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【做信號(hào)鏈，你需要了解的高速信號(hào)知識(shí)（三）】高速的挑戰(zhàn) – 傳輸鏈路的損耗和均衡
高速總線升級(jí)迭代的矛盾在于，消費(fèi)者對(duì)性能的需求驅(qū)動(dòng)著信號(hào)速率成倍的增長，消費(fèi)者對(duì)便捷性的需求使得傳輸線無法縮短，消費(fèi)者對(duì)低成本的追求要求PCB板材和傳輸線不能太貴，這就導(dǎo)致ISI抖動(dòng)變得越來越嚴(yán)重。均衡(Equalization)就是為了應(yīng)對(duì)ISI抖動(dòng)，而被廣泛應(yīng)用的黑科技。既然ISI抖動(dòng)的根源，是傳...
2024-04-08
信號(hào)鏈 高速信號(hào) 傳輸鏈路
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演進(jìn)中的電力電子設(shè)計(jì)：安森美先進(jìn)仿真工具
電力電子設(shè)計(jì)是現(xiàn)代工程中的關(guān)鍵因素，它對(duì)眾多應(yīng)用的效率、可靠性和性能產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。在考慮制造工藝差異和最壞情景的同時(shí)，開發(fā)出符合嚴(yán)格要求的電路，需要精確且精密的工具支持。
2024-04-08
安森美 電力電子設(shè)計(jì) 仿真工具
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力森諾科（Resonac）對(duì)湖南初源、瑞鈦提起感光干膜材料專利侵權(quán)訴訟
2023年12月，力森諾科聯(lián)合其子公司力森諾科材料（東莞）有限公司，向深圳市中級(jí)人民法院正式提起訴訟，主張湖南初源新材料股份有限公司、湖南瑞鈦新材料科技股份有限公司等涉嫌侵犯其在感光干膜領(lǐng)域的中國專利權(quán)。 力森諾科要求法院判決被告企業(yè)立即停止生產(chǎn)和銷售涉及侵權(quán)的感光干膜產(chǎn)品，并賠償因...
2024-04-07
力森諾科
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SEMICON 2024圓滿落幕！ 快來認(rèn)識(shí)頗爾令人振奮的產(chǎn)品解決方案
2024年3月20-22日，頗爾中國在上海新國際博覽中心N4場館#4471號(hào)為期三天的 SEMICON 2024展覽閃耀亮相。這場展會(huì)匯聚了1100多家半導(dǎo)體展商，現(xiàn)場人頭攢動(dòng)， 成為業(yè)界的焦點(diǎn)。
2024-04-07
產(chǎn)品解決方案
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軟件可配置模擬I／O的設(shè)計(jì)理念
在快速發(fā)展的工業(yè)電子領(lǐng)域，軟件可配置模擬 I/O 器件的開發(fā)為系統(tǒng)設(shè)計(jì)和運(yùn)行帶來了前所未有的多功能性和效率。Analog Devices 的 MAX22000 就是一個(gè)很好的實(shí)例，它提供了一個(gè)多面的模擬信號(hào)處理方法，可按需重新配置，以適應(yīng)各種應(yīng)用。
2024-04-07
軟件 模擬I／O
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測試共源共柵氮化鎵 FET
Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場，因?yàn)樗梢蕴峁┏ｊP(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍。然而，電路設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)該器件在實(shí)際電路中使用起來并不那么容易，因?yàn)樗苋菀装l(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復(fù)的提取。許多設(shè)計(jì)人員在電路中使用大柵極電阻時(shí)必須減慢...
2024-04-07
測試共源 氮化鎵 FET
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P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用
Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。高端側(cè)（HS）應(yīng)用P溝道的簡易性使其對(duì)低壓變換器（<120V）和非隔離的負(fù)載點(diǎn)更具吸引力。
2024-04-07
功率MOSFETs
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