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Linear推出同步降壓型穩(wěn)壓器LTC3634應(yīng)用于DDR存儲(chǔ)器供電
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、雙通道單片同步降壓型穩(wěn)壓器LTC3634，該器件為DDR1、DDR2和DDR3 SDRAM控制器提供電源和總線終端軌。
2011-07-05
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2011下半年NB市場(chǎng)將遭遇平板電腦正面沖突
根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 調(diào)查，受到終端需求不振以及日本地震后對(duì)筆記本電腦(NB)供應(yīng)鏈產(chǎn)生的影響，第二季代工廠出貨不確定因素增加，盡管需求可能遞延至下半年，但下半年將與平板電腦的放量效應(yīng)正面沖突，預(yù)算排擠效應(yīng)將對(duì)NB成長(zhǎng)有所壓抑。
2011-04-13
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日本地震影響電子元件供應(yīng)與價(jià)格
日本地震與海嘯可能導(dǎo)致某些電子元件嚴(yán)重短缺，進(jìn)而推動(dòng)這些元件的價(jià)格大幅上漲。雖然目前幾乎沒(méi)有關(guān)于電子工廠實(shí)際損失的報(bào)道，但運(yùn)輸與電力設(shè)施受到破壞將導(dǎo)致供應(yīng)中斷，造成元件供應(yīng)短缺和價(jià)格上漲。受到影響的元件將包括NAND閃存、DRAM、微控制器、標(biāo)準(zhǔn)邏輯、液晶顯示器(LCD)面板、LCD元件和材料。
2011-03-18
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F-RAM會(huì)帶來(lái)RFID標(biāo)簽的革命嗎？
目前市場(chǎng)上的存儲(chǔ)器種類非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲(chǔ)器等。世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron的MaxArias?系列無(wú)線存儲(chǔ)器將非易失性F-RAM存儲(chǔ)器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無(wú)線存取功能相結(jié)合，使創(chuàng)新型的數(shù)據(jù)采集能力應(yīng)用更廣泛的領(lǐng)域。
2011-03-01
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iSuppli預(yù)計(jì)今年平板電腦出貨量將達(dá)5760萬(wàn)臺(tái)
市場(chǎng)研究公司iSuppli預(yù)計(jì)，平板電腦DRAM內(nèi)存的出貨量今年將從去年的3780萬(wàn)GB增長(zhǎng)至3.53億GB。這一數(shù)字將在2012年達(dá)到 10億GB，2014年達(dá)到35億GB。
2011-02-08
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2010年整體平板電腦的出貨量預(yù)估為1500萬(wàn)臺(tái)
根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAM eX change的調(diào)查，由于iPad帶動(dòng)平板電腦的風(fēng)潮，許多PC廠商與手機(jī)廠商在下半年加速在平板電腦的開發(fā)與上市計(jì)畫。為了與iPad競(jìng)爭(zhēng)，其他廠商的平板電腦設(shè)計(jì)強(qiáng)調(diào)更強(qiáng)大的處理器效能、更大的儲(chǔ)存空間與開放性的軟硬體支援(例如提供 USB埠與支援Flash播放等功能)，企圖結(jié)合GoogleAndroid來(lái)走出另外一條路。
2010-12-31
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VLSI提高半導(dǎo)體預(yù)測(cè) 但CEO們?nèi)允侵?jǐn)慎的樂(lè)觀
VLSI提高IC預(yù)測(cè)，但是該公司看到雖然很多產(chǎn)品供不應(yīng)求，但是有一種可能DRAM市場(chǎng)再次下跌。
2010-08-05
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通孔刻蝕工藝的檢測(cè)技術(shù)研究
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)推進(jìn)到更加先進(jìn)的深亞微米技術(shù)，半導(dǎo)體金屬布線的層數(shù)越來(lái)越多，相應(yīng)的通孔刻蝕工藝也越多，并且伴隨著通孔的尺寸隨著器件設(shè)計(jì)尺寸逐步縮小。以DRAM制造為例，存儲(chǔ)量由4M發(fā)展到512M時(shí)，設(shè)計(jì)規(guī)則由1μm縮小到0.16μm，其中通孔的尺寸也從0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小，刻蝕的難度也越來(lái)越大，如果刻蝕不到位，就可能出現(xiàn)金屬布線間的開路，直接導(dǎo)致器件失效。那么蝕刻后的監(jiān)測(cè)就變的至關(guān)重要，本文簡(jiǎn)介通孔刻蝕工藝的檢測(cè)技術(shù)研究，并對(duì)比了不同檢測(cè)設(shè)備的檢測(cè)結(jié)果
2010-06-22
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2010年半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將勁揚(yáng)113.2%
Gartner副總裁Klaus Rinnen表示：技術(shù)升級(jí)，將帶動(dòng) 2010年半導(dǎo)體資本設(shè)備市場(chǎng)的成長(zhǎng)。對(duì)40奈米和45奈米設(shè)備的需求大幅增加，帶動(dòng)晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對(duì)3x奈米的投資，NAND 記憶體制造商支出增加，以及升級(jí)至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體，皆為主要的投資成長(zhǎng)動(dòng)能。
2010-06-21
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DRAM產(chǎn)業(yè)回升，以勝利姿態(tài)揮別2009
據(jù)iSuppli公司，2009年DRAM市場(chǎng)搖擺不定，從一個(gè)極端到另一個(gè)極端，但第四季度克服了年初時(shí)的疲弱局面，高調(diào)結(jié)束全年，自2007年以來(lái)首次實(shí)現(xiàn)盈利。
2010-05-05
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移動(dòng)存儲(chǔ)整合突顯移動(dòng)平臺(tái)越來(lái)越重要
據(jù)iSuppli公司，最近DRAM供應(yīng)商爾必達(dá)和美光的收購(gòu)行動(dòng)，突顯供應(yīng)商越來(lái)越重視打造完整的內(nèi)存產(chǎn)品組合，以面向快速增長(zhǎng)的智能手機(jī)市場(chǎng)。
2010-03-26
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DDR測(cè)試系列之三—— 某SDRAM時(shí)鐘分析案例
SDRAM時(shí)鐘分析案例:串聯(lián)匹配是較好的SDRAM的時(shí)鐘端接策略，在原理圖設(shè)計(jì)中，需要加上串聯(lián)的電阻和并聯(lián)的電容，如果MCU輸出的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)能力弱，可以不使用并聯(lián)的電容或者換用較小的電阻。準(zhǔn)確的測(cè)量?jī)?nèi)存時(shí)鐘需要足夠帶寬的示波器和探頭，無(wú)源探頭在高頻時(shí)阻抗太小，不能準(zhǔn)確的測(cè)量波形，需要使用高帶寬的有源探頭。
2009-12-18
- 強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手！貿(mào)澤電子攜手ATI，為自動(dòng)化產(chǎn)線注入核心部件
- 瞄準(zhǔn)精準(zhǔn)醫(yī)療，Nordic新型芯片讓可穿戴醫(yī)療設(shè)備設(shè)計(jì)更自由
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