智能的集成電機(jī)驅(qū)動器和無刷直流 (BLDC) 電機(jī)都有助于使電動汽車和下一代汽車更具吸引力、更安全和更可靠。集成電機(jī)驅(qū)動器組合了驅(qū)動電機(jī)所需的一切,例如場效應(yīng)晶體管 (FET)、柵極驅(qū)動器和狀態(tài)機(jī)(如圖1所示)。集成可消除從電子控制單元 (ECU) 到電機(jī)的長布線,并具有印刷電路板 (PCB) 尺寸更小和...
2022-06-16
電機(jī)驅(qū)動器BLDC EMI
隨著制備技術(shù)的進(jìn)步,在需求的不斷拉動下,碳化硅(SiC)器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車,可再生能源及儲能等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展,更是不容小覷。
2022-06-15
SiC MOSFET 驅(qū)動電壓
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中,我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
直流快充 電源模塊 柵極驅(qū)動
UnitedSiC(現(xiàn)名Qorvo)擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列,將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐,現(xiàn)以TO247-4L(采用開爾文連接)封裝提供,而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能,...
SiC FET 高壓市場 解決方案
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路,對于光耦前向耦合電流增益的特性進(jìn)行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
幾年來,xEV的普及率一直很高。預(yù)計2021至2027年間,全球xEV市場的復(fù)合年增長率將達(dá)到21%,所有細(xì)分市場的復(fù)合年增長率都將加快。隨著BEV采用率的快速增長,混合動力技術(shù)也將大幅增長。事實上,不同技術(shù)的普及率取決于地區(qū)。
2022-06-13
電動汽車 車輛效率 供應(yīng)鏈
功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標(biāo)志。然而,越熟悉越容易大意。從統(tǒng)計的角度來看,單個MOSFET不太可能被靜電放電(ESD)損壞。然而,在處理成千上萬個MOSFET時,極小的故障都可能帶來極大的影響。
IGBT MOSFET ESD
很顯然,車輛通信是實現(xiàn)更高的自動駕駛水平的重要推動因素。但是,長期以來,汽車廠商一直在研究分析所需的無線接入技術(shù)應(yīng)基于蜂窩技術(shù)(也稱為C-V2X)還是基于直接接入技術(shù)(稱為DSRC)。在本文中,我們將展示未來的自動駕駛場景需要協(xié)調(diào)或組合使用這兩種技術(shù)。先進(jìn)的多無線標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備需要集成分別采...
2022-06-10
自動駕駛汽車 5G DSRC V2X
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