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德州儀器 KeyStone II 架構(gòu)助力多內(nèi)核技術(shù)發(fā)展
日前，德州儀器 (TI) 宣布對(duì)其曾獲獎(jiǎng)的 KeyStone 多內(nèi)核架構(gòu)進(jìn)行重要升級(jí)，從而為集信號(hào)處理、網(wǎng)絡(luò)、安全和控制功能于一體的高性能 28nm 器件進(jìn)入嶄新發(fā)展時(shí)代鋪平了道路。TI 可擴(kuò)展 KeyStone II 架構(gòu)支持 TMS320C66x 數(shù)字信號(hào)處理器 (DSP) 系列內(nèi)核以及多高速緩存同步的四通道 ARM Cortex?-A15 集群，包含多達(dá) 32 個(gè) DSP 和 RISC 內(nèi)核，可需要高性能和低功耗應(yīng)用領(lǐng)域的理想選擇。基于 KeyStone 架構(gòu)的器件專(zhuān)為通信基礎(chǔ)設(shè)施、任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用、測(cè)試與自動(dòng)化、醫(yī)療影像以及高性能云計(jì)算等高性能市場(chǎng)而精心優(yōu)化。
2012-03-02
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筆記本電腦用LED背光組件的設(shè)計(jì)
本文介紹了筆記本電腦用LED 背光組件的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，分別從光學(xué)、電路、結(jié)構(gòu)角度闡述了開(kāi)發(fā)的過(guò)程。光學(xué)方面，采用STAMPER 技術(shù)，一體成型射出導(dǎo)光板，減少印刷環(huán)節(jié)，無(wú)印刷污染；電路方面，根據(jù)LED 的規(guī)格及顆數(shù)設(shè)計(jì)LED 發(fā)光條，驅(qū)動(dòng)整個(gè)背光源；結(jié)構(gòu)方面，采用無(wú)背板的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，達(dá)到超薄效果。
2012-03-01
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多屏拼接等離子顯示系統(tǒng)的專(zhuān)用電源設(shè)計(jì)
本文設(shè)計(jì)了一個(gè)用于多屏拼接等離子顯示系統(tǒng)的專(zhuān)用電源。該電源采用兩級(jí)變換，前級(jí)AC/DC變換采用Boost型有源功率因數(shù)校正電路，后級(jí)變換器對(duì)于不同的回路根據(jù)功率的大小分別采用全橋變換器和單端反激變換器。
2012-03-01
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WSMS2906：Vishay推出阻值極低的儀表分流電阻
日前，Vishay（威世）宣布，發(fā)布采用2906尺寸封裝的新款Power Metal Strip儀表分流電阻--- WSMS2906，該電阻具有3W的功率和最低300μΩ的極低阻值。
2012-02-29
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TI宣布其MCU可支持 ARM? 的最新 Cortex CMSIS
日前，德州儀器 (TI) 宣布其基于 Stellaris? Cortex?-M4F 內(nèi)核的微控制器 (MCU) 現(xiàn)在可以支持 ARM? 的最新 Cortex 微控制器軟件接口標(biāo)準(zhǔn) (CMSIS)。除了 TI 的 StellarisWare? 軟件套件之外，通過(guò)簡(jiǎn)化浮點(diǎn)、單指令多數(shù)據(jù) (SIMD) 和數(shù)字信號(hào)處理 (DSP) 運(yùn)算的可實(shí)現(xiàn)方案，ARM 的 CMSIS 庫(kù)也將幫助開(kāi)發(fā)人員實(shí)現(xiàn) Stellaris LM4F 微控制器業(yè)界領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)。
2012-02-28
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A3G4250D：ST推出用于車(chē)載電子產(chǎn)品的3軸角速度傳感器IC
意法半導(dǎo)體推出了用于車(chē)載電子產(chǎn)品的3軸角速度（陀螺儀）傳感器IC“A3G4250D”。新產(chǎn)品符合車(chē)載部件質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)“AEC-Q100”。據(jù)該公司介紹，“此次是業(yè)界首次實(shí)現(xiàn)車(chē)載產(chǎn)品用3軸角速度傳感器IC的產(chǎn)品化”。具體用途方面，該公司列舉了車(chē)載導(dǎo)航儀裝置、車(chē)載信息服務(wù)設(shè)備及電子不停車(chē)收費(fèi)系統(tǒng)等。
2012-02-24
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背光和照明市場(chǎng)需求增加緩減2012年LED供應(yīng)過(guò)剩
據(jù)DisplaySearch —過(guò)去一段時(shí)間由于LED背光液晶電視銷(xiāo)售減弱且LED照明成長(zhǎng)緩慢，2011年LED出現(xiàn)了供大于求的局面，供需落差達(dá)30%。2012年，隨著背光和照明的市場(chǎng)需求回暖，過(guò)度供應(yīng)問(wèn)題將得到有效緩解。根據(jù)NPD DisplaySearch季度LED供需市場(chǎng)預(yù)測(cè)報(bào)告Quarterly LED Supply/Demand Market Forecast Report指出，第一季度供需過(guò)剩比為19%，第二季度將進(jìn)一步下降至16%。
2012-02-23
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Vishay 擴(kuò)充用于功率電子的重載電容器
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴(kuò)充其用于功率電子的重載Vishay ESTA HDMKP電容器，增添新容值和新封裝形式。
2012-02-22
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STGIPN3H60/A：ST推出小尺寸低干擾SLLIMM微型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體，擴(kuò)大SLLIMM(低損耗智能微型模壓模塊)產(chǎn)品系列，推出兩款新的能夠提高家電能效等級(jí)的微型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊——STGIPN3H60和STGIPN3H60A。
2012-02-21
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基于EXB841的IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路設(shè)計(jì)
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開(kāi)關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點(diǎn)，近年來(lái)在各種電能變換裝置中得到了廣泛應(yīng)用。但是，IGBT的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路影響IGBT的通態(tài)壓降、開(kāi)關(guān)時(shí)間、快開(kāi)關(guān)損耗、承受短路電流能力及du/dt等參數(shù)，并決定了IGBT靜態(tài)與動(dòng)態(tài)特性。因此設(shè)計(jì)高性能的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路是安全使用IGBT的關(guān)鍵技術(shù)。
2012-02-21
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新穎的Buck-Boost型正弦交流穩(wěn)壓器
由于我國(guó)交流電網(wǎng)的電壓波動(dòng)較大，特別是邊遠(yuǎn)農(nóng)村地區(qū)，交流穩(wěn)壓電源已成為許多電子設(shè)備不可缺少的供電裝置[1]。按照工作原理，交流穩(wěn)壓電源可分為參數(shù)調(diào)整（諧振）型[2]、自耦（變比）調(diào)整型[3]、大功率補(bǔ)償型[4、5]和開(kāi)關(guān)型[6、7]等四種類(lèi)型，其典型電路如圖1所示?！?/p>
2012-02-20
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2015年低價(jià)安卓智能機(jī)出貨3.4億支
In-Stat預(yù)估，2015年非洲、印度與中國(guó)大陸三地的智能機(jī)市場(chǎng)當(dāng)中，低價(jià)安卓手機(jī)的滲透率將可達(dá)80%。全球低價(jià)安卓智能機(jī)出貨量在2015年預(yù)估將逼近3.4億支。
2012-02-20
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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