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使用控制器保護(hù)您的高邊開關(guān)
在本設(shè)計(jì)解決方案中，我們回顧了在工廠環(huán)境中運(yùn)行的執(zhí)行器中使用的高邊開關(guān)電路的一些具有挑戰(zhàn)性的工作條件和常見故障機(jī)制。我們提出了一種控制器IC，該IC集成了各種安全功能，以監(jiān)控電路運(yùn)行，并在發(fā)生這些情況時(shí)采取適當(dāng)措施防止損壞。
2022-12-21
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貿(mào)澤電子聯(lián)手Analog Devices推出新電子書，探索電源管理領(lǐng)域的創(chuàng)新
2022年12月20日 – 貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices聯(lián)手推出一本新電子書，探索近期的電源管理創(chuàng)新技術(shù)，以及如何將這些技術(shù)應(yīng)用于各種產(chǎn)品中。這本名為《Power Management for All of Tomorrow’s Innovations》（面向所有未來創(chuàng)新的電源管理）的電子書探討了面向尖端應(yīng)用的新技術(shù)發(fā)展，這些應(yīng)用包括電動(dòng)汽車、資產(chǎn)追蹤、可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備。
2022-12-20
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宇宙輻射對OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評估
汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進(jìn)，車載充電器（OBC）與DCDC轉(zhuǎn)換器（HV-LV DCDC）的應(yīng)用因此也迅猛發(fā)展，同應(yīng)對大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣，設(shè)計(jì)人員把目光投向先進(jìn)技術(shù)，以期利用現(xiàn)代超結(jié)硅（Super Junction Si）技術(shù)以及碳化硅（SiC）技術(shù)來提供解決方案。在追求性能的同時(shí)，對于車載產(chǎn)品來說，可靠性也是一個(gè)重要的話題。
2022-12-20
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簡述碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用
電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用，包括電動(dòng)汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深層石油開采系統(tǒng)、飛機(jī)系統(tǒng)等領(lǐng)域的進(jìn)步。
2022-12-19
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碳化硅器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)之寄生導(dǎo)通問題探討
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。
2022-12-16
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通過轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問題
高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在有機(jī)會在提高性能的同時(shí)，應(yīng)對所有其他挑戰(zhàn)。
2022-12-16
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分析自動(dòng)化第三季度市場數(shù)據(jù)，看IC與方案需求
今年第三季度，電池和光伏制造業(yè)訂單增長最好，印刷、制藥、暖通空調(diào)、食品機(jī)械和電梯持平，其它行業(yè)都有降低。相關(guān)應(yīng)用的MCU，DPS，MOSFET，IGBT和電源管理IC需求受終端設(shè)備制造商影響有變化，PLC和工控機(jī)用HMI方案和網(wǎng)關(guān)也有市場需求起伏。其中伺服、CNC增長率為負(fù)，低壓變頻器、大中小型PLC、HMI均有一定程度的正增長，其中PLC整體表現(xiàn)相對亮眼，達(dá)到兩位數(shù)以上的增長率。
2022-12-16
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使用 SiC JFET 接近完美開關(guān)
碳化硅 (SiC) JFET堅(jiān)固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受額定值，而且值得注意的是，它們在每單位芯片面積的 FOM 導(dǎo)通電阻R DS(on) × A方面擊敗了所有其他技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了價(jià)值接近材料的理論極限（圖 1）。這個(gè)品質(zhì)因數(shù)直接關(guān)系到開關(guān)的實(shí)際性能及其經(jīng)濟(jì)性，與競爭技術(shù)相比，每個(gè)晶圓的芯片數(shù)量更多，性能相當(dāng)。
2022-12-16
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Vicor攜手貿(mào)澤推出以48V設(shè)計(jì)為主題的全新資源網(wǎng)站
2022年12月14日 – 專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Vicor聯(lián)手推出一個(gè)全新的資源網(wǎng)站，提供各種面向48V產(chǎn)品和電源設(shè)計(jì)的資源。該網(wǎng)站包含一系列深入詳細(xì)的文章、視頻和信息圖，為設(shè)計(jì)人員和制造商提供了全面的資源，助其開發(fā)采用48V較高壓配電系統(tǒng)的新型電源。
2022-12-14
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數(shù)字電容器 IC 如何簡化天線調(diào)諧？
天線調(diào)諧要求的源阻抗和負(fù)載阻抗共軛匹配，從無線技術(shù)誕生開始一直延續(xù)至今，而今已經(jīng)演變成一種新的、更具挑戰(zhàn)性的形式。
2022-12-14
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安森美智能電源產(chǎn)品斬獲中國“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”多項(xiàng)殊榮
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，宣布其創(chuàng)新的智能電源產(chǎn)品在“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”評選中榮獲多項(xiàng)獎(jiǎng)項(xiàng)。其中，APM32系列汽車碳化硅功率模塊獲“2022 Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”，汽車主驅(qū)碳化硅功率模塊VE-Trac? Direct SiC獲“最佳應(yīng)用獎(jiǎng)”，高功率圖騰柱PFC控制器NCP1681獲“綠色節(jié)能獎(jiǎng)”。“Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”由21IC中國電子網(wǎng)主辦，備受行業(yè)認(rèn)可，獲得該殊榮的產(chǎn)品代表其在本年度具有極高的產(chǎn)品力和技術(shù)創(chuàng)新能力。
2022-12-13
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SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。
2022-12-13
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級
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