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ADI和Seeing Machines攜手推進(jìn)先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)，加速提升駕駛安全
中國，北京—2023年1月4日—Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)（全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司）和Seeing Machines (LSE:SEE)（先進(jìn)的計算機(jī)視覺技術(shù)公司，擅長設(shè)計基于AI的駕駛員監(jiān)測系統(tǒng)，以提高行駛安全性）宣布達(dá)成合作，共同支持高性能駕駛員和乘客監(jiān)測系統(tǒng)(DMS/OMS)技術(shù)的研發(fā)。
2023-01-04
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Si對比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實現(xiàn)更高的效率水平，但有時難以輕易決定這項技術(shù)是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標(biāo)準(zhǔn)因素。
2023-01-04
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淺談“電壓處理”：一個鋁電解電容選型應(yīng)用必須了解的知識點(diǎn)
我們可能會發(fā)現(xiàn)在Nichicon的UVZ系列鋁電解電容的數(shù)據(jù)手冊中會出現(xiàn)“電壓處理”（Voltage Treatment）這個概念。
2023-01-04
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2022中國（深圳）集成電路峰會圓滿落下帷幕
“2022中國（深圳）集成電路峰會”(簡稱ICS2022峰會)于12月29日和30日成功舉辦高峰論壇和全球存儲器行業(yè)創(chuàng)新論壇二個主論壇，以及六場專題論壇，包括集成電路設(shè)計創(chuàng)新論壇、芯火平臺產(chǎn)教融合創(chuàng)新發(fā)展論壇、半導(dǎo)體供應(yīng)鏈發(fā)展論壇、集成電路產(chǎn)業(yè)融合論壇、珞珈聚芯協(xié)同創(chuàng)新論壇和國微 EDA 生態(tài)建設(shè)論壇。專業(yè)觀眾與行業(yè)專家和行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)可廣泛討論了技術(shù)、產(chǎn)品、市場、投資、產(chǎn)學(xué)研商合作、國際環(huán)境對策、人才戰(zhàn)略和務(wù)實的技術(shù)創(chuàng)新路線。
2023-01-01
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RS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在光伏逆變器的應(yīng)用
碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許 SiC器件在高于硅的結(jié)溫下使用，甚至超過 200°C。碳化硅在功率應(yīng)用中的主要優(yōu)勢是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。
2022-12-30
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2022中國（深圳）集成電路峰會在深圳坪山隆重召開
由深圳市人民政府、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組主辦，深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會社會承辦的以“創(chuàng)新強(qiáng)鏈，雙驅(qū)發(fā)展”為主題的“2022中國（深圳）集成電路峰會”（以下簡稱：ICS2022峰會），于2022年12月29日在深圳坪山格蘭云天國際酒店隆重召開。ICS2022峰會集中展示了我國集成電路產(chǎn)業(yè)最新的技術(shù)成果，聚集了眾多國內(nèi)外專家學(xué)者、技術(shù)大咖和企業(yè)領(lǐng)袖，圍繞集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)與安全機(jī)制建設(shè)、國際局勢分析與協(xié)同發(fā)展、技術(shù)演進(jìn)趨勢與熱點(diǎn)應(yīng)用、資本整合與運(yùn)作模式創(chuàng)新、芯片與整機(jī)產(chǎn)業(yè)聯(lián)動等方向，共同探討新形勢下集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的機(jī)遇。
2022-12-29
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“創(chuàng)新強(qiáng)鏈，雙驅(qū)發(fā)展”2022中國（深圳）集成電路峰會在深圳坪山第二天論壇熱烈進(jìn)行中（上）
由深圳市人民政府、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組主辦，深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會社會承辦的以“創(chuàng)芯、 強(qiáng)鏈，雙驅(qū)發(fā)展”為主題的“2022中國（深圳）集成電路峰會”（以下簡稱：ICS2022峰會），于2022年12月30日在深圳坪山格蘭云天國際酒店繼續(xù)第二天多場行業(yè)論壇。ICS2022峰會集中展示了我國集成電路產(chǎn)業(yè)最新的技術(shù)成果，聚集了眾多國內(nèi)外專家學(xué)者、技術(shù)大咖和企業(yè)領(lǐng)袖，圍繞集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)與安全機(jī)制建設(shè)、國際局勢分析與協(xié)同發(fā)展、技術(shù)演進(jìn)趨勢與
2022-12-29
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“創(chuàng)新強(qiáng)鏈，雙驅(qū)發(fā)展”2022中國（深圳）集成電路峰會在深圳坪山第二天論壇熱烈進(jìn)行中（下）
?由深圳市人民政府、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組主辦，深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會社會承辦的以“創(chuàng)芯強(qiáng)鏈，雙驅(qū)發(fā)展”為主題的“2022中國（深圳）集成電路峰會”（以下簡稱：ICS2022峰會），于2022年12月30日在深圳坪山格蘭云天國際酒店繼續(xù)第二天多場行業(yè)論壇。ICS2022峰會集中展示了我國集成電路產(chǎn)業(yè)最新的技術(shù)成果，聚集了眾多國內(nèi)外專家學(xué)者、技術(shù)大咖和企業(yè)領(lǐng)袖，圍繞集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)與安全機(jī)制建設(shè)、國際局勢分析與協(xié)同發(fā)展、技術(shù)演進(jìn)趨勢與熱點(diǎn)
2022-12-29
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2022 中國（深圳）集成電路峰會隆重召開
【深圳坪山格蘭云天大酒店，2022年12月29日，深圳市半導(dǎo)體協(xié)會】由深圳市人民政府聯(lián)合中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組共同舉辦的以“創(chuàng)新強(qiáng)鏈，雙驅(qū)發(fā)展”為主題的“2022 中國（深圳）集成電路峰會”（以下簡稱：ICS2022 峰會），于2022年12月29日至30日，在深圳坪山格蘭云天國際酒店隆重舉行。本屆峰會聚集了國內(nèi)外著名院士、專家學(xué)者、政府官員、技術(shù)大咖和企業(yè)領(lǐng)袖，圍繞集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)與安全機(jī)制建設(shè)、國際局勢分析與協(xié)同發(fā)展、技術(shù)演進(jìn)趨勢與熱點(diǎn)應(yīng)用、資本整合與運(yùn)作模式創(chuàng)新、芯片與整機(jī)產(chǎn)業(yè)聯(lián)動等方向，共同探討新形勢下的產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇，助推我國創(chuàng)新發(fā)展優(yōu)勢，加快科技強(qiáng)國建設(shè)。
2022-12-29
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ICS 2022峰會直通車丨“線上線下”相結(jié)合，高效務(wù)實開峰會
?為減少人員聚集，降低疫情傳播風(fēng)險 ，2022年中國（深圳）集成電路峰會（以下簡稱：ICS 2022峰會）將以“線上會議+線下會議”方式舉行。由深圳市人民政府聯(lián)合中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組擬定以“創(chuàng)新強(qiáng)鏈，雙驅(qū)發(fā)展”為主題，于2022年12月29日-30日在深圳坪山格蘭云天國際酒店隆重舉辦（憑綠碼即可參會）。
2022-12-28
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雙柵結(jié)構(gòu) SiC FETs 在電路保護(hù)中的應(yīng)用
據(jù)介紹，Qorvo 是一家專注于射頻領(lǐng)域，在包括 5G、WiFi 和 UWB 等通信技術(shù)都有投入的公司。此外，Qorvo 在觸控和電源等方面也有布局。如在 2021 年領(lǐng)先碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 UnitedSiC 公司的收購，就擴(kuò)展 Qorvo 在高功率應(yīng)用方面的市場機(jī)會，這部分業(yè)務(wù)也被納入了 Qorvo 的 IDP 部門。
2022-12-28
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淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)
功率半導(dǎo)體作為電力電子行業(yè)的驅(qū)動力之一，在過去幾十年里硅(Si)基半導(dǎo)體器件以其不斷優(yōu)化的技術(shù)和成本優(yōu)勢主導(dǎo)了整個電力電子行業(yè)，但它也正在接近其理論極限，難以滿足系統(tǒng)對高效率、高功率密度的需求。而當(dāng)下碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體以其優(yōu)異的電學(xué)和熱學(xué)特性使得功率半導(dǎo)體器件的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過傳統(tǒng)硅材料的限制。
2022-12-26
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
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