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介質(zhì)電容選型全攻略：從原理到原廠成本深度解析
介質(zhì)電容作為電子系統(tǒng)的“能量調(diào)節(jié)器”，通過電介質(zhì)極化實(shí)現(xiàn)電荷存儲與釋放，其性能直接決定電路效率與可靠性。2024年清華大學(xué)突破性高熵設(shè)計(jì)將MLCC能量密度推至20.8J/cm3，西安交大更實(shí)現(xiàn)400℃高溫穩(wěn)定工作。本文將解析介質(zhì)電容技術(shù)演進(jìn)、選型策略及全球產(chǎn)業(yè)競爭格局，為高可靠系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供關(guān)鍵參考。
2025-05-30
介質(zhì)電容
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秒發(fā)3.5萬現(xiàn)貨！貿(mào)澤和Molex強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手：18萬種連接方案
貿(mào)澤電子作為Molex全球授權(quán)代理商，獨(dú)家供應(yīng)超18萬種連接器解決方案，其中35,000庫存產(chǎn)品支持即日發(fā)貨。覆蓋通信、數(shù)據(jù)中心、交通、醫(yī)療和工業(yè)設(shè)備等高需求領(lǐng)域，為工程師提供從設(shè)計(jì)選型到量產(chǎn)交付的一站式連接器資源庫。
2025-05-29
貿(mào)澤 Molex 連接 通信 數(shù)據(jù)中心 交通 醫(yī)療 工業(yè)
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超越視距極限！安森美iToF技術(shù)開啟深度感知新紀(jì)元
在自動駕駛、機(jī)器人導(dǎo)航和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等前沿科技領(lǐng)域，深度感知技術(shù)正成為實(shí)現(xiàn)空間認(rèn)知與智能交互的核心引擎。這項(xiàng)技術(shù)通過精確測量物體距離與空間關(guān)系，為機(jī)器賦予"立體視覺"，使3D 測繪、物體識別、空間感知成為可能。作為深度感知的關(guān)鍵技術(shù)路徑，iToF（間接飛行時(shí)間）技術(shù)通過發(fā)射調(diào)制光并分析反射...
2025-05-29
安森美 iToF技術(shù) 深度感知
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意法半導(dǎo)體拓展新加坡“廠內(nèi)實(shí)驗(yàn)室” 深化壓電MEMS技術(shù)合作
全球半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體（ST）宣布擴(kuò)大新加坡"廠內(nèi)實(shí)驗(yàn)室"（Lab-in-Fab）項(xiàng)目，聯(lián)合科技研究局微電子研究所 (A*STAR IME)、愛發(fā)科（ULVAC）、新加坡科技研究局材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 及新加坡國立大學(xué)（NUS），共同推進(jìn)壓電MEMS技術(shù)開發(fā)。
2025-05-29
意法半導(dǎo)體 Lab-in-Fab 壓電MEMS技術(shù)
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電解電容技術(shù)全景解析：從核心原理到國產(chǎn)替代戰(zhàn)略
電解電容作為電子系統(tǒng)的“能量水庫”，在電源管理、信號耦合和濾波電路中扮演著不可替代的角色。其獨(dú)特的高容量體積比和電壓適應(yīng)性使其成為工業(yè)設(shè)備、新能源系統(tǒng)和消費(fèi)電子的核心元件。隨著固態(tài)化、高頻化技術(shù)突破，電解電容正突破壽命與頻率限制，而中美科技競爭加速了國產(chǎn)替代進(jìn)程。本文將深入解析...
2025-05-29
電解電容
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有機(jī)實(shí)心電位器選型避坑指南：國際大廠VS國產(chǎn)新勢力
有機(jī)實(shí)心電位器是一種以有機(jī)聚合物為基材，通過填充導(dǎo)電顆粒（如碳黑、石墨）形成連續(xù)電阻體的無源電子元件。其核心結(jié)構(gòu)由電阻軌道、集電刷和轉(zhuǎn)動軸組成，通過機(jī)械旋轉(zhuǎn)改變集電刷與電阻體的接觸位置，實(shí)現(xiàn)電阻值的連續(xù)調(diào)節(jié)。
2025-05-29
有機(jī)實(shí)心電位器
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CMOS有源晶振電壓特性與精準(zhǔn)測量指南
CMOS有源晶振的供電電壓（Vcc）直接決定其輸出電壓特性。這種“高壓平、低壓差”的設(shè)計(jì)確保了數(shù)字電路的噪聲容限。例如LVCMOS3V3標(biāo)準(zhǔn)要求Voh≥3.2V（3.3V供電時(shí)），以滿足下游芯片的高電平識別閾值（≥2.0V）。供電電壓的兼容性是選型核心——如YXC YSO110TR系列支持1.8~3.3V寬壓輸入，適配低功耗IoT設(shè)備...
2025-05-29
CMOS有源晶振 電壓特性 精準(zhǔn)測量
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