，除了芯片自身的參數(shù)會對電能質(zhì)量產(chǎn)生較大影響外，PCB的設(shè)計也是非常重要。
2024-06-19
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MOSFET器件的高壓CV測試詳解
MOSFET、IGBT和BJT等半導(dǎo)體器件的開關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設(shè)計者需要知道這些參數(shù)。例如，設(shè)計一個高效的開關(guān)電源將要求設(shè)計者知道設(shè)備的電容，因為這將影響開關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標(biāo)說明書中提供。
2024-06-08
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超結(jié)MOS在全橋電路上的應(yīng)用
全橋電路廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域，如開關(guān)電源、變頻器、逆變器、電動汽車、工業(yè)自動化等領(lǐng)域 。在電路中，全橋電路可以使直流電轉(zhuǎn)換成交流電；在電機(jī)控制中，全橋電路可用于變頻調(diào)速和正弦波控制。
2024-06-03
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