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電動(dòng)汽車充電的三大設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
用于商業(yè)和住宅用途的典型電動(dòng)汽車 (EV) 充電站設(shè)計(jì)包括電能計(jì)量、剩余電流檢測(cè)（交流和直流）、隔離安全合規(guī)性、繼電器和接觸器，還具有驅(qū)動(dòng)功能、雙向通信以及服務(wù)和用戶界面。雖然充電站的目標(biāo)是高效地將電力傳輸?shù)杰囕v，但實(shí)現(xiàn)電力傳輸是其最初的功能。
2022-09-20
電動(dòng)汽車 充電 設(shè)計(jì)
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關(guān)斷柵極電壓欠沖對(duì)SiC MOSFET導(dǎo)通行為的影響
本文探討了關(guān)斷時(shí)發(fā)生的柵極電壓欠沖對(duì)導(dǎo)通開(kāi)關(guān)特性的影響。這種影響來(lái)自于閾值電壓的遲滯效應(yīng)，指柵偏壓變化時(shí)，閾值電壓的完全可恢復(fù)瞬態(tài)偏移。閾值電壓的遲滯效應(yīng)是由半導(dǎo)體-絕緣體界面缺陷中，電荷的短期俘獲和釋放引起的。因此，關(guān)斷時(shí)的柵極電壓欠沖會(huì)對(duì)碳化硅（SiC）MOSFET的開(kāi)關(guān)特性產(chǎn)生影響。
2022-09-20
柵極電壓欠沖 SiC MOSFET 導(dǎo)通
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打破電動(dòng)汽車“里程焦慮”，主驅(qū)能效如何升級(jí)？
因續(xù)航能力有限而導(dǎo)致的“里程焦慮”是許多消費(fèi)者采用電動(dòng)車的一個(gè)障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過(guò)程的效率是延長(zhǎng)車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關(guān)鍵。能效至關(guān)重要的一個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域是主驅(qū)逆變器，它將直流電池電壓轉(zhuǎn)換為所需的交流驅(qū)動(dòng)，以為電機(jī)供電。
2022-09-19
電動(dòng)汽車 主驅(qū)能效
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自動(dòng)駕駛汽車的未來(lái)趨勢(shì)：集中式傳感器融合
現(xiàn)如今，大多數(shù)自動(dòng)駕駛汽車都依靠傳感器融合，即將毫米波雷達(dá)、激光雷達(dá)和攝像頭的多傳感器數(shù)據(jù)以一定的準(zhǔn)則進(jìn)行分析和綜合來(lái)收集環(huán)境信息。正如自動(dòng)駕駛汽車行業(yè)巨頭們所證明的那樣，多傳感器融合提高了自動(dòng)駕駛汽車系統(tǒng)的性能，讓車輛出行更安全。
2022-09-19
自動(dòng)駕駛 趨勢(shì) 傳感器
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瑞薩電子發(fā)布全新Resolver 4.0目錄，提供80款市場(chǎng)成熟的電感式位置傳感器設(shè)計(jì)
2022 年 9 月 15 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出面向汽車和工業(yè)電機(jī)領(lǐng)域創(chuàng)新電感式位置傳感器的全新Resolver 4.0參考設(shè)計(jì)目錄。借助該目錄，工程師們現(xiàn)可擁有80款基于IPS2電機(jī)換向傳感器的即時(shí)設(shè)計(jì)資源，每款參考設(shè)計(jì)都針對(duì)獨(dú)特的電機(jī)軸或極對(duì)配置...
2022-09-16
瑞薩電子 電感式 位置傳感器
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電源噪聲對(duì)高速DAC相位噪聲影響有多大？如何消除它？
在所有器件特性中，噪聲可能是一個(gè)特別具有挑戰(zhàn)性、難以掌握的設(shè)計(jì)課題。本文主要介紹電源噪聲對(duì)于高速DAC相位噪聲的影響。
2022-09-16
電源噪聲 高速DAC 相位噪聲
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安森美獲蔚來(lái)“守望獎(jiǎng)”
中國(guó)上?！?022年9月13日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，在蔚來(lái)于2022年7月30日舉行的合作伙伴大會(huì)上獲其授予“守望獎(jiǎng)”。作為蔚來(lái)體系中值得信賴的關(guān)鍵技術(shù)供應(yīng)商，安森美通過(guò)多種渠道確保對(duì)蔚來(lái)的供貨支持，包括專職負(fù)責(zé)順利生產(chǎn)和交付流程的小組。
2022-09-14
安森美 蔚來(lái) SiC模塊
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深入剖析高速SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)行為
本文探討了影響高速SiC MOSFET開(kāi)關(guān)特性的關(guān)鍵因素，包括器件特性、工作條件和外部電路；解釋了開(kāi)關(guān)損耗的主要影響因素，并確定了影響器件行為和使用的重要因素，這些因素可以顯著提升SiC MOSFET在功率電路中的開(kāi)關(guān)性能。
2022-09-13
SiC MOSFET 開(kāi)關(guān)
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巧用LC濾波器額，改善高速DAC電源相位噪聲！
對(duì)于高速DAC供電電源的選擇，LDO是久經(jīng)考驗(yàn)的穩(wěn)壓器，尤其適合用來(lái)實(shí)現(xiàn)優(yōu)質(zhì)噪聲性能。相關(guān)技術(shù)資訊，可參閱文章：選擇超低噪聲的LDO來(lái)改善相位噪聲 。
2022-09-13
LC濾波器 DAC 相位噪聲
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