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0402尺寸高Q值/超小型獨(dú)石陶瓷電容器
以手機(jī)/智能電話等小型移動設(shè)備的高功能化為背景，隨著電路板上搭載元器件數(shù)量的增加，對于電容器則要求小型化、低背化。高Q值電容器由于其自身損耗小，就能降低對組合電路整體的損耗，主要用于手機(jī)/智能電話的天線周圍及功率放大器（以下稱為PA）的匹配及耦合。
2012-11-14
0402尺寸 超小型 電容器
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電源模塊中低電磁干擾設(shè)計的折中方法
電源的電磁干擾水平是設(shè)計中最難的部分，設(shè)計人員能做的最多就是在設(shè)計中進(jìn)行充分考慮，尤其在布局時。由于直流到直流的轉(zhuǎn)換器很常用，所以硬件工程師或多或少都會接觸到相關(guān)的工作，本文中我們將考慮與低電磁干擾設(shè)計相關(guān)的兩種常見的折中方案。
2012-11-14
EMI 電磁干擾
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放大器輸入保護(hù)...福兮禍兮?
當(dāng)今的許多高速運(yùn)算放大器都具有片上輸入保護(hù)。在大多數(shù)情況下，這種保護(hù)對用戶是透明的；但在某些應(yīng)用中，這種保護(hù)可能是電路的致命弱點(diǎn)。本文討論輸入保護(hù)需求、實(shí)現(xiàn)及其潛在的缺點(diǎn)。本文還給出利用具有輸入保護(hù)功能放大器的替代方案與電路方案。
2012-11-14
放大器 輸入保護(hù)
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放大器輸入保護(hù)...福兮禍兮?
當(dāng)今的許多高速運(yùn)算放大器都具有片上輸入保護(hù)。在大多數(shù)情況下，這種保護(hù)對用戶是透明的；但在某些應(yīng)用中，這種保護(hù)可能是電路的致命弱點(diǎn)。本文討論輸入保護(hù)需求、實(shí)現(xiàn)及其潛在的缺點(diǎn)。本文還給出利用具有輸入保護(hù)功能放大器的替代方案與電路方案。
2012-11-14
放大器 輸入保護(hù)
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D類音頻放大器的設(shè)計原理和方法
D類放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來。那么，什么是D類放大器?它們與其它類型的放大器相比如何? 為什么D類放大器對于音頻應(yīng)用很有意義?設(shè)計一個“優(yōu)質(zhì)”D類音頻放大器需要考慮哪些因素? D類放大器產(chǎn)品的特點(diǎn)是什么? 本文將回答上述所有問題。
2012-11-14
D類音頻放大器 ADI 原理 方法
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D類音頻放大器的設(shè)計原理和方法
D類放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來。那么，什么是D類放大器?它們與其它類型的放大器相比如何? 為什么D類放大器對于音頻應(yīng)用很有意義?設(shè)計一個“優(yōu)質(zhì)”D類音頻放大器需要考慮哪些因素? D類放大器產(chǎn)品的特點(diǎn)是什么? 本文將回答上述所有問題。
2012-11-14
D類音頻放大器 ADI 原理 方法
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具備降低EMI和RFI干擾的有源擴(kuò)頻時鐘產(chǎn)生器IC
安森美半導(dǎo)體推出有源擴(kuò)頻時鐘產(chǎn)生器IC，用于降低便攜、消費(fèi)及計算應(yīng)用的電磁干擾。擴(kuò)頻時鐘產(chǎn)生器可以節(jié)省電路板空間，符合EMI規(guī)范，無須費(fèi)錢耗時的重新設(shè)計。
2012-11-14
EMI RFI 有源擴(kuò)頻時鐘產(chǎn)生器IC
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IDT推出最低功率DDR3內(nèi)存緩沖芯片
IDT推出最低功率DDR3內(nèi)存緩沖芯片MB3518，擁有獨(dú)有的調(diào)試和驗證特性，包括每個引腳和晶片示波器的支持和內(nèi)置邏輯分析儀的采集以促進(jìn)全緩沖 DIMM 拓?fù)浼夹g(shù)的開發(fā)、驗證和測試。這些特性對于 LRDIMM 模塊上的內(nèi)存緩沖到 DRAM 接口尤其重要，因為它是完全獨(dú)立于主控制器和自動測試儀的。
2012-11-13
DDR3 內(nèi)存 美光
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可實(shí)現(xiàn)2.5kW電源GaN功率器件
【導(dǎo)讀】富士通半導(dǎo)體量產(chǎn)可實(shí)現(xiàn)2.5kW電源的硅基板GaN功率器件，意在在電源裝置領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)優(yōu)化應(yīng)用，并在電路設(shè)計方面給予技術(shù)支持，為開發(fā)多種用途的低損失、小型電源裝置提供支持。
2012-11-13
電源 GaN 富士通
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
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