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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2
電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產(chǎn)品系列。
2025-02-21
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意法半導體為數(shù)據(jù)中心和AI集群帶來更高性能的云光互連技術(shù)
服務多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 推出了新一代專有硅光技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心和 AI 集群帶來性能更高的光互連解決方案。隨著 AI 計算需求的指數(shù)級增長，計算、內(nèi)存、電源以及這些資源的互連都面臨著性能和能效的挑戰(zhàn)。意法半導體新推出的硅光技術(shù)和新一代 BiCMOS 技術(shù)可以幫助云計算服務商和光模塊廠商克服這些挑戰(zhàn)。計劃從 2025 年下半年開始，800Gb/s 和 1.6Tb/s 光模塊將逐步提升產(chǎn)量。
2025-02-21
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第 4 代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應用的性能和耐久性
本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠谔蓟鑴?chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關(guān)應用的全面性能設定了基準。
2025-02-20
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可再生電力：道達爾能源將在15年內(nèi)為意法半導體法國供電1.5億千瓦時
道達爾能源公司 (TotalEnergies) 與服務多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 簽署了一份實體購電協(xié)議，為意法半導體位于法國的工廠供應可再生電力，這份為期十五年的合同于 2025 年 1 月生效，總購電量為 1.5 億千瓦時 (TWh)。
2025-02-18
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功率半導體驅(qū)動電源設計（一）綜述
工業(yè)應用中，功率半導體的驅(qū)動電源功率不大，設計看似簡單，但要設計出簡單低成本的電路并不容易。這就需要一個集成度高，外圍器件少，功率密度高的DCDC輔助電源方案，減小線路板面積，這對避免受干擾，提高可靠性也有幫助。這是開發(fā)EiceDRIVER? Power 2EP系列的背景。
2025-02-18
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設計高壓SIC的電池斷開開關(guān)
DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統(tǒng)，由單相或三相電網(wǎng)功率或儲能系統(tǒng)（ESS）提供動力，可以通過固態(tài)電路保護提高其可靠性和彈性。在設計高壓固態(tài)電池斷開連接開關(guān)時，需要考慮一些基本的設計決策。關(guān)鍵因素包括半導體技術(shù)，設備類型，熱包裝，設備堅固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選擇功率半導體技術(shù)的設計注意事項，并為高壓，高電流電池斷開開關(guān)定義了半導體包裝，以及表征系統(tǒng)寄生電感和過度流動保護限制的重要性。
2025-02-16
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如何測量PMIC的PSRR
PSRR是一個重要參數(shù)，可評估LDO在輸入電源中的變化中保持一致輸出電壓的能力。在輸入電源體驗波動的情況下，實現(xiàn)高PSRR至關(guān)重要，從而確保輸出電壓的可靠性。下圖1說明了測量PSRR的一般方法。
2025-02-16
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第15講：高壓SiC模塊封裝技術(shù)
SiC芯片可以高溫工作，與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫，其封裝技術(shù)相對傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進，本文帶你詳細了解內(nèi)部的封裝技術(shù)。
2025-02-14
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意法半導體與HighTec EDV-Systeme合作助力打造更安全的軟件定義汽車
服務多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 和 HighTec EDV-Systeme公司合作開發(fā)了一套先進的汽車功能安全整體解決方案，以加快安全關(guān)鍵的汽車系統(tǒng)開發(fā)，提高軟件定義汽車的安全性和經(jīng)濟性。
2025-02-14
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迎刃而解——華大九天Polas利器應對功率設計挑戰(zhàn)
電源管理集成電路（PMIC）設計涉及電源轉(zhuǎn)換、電壓調(diào)節(jié)、電流管理等核心領(lǐng)域。隨著技術(shù)節(jié)點的演進，功率器件面臨著更大的電壓差、更高的電流密度以及更為嚴苛的功率/熱耗散要求；金屬互聯(lián)層的電阻在整體導通電阻中的占比越來越大；異形大金屬圖層以及功率器件拆分方式對參數(shù)提取的準確性造成了影響；封裝對芯片內(nèi)電氣特性的影響亦愈發(fā)顯著。這些因素共同對功率設計在電遷移（EM）、熱性能（Thermal）和導通電阻（RDSon）等可靠性方面帶來了新的挑戰(zhàn)。此外，如何高效地驅(qū)動具有較大有效柵極寬度的PowerMOS，以及如何防止上下管開關(guān)切換過程中的穿通漏電現(xiàn)象，也成為功率設計領(lǐng)域的核心難題。
2025-02-13
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貿(mào)澤電子推出在線汽車資源中心助力工程師實現(xiàn)創(chuàng)新設計
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 推出內(nèi)容豐富的汽車資源中心，為工程師提供設計創(chuàng)新應用所需的工具。汽車行業(yè)正在經(jīng)歷一場由技術(shù)進步推動的快速轉(zhuǎn)型，SAE 3級ADAS是其中的一項重要技術(shù)。實現(xiàn)這一級別的車輛在未請求駕駛?cè)私庸艿那闆r下，可通過升級的激光雷達 (LiDAR)、雷達和攝像頭等傳感器實現(xiàn)完全自主駕駛。這種自主性不僅將重塑我們對交通的認知，更有望提升安全功能、減少交通擁堵，以及增強殘障人士出行的便利性。
2025-02-11
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意法半導體監(jiān)事會擬在2025 年度股東大會提名新監(jiān)事人選
服務多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，監(jiān)事會已同意在公司 2025 年度股東大會上提議股東批準Werner Lieberherr接任2025 年度股東大會結(jié)束時任期屆滿的Janet Davidson，擔任意法半導體監(jiān)事一職。
2025-02-08
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
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