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測(cè)試測(cè)量

為何IBIS建模對(duì)設(shè)計(jì)成功至關(guān)重要

IBIS表示輸入/輸出緩沖器信息規(guī)格，它代表了IC供應(yīng)商提供給客戶進(jìn)行高速設(shè)計(jì)仿真的器件的數(shù)字引腳的特性或行為。這些模型使用IBIS開放論壇——負(fù)責(zé)管理和更新IBIS模型規(guī)范與標(biāo)準(zhǔn)的行業(yè)組織——所規(guī)定的參數(shù)模仿器件的I/O行為。IBIS模型使用ASCII文本文件格式，提供表格化的電壓-電流和電壓-時(shí)間信息。它...

2022-05-27

IBIS建模 IC設(shè)計(jì) ADI

貿(mào)澤在線服務(wù)與工具以及幫助中心助你輕松找到所需資源

2022年5月26日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 提供了大量聚焦客戶需求的在線工具，幫助客戶簡(jiǎn)化及優(yōu)化選擇與采購(gòu)流程。貿(mào)澤的服務(wù)與工具頁(yè)面以及幫助中心可以幫助客戶輕松瀏覽、選擇和購(gòu)買產(chǎn)品，不僅讓客戶能夠查看和跟蹤訂單、請(qǐng)...

2022-05-26

貿(mào)澤在線服務(wù)

瑞薩電子投資甲府工廠，300mm功率半導(dǎo)體產(chǎn)線恢復(fù)

2022 年 5 月 17 日，日本東京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，將向2014年10月關(guān)閉的甲府工廠（日本山梨縣甲斐市）投資900億日元，目標(biāo)在2024年恢復(fù)其300mm功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線。

2022-05-17

瑞薩電子功率半導(dǎo)體產(chǎn)線恢復(fù)

Xilinx FPGA DDR3設(shè)計(jì)（一）DDR3基礎(chǔ)掃盲

DDR3 SDRAM 全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。雙倍速率（double-data-rate），是指時(shí)鐘的上升沿和下降沿都發(fā)生數(shù)據(jù)傳輸；同步，是指DDR3數(shù)據(jù)的讀取寫入是按時(shí)鐘同步的；動(dòng)態(tài)，是指DDR3中的數(shù)據(jù)掉電無(wú)法保存，且需要周期性的刷新，才能保持?jǐn)?shù)據(jù)...

2022-05-12

Xilinx FPGA DDR3設(shè)計(jì)

創(chuàng)新型封裝如何推動(dòng)提高負(fù)載開關(guān)中的功率密度

從智能手機(jī)到汽車，消費(fèi)者要求將更多功能封裝到越來(lái)越小的產(chǎn)品中。為了幫助實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，TI 優(yōu)化了其半導(dǎo)體器件（包括用于子系統(tǒng)控制和電源時(shí)序的負(fù)載開關(guān)）的封裝技術(shù)。封裝創(chuàng)新支持更高的功率密度，從而可以向每個(gè)印刷電路板上安裝更多半導(dǎo)體器件和功能。

2022-05-10

封裝負(fù)載開關(guān) 功率密度

熱電偶和熱電阻有什么區(qū)別？

在日常工作當(dāng)中經(jīng)常遇到使用溫度測(cè)量?jī)x表，熱電阻與熱電偶同為溫度測(cè)量?jī)x表，同一個(gè)測(cè)溫地點(diǎn)我們選擇熱電阻還是選擇熱電偶呢？今天我們來(lái)全面剖析一下。

2022-05-10

熱電偶熱電阻

KIOXIA鎧俠慶祝NAND閃存發(fā)明35周年

2022年4月25日，中國(guó)上海 — 20世紀(jì)90年代的MP3播放器與如今的智能手機(jī)有什么共同之處？如果沒(méi)有NAND閃存這一影響力貫穿幾十年的創(chuàng)新技術(shù)，這兩者都將不會(huì)存在。全球存儲(chǔ)器解決方案領(lǐng)導(dǎo)者KIOXIA鎧俠近日宣布，其已達(dá)成一座新的里程碑——2022年是公司發(fā)明NAND閃存的35周年。

2022-05-01

KIOXIA NAND閃存