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技術(shù)文章

掌握幾個(gè)技巧降低運(yùn)放電路中的功耗！

為了了解運(yùn)算放大器電路中的功耗問(wèn)題，我們首先明白具有低靜態(tài)電流 (IQ)的放大器以及增加反饋網(wǎng)絡(luò)電阻值與功耗之間的關(guān)系。

2024-05-14

運(yùn)放電路

抓住JESD204B接口功能的關(guān)鍵問(wèn)題

JESD204B是最近批準(zhǔn)的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，用于轉(zhuǎn)換器與數(shù)字處理器件之間的串行數(shù)據(jù)接口。它是第三代標(biāo)準(zhǔn)，解決了先前版本的一些缺陷。該接口的優(yōu)勢(shì)包括：數(shù)據(jù)接口路由所需電路板空間更少，建立與保持時(shí)序要求更低，以及轉(zhuǎn)換器和邏輯器件的封裝更小。多家供應(yīng)商的新型模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器采用此接口，例如ADI的 ...

2024-05-14

JESD204B 接口功能

如何使用帶有I2C和SPI解碼的示波器排查系統(tǒng)問(wèn)題

大多數(shù)基于微控制器的設(shè)計(jì)都使用I2C或SPI，或兩者兼用，來(lái)實(shí)現(xiàn)控制器之間以及控制器與外圍芯片之間的通信。當(dāng)芯片發(fā)送特定的I2C或SPI數(shù)據(jù)包時(shí)，能夠看到嵌入式系統(tǒng)內(nèi)部的操作對(duì)于排除故障至關(guān)重要。許多管理相對(duì)較慢參數(shù)的芯片，如溫度傳感器、電機(jī)控制器、人機(jī)界面或電源管理等，都將這些總線作為...

2024-05-14

I2C SPI解碼示波器

Boost電路的CCM模式與DCM模式

Boost升壓電路，可以工作在電流斷續(xù)工作模式(DCM)和電流連續(xù)工作模式(CCM)。CCM工作模式適合大功率輸出電路，電感電流需保持連續(xù)狀態(tài)，因此，按CCM工作模式來(lái)進(jìn)行特性分析。不管哪種拓?fù)洌銫CM和DCM的定義，是一樣的。

2024-05-14

Boost電路的CCM模式與DCM模式

MOS管被擊穿的原因及解決方案

mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

2024-05-14

MOS管

雙管反激240W USB PD3.1 EPR設(shè)計(jì)要點(diǎn)

雙管反激QR變換器架構(gòu)很好地解決了前面提到的難題，雙管反激QR變換器可以輸出很寬的電壓范圍，通過(guò)合理的選擇變壓器匝比，可以使初級(jí)的雙開關(guān)近似工作在ZVS開通，同時(shí)高匝比的應(yīng)用也使得初級(jí)的電流減小，開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗得以減少，后級(jí)同步整流管可以使用常用的120V的MOSFET，降低了整體成本。

2024-05-14

雙管反激 EPR設(shè)計(jì)

惡劣條件下的成像如何破？eHDR智能線性化技術(shù)多圖效果對(duì)比！

圖像傳感器廣泛用于安防監(jiān)控、隨身記錄儀、可視門鈴和機(jī)器人等應(yīng)用，必須能夠在各種惡劣成像條件下穩(wěn)定工作，以支持圖像視覺(jué)和機(jī)器視覺(jué)等功能。高動(dòng)態(tài)范圍場(chǎng)景、運(yùn)動(dòng)物體或 LED 閃爍等惡劣成像條件，會(huì)導(dǎo)致攝像頭難以準(zhǔn)確捕捉畫面。

2024-05-14

eHDR智能線性化技術(shù) 惡劣條件圖像傳感器