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CMOS有源晶振電壓特性與精準(zhǔn)測量指南
CMOS有源晶振的供電電壓(Vcc)直接決定其輸出電壓特性。這種“高壓平、低壓差”的設(shè)計確保了數(shù)字電路的噪聲容限。例如LVCMOS3V3標(biāo)準(zhǔn)要求Voh≥3.2V(3.3V供電時),以滿足下游芯片的高電平識別閾值(≥2.0V)。供電電壓的兼容性是選型核心——如YXC YSO110TR系列支持1.8~3.3V寬壓輸入,適配低功耗IoT設(shè)備...
2025-05-29
CMOS有源晶振 電壓特性 精準(zhǔn)測量
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IO-Link技術(shù)賦能智能工廠傳感器跨協(xié)議通信實(shí)戰(zhàn)指南
在工業(yè)4.0浪潮席卷全球制造業(yè)的今天,智能工廠建設(shè)正面臨前所未有的技術(shù)挑戰(zhàn)。當(dāng)生產(chǎn)線需要同時兼容Profinet、EtherCAT、Modbus等多種工業(yè)協(xié)議時,傳統(tǒng)專用型傳感器已難以滿足柔性制造需求。本文將深度解析如何打造具備"網(wǎng)絡(luò)無關(guān)性"的智能傳感器,通過模塊化設(shè)計實(shí)現(xiàn)溫度、壓力等物理量的精準(zhǔn)采集與...
2025-05-29
現(xiàn)場總線 智能工廠傳感器 IO-Link技術(shù)
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Arm 生態(tài)系統(tǒng):從云端到邊緣全面驅(qū)動 AI
人工智能 (AI) 正以前所未有的速度重塑科技,成為人們?nèi)粘I钪胁豢苫蛉钡囊徊糠?。Arm 計算平臺正處于這場變革的核心?;?Arm 架構(gòu)的芯片出貨量迄今已累計超過
2025-05-28
Arm 生態(tài)
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電容選型避坑手冊:參數(shù)、成本與場景化適配邏輯
電容器是一種通過電場儲存電荷的無源元件,其基本結(jié)構(gòu)由兩個導(dǎo)體極板和中間的絕緣介質(zhì)(電介質(zhì))組成。當(dāng)兩極板施加電壓時,正負(fù)電荷在極板上積累,形成電場儲能。電容值(C)由極板面積(A)、極板間距(d)和電介質(zhì)介電常數(shù)(ε)決定。
2025-05-27
電容
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小體積大能量:陶瓷電容技術(shù)全解析:定義、原理與市場格局
陶瓷電容是以陶瓷介質(zhì)為核心,通過金屬電極層疊或涂覆形成的無源電子元件。其核心原理基于陶瓷介質(zhì)的極化效應(yīng):當(dāng)施加電壓時,陶瓷介質(zhì)內(nèi)部的正負(fù)電荷發(fā)生位移,形成電場儲存電能;斷開電源后,電荷釋放供給電路。
2025-05-27
陶瓷電容
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線繞電阻與可調(diào)電阻技術(shù)對比及選型指南
線繞電阻與可調(diào)電阻雖同屬電阻范疇,但設(shè)計目標(biāo)、結(jié)構(gòu)特性及適用場景存在顯著差異。
2025-05-27
線繞電阻 可調(diào)電阻
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全球熱管理巨頭煥新啟航:萊爾德熱系統(tǒng)正式更名Tark Thermal Solutions
全球熱管理行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者萊爾德熱系統(tǒng)(Laird Thermal Systems)宣布正式更名為 塔克熱系統(tǒng)(Tark Thermal Solutions) 。此次更名源于原有名稱許可協(xié)議到期,旨在通過全新品牌形象強(qiáng)化企業(yè)市場定位,更好地彰顯公司在主動式熱管理領(lǐng)域60余年的技術(shù)積淀與解決方案領(lǐng)導(dǎo)力。新名稱與品牌視覺體系的啟用,...
2025-05-27
熱管理 萊爾德熱系統(tǒng) 塔克熱系統(tǒng) Tark Thermal Solutions
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