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電源管理

收藏！5V轉(zhuǎn)3.3V電平的19種方法技巧

標(biāo)準(zhǔn)三端線性穩(wěn)壓器的壓差通常是 2.0-3.0V。要把 5V 可靠地轉(zhuǎn)換為 3.3V，就不能使用它們。壓差為幾百個(gè)毫伏的低壓降（Low Dropout， LDO）穩(wěn)壓器，是此類(lèi)應(yīng)用的理想選擇。圖 1-1 是基本LDO 系統(tǒng)的框圖，標(biāo)注了相應(yīng)的電流。從圖中可以看出， LDO 由四個(gè)主要部分組成：

2019-08-29

LDO穩(wěn)壓器齊納二極管

利用三極管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電路

很多工程師在上學(xué)時(shí)被老師講的三極管的各種電路接法，和小信號(hào)模型分析給繞暈了。而且大學(xué)的課本大多數(shù)都是在講三極管的放大特性。其實(shí)在實(shí)際的電路設(shè)計(jì)中，三極管的很多應(yīng)用場(chǎng)景只是利用三級(jí)管的開(kāi)關(guān)特性，我們往往是運(yùn)用三極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電路，做一些電平轉(zhuǎn)換的功能。

2019-08-28

三極管設(shè)計(jì) 開(kāi)關(guān)電路

光耦傳輸比對(duì)開(kāi)關(guān)電源的影響

光耦的技術(shù)參數(shù)主要有發(fā)光二極管正向壓降VF、正向電流IF、電流傳輸比CTR、輸入級(jí)與輸出級(jí)之間的絕緣電阻、集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓V（BR）CEO、集電極-發(fā)射極飽和壓降VCE（sat）。此外，在傳輸數(shù)字信號(hào)時(shí)還需考慮上升時(shí)間、下降時(shí)間、延遲時(shí)間和存儲(chǔ)時(shí)間等參數(shù)。

2019-08-28

光耦傳輸比開(kāi)關(guān)電源

德州儀器：DC DC 轉(zhuǎn)換器 EMI 的工程師指南（二）——噪聲傳播和濾波

高開(kāi)關(guān)頻率是在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)發(fā)展過(guò)程中促進(jìn)尺寸減小的主要因素。為了符合相關(guān)法規(guī)，通常需要采用電磁干擾 (EMI) 濾波器，而該濾波器通常在系統(tǒng)總體尺寸和體積中占據(jù)很大一部分，因此了解高頻轉(zhuǎn)換器的 EMI 特性至關(guān)重要。

2019-08-28

DC/DC轉(zhuǎn)換器 EMI 噪聲傳播濾波

使用電源濾波器的幾個(gè)常見(jiàn)錯(cuò)誤匯總

在實(shí)驗(yàn)測(cè)試過(guò)程中，設(shè)計(jì)工程師常遇到這樣的情況：雖然在設(shè)備電源線上接了電源濾波器，但是該設(shè)備還是不能通過(guò)“傳導(dǎo)騷擾電壓發(fā)射”測(cè)試，工程師懷疑濾波器的濾波效果不好，不斷更換濾波器，仍不能得到理想的效果。

2019-08-27

電源濾波器

掌握MOS管選型技巧，老司機(jī)只要七步！

MOS管是電子制造的基本元件，但面對(duì)不同封裝、不同特性、不同品牌的MOS管時(shí)，該如何抉擇？有沒(méi)有省心、省力的遴選方法？下面我們就來(lái)看一下老司機(jī)是如何做的。

2019-08-26

MOS管選型技巧

電源設(shè)計(jì)中的電容應(yīng)用

電源往往是我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)過(guò)程中最容易忽略的環(huán)節(jié)。其實(shí)，作為一款優(yōu)秀的設(shè)計(jì)，電源設(shè)計(jì)應(yīng)當(dāng)是很重要的，它很大程度影響了整個(gè)系統(tǒng)的性能和成本。

2019-08-26

電源設(shè)計(jì) 電容應(yīng)用

如何為開(kāi)關(guān)電源選擇合適的MOSFET？

DC/DC開(kāi)關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種情況會(huì)變得更加復(fù)雜。

2019-08-26

開(kāi)關(guān)電源 MOSFET