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技術(shù)文章

如何測量PMIC的PSRR

PSRR是一個重要參數(shù)，可評估LDO在輸入電源中的變化中保持一致輸出電壓的能力。在輸入電源體驗波動的情況下，實現(xiàn)高PSRR至關(guān)重要，從而確保輸出電壓的可靠性。下圖1說明了測量PSRR的一般方法。

2025-02-16

PMIC PSRR

設(shè)計高壓SIC的電池斷開開關(guān)

DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統(tǒng)，由單相或三相電網(wǎng)功率或儲能系統(tǒng)（ESS）提供動力，可以通過固態(tài)電路保護(hù)提高其可靠性和彈性。在設(shè)計高壓固態(tài)電池斷開連接開關(guān)時，需要考慮一些基本的設(shè)計決策。關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)，設(shè)備類型，熱包裝，設(shè)備堅固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論...

2025-02-16

SIC 電池開關(guān)

揭秘ADAS系統(tǒng)中核心傳感器技術(shù)深度解析

自上世紀(jì) 70 年代首次引入防抱死制動系統(tǒng)（ABS）以來，ADAS 技術(shù)在乘用車中的應(yīng)用穩(wěn)步增加，安全性也相應(yīng)提高。據(jù)美國國家安全委員會（NSC）估計，僅在美國，ADAS就有可能避免約62%的交通死亡事故，每年可挽救超過20,000人的生命3。近年來，自動緊急制動（AEB）和前撞預(yù)警（FCW）等ADAS功能已變得越...

2025-02-15

ADAS系統(tǒng) 傳感器技術(shù)

基本示波器操作

如果示波器具有前面板，則它將具有如圖1所示的儀器所示的垂直，水平和觸發(fā)設(shè)置的基本控件。

2025-02-14

示波器

低壓電源MOSFET設(shè)計

低抗性（RDS（ON））以減少傳導(dǎo)過程中的功率損失，從而提高能源效率。當(dāng)設(shè)備打開時，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對于效率至關(guān)重要，因為低RD（ON）意味著在傳導(dǎo)過程中降低電阻損失高開關(guān)速度，用于快速切換操作；在DC-DC轉(zhuǎn)換器和高頻切換電路等應(yīng)用中至關(guān)重要。

2025-02-14

低壓電源 MOSFET

意法半導(dǎo)體與HighTec EDV-Systeme合作助力打造更安全的軟件定義汽車

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 和 HighTec EDV-Systeme公司合作開發(fā)了一套先進(jìn)的汽車功能安全整體解決方案，以加快安全關(guān)鍵的汽車系統(tǒng)開發(fā)，提高軟件定義汽車的安全性和經(jīng)濟(jì)性。

2025-02-14

意法半導(dǎo)體 HighTec EDV-Systeme 汽車

第15講：高壓SiC模塊封裝技術(shù)

SiC芯片可以高溫工作，與之對應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫，其封裝技術(shù)相對傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進(jìn)，本文帶你詳細(xì)了解內(nèi)部的封裝技術(shù)。

2025-02-14

SiC模塊封裝技術(shù)