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除了氮化鎵，快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域？
硅材料制作的功率器件，也被稱為第一代半導(dǎo)體，而砷化鎵（GaAs）等材料制作的功率器件，則被成為第二代半導(dǎo)體，第二代半導(dǎo)體在高頻性能上優(yōu)于硅器件，通常用于射頻應(yīng)用。
2022-10-13
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？
提到軟開關(guān)技術(shù)，大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關(guān)斷ZCS（Zero current switching），同時，尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中，絕大多數(shù)的采用軟開關(guān)拓?fù)涞碾娫串a(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學(xué)提到ZVS時想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。
2022-10-11
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紅外熱成像儀對放大器的芯片結(jié)溫的仿真測試
隨著 GaN 功率放大器向小型化、大功率發(fā)展，其熱耗不斷增加，散熱問題已成為制約功率器件性能提升的重要因素。金剛石熱導(dǎo)率高達(dá) 2000 Ｗ/(m?K)，是一種極具競爭力的新型散熱材料，可用作大功率器件的封裝載片。
2022-10-08
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延時校準(zhǔn)、脈沖測試一定要做的事兒！
進(jìn)行雙脈沖測試的主要目的是獲得功率半導(dǎo)體的開關(guān)特性，可以說它伴隨著功率器件從研發(fā)制造到應(yīng)用的整個生命周期。基于雙脈沖測試獲得的器件開關(guān)波形可以做很多事情，包括：通過對開關(guān)過程的分析驗(yàn)證器件設(shè)計(jì)方案并提出改進(jìn)方向、提取開關(guān)特征參數(shù)制作器件規(guī)格書、計(jì)算開關(guān)損耗和反向恢復(fù)損耗為電源熱設(shè)計(jì)提供數(shù)據(jù)支撐、不同廠商器件開關(guān)特性的對比等。
2022-09-20
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GaN HEMT 大信號模型
GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計(jì)者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8 W/mm、fT 高達(dá) 25 GHz 和低靜態(tài)電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數(shù)的非線性與信號電平、熱效應(yīng)和環(huán)境條件之間存在復(fù)雜的依賴關(guān)系。這些因素往往給準(zhǔn)確預(yù)測器件大信號性能造成更多困難。
2022-09-15
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汽車感性負(fù)載安全退磁能量計(jì)算和分析
隨著汽車電子技術(shù)的發(fā)展，輕量化與智能化的需求也帶動了英飛凌智能功率器件 (IPD)在車身負(fù)載驅(qū)動的大規(guī)模應(yīng)用。對于感量較大的負(fù)載，如雨刮、鼓風(fēng)機(jī)、風(fēng)扇、繼電器等，需要考慮負(fù)載關(guān)斷時產(chǎn)生的能量對系統(tǒng)的沖擊，同時驅(qū)動器件不能被該能量擊穿。本文提供了評估測量感性能量的方法和工具，在一個明確定義的應(yīng)用場景中，瞬間關(guān)斷時的產(chǎn)生的箝位能量（ECL），與高壓側(cè)器件本身的能量能力進(jìn)行對比，保證IPD器件長期可靠工作。
2022-08-03
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GaN是否具有可靠性？或者說我們能否如此提問？
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問世，電源設(shè)計(jì)人員對硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。
2022-07-29
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25kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第八部分完結(jié)篇)：熱管理
在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。在這一章，我們來看看其中的熱管理部分是如何提高效率和可靠性，同時防止系統(tǒng)過早失效的。
2022-07-11
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25kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第七部分)：800V EV充電系統(tǒng)的輔助電源
在本系列的前幾篇文章中[1-6]，我們介紹了基于安森美(onsemi)的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25kW EV快充系統(tǒng)，包括這個可擴(kuò)展系統(tǒng)的整體架構(gòu)和規(guī)格，以及其中PFC和DC-DC變換部分的硬件設(shè)計(jì)和控制策略。我們基本已經(jīng)把電路設(shè)計(jì)部分講完了，除了輔助電源設(shè)計(jì)的相關(guān)內(nèi)容。
2022-07-07
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英飛凌絕緣體上硅(SOI)高壓驅(qū)動芯片的三個優(yōu)勢
現(xiàn)在的高功率變頻器和驅(qū)動器承載更大的負(fù)載電流。如下圖1 所示：由于功率回路里的寄生電感（主要由功率器件的封裝引線和PCB的走線產(chǎn)生的），電路中VS腳的電壓會從高壓母線電壓（S1通S2關(guān)時）變化到低于地的負(fù)壓（S1關(guān)閉時）。圖一右邊波形中的紅色部分就是VS腳在半橋感性負(fù)載電路中產(chǎn)生的瞬態(tài)負(fù)電壓。
2022-06-28
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功率半導(dǎo)體冷知識：功率器件的功率密度
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。我們一路追求單位芯片面積的輸出電流能力，實(shí)現(xiàn)方法是：
2022-06-13
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集成容性隔離助力高密度適配器設(shè)計(jì)
快充需求推動了高密度適配器的蓬勃發(fā)展。在實(shí)際的適配器設(shè)計(jì)中，花樣繁多的新型開關(guān)功率器件、拓?fù)浜涂刂品桨覆挥?jì)其數(shù)。
2022-05-16
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級
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