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軍工/航天電子應(yīng)用對(duì)鉭電容的挑戰(zhàn)
——Vishay電容器部門(mén)高級(jí)產(chǎn)品市場(chǎng)總監(jiān)Mosier, Michael L.專訪鉭電容因?yàn)榭煽啃愿?、壽命長(zhǎng)、高容量的特點(diǎn)，在軍工/航天電子系統(tǒng)里有大量應(yīng)用，同時(shí)鉭電容的小型化也滿足了系統(tǒng)小型化的要求。Vishay是鉭電容的主要供應(yīng)商之一，本屆西部電子論壇上，來(lái)自Vishay的鉭電容專家Mosier, Michael L.和黃勇將發(fā)表《高可靠性鉭電容器在軍工/航天市場(chǎng)的應(yīng)用》的主題演講。
2009-08-21
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Vishay高性能精密無(wú)磁薄膜電阻
日前，Vishay宣布，推出新款PNM系列精密無(wú)磁薄膜電阻。在-55℃～+125℃的寬溫范圍內(nèi)，這些器件具有低至±25ppm/℃的標(biāo)準(zhǔn)TCR，經(jīng)過(guò)激光微調(diào)后的容差只有±0.1%。
2009-08-20
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SMNH：Vishay新款超高精度Bulk Metal箔四電阻網(wǎng)絡(luò)
日前，Vishay宣布，推出具有優(yōu)異的負(fù)載壽命、負(fù)載壽命比和貯存壽命穩(wěn)定性特性的超高精度Bulk Metal箔四電阻網(wǎng)絡(luò) -- SMNH電阻網(wǎng)絡(luò)。
2009-08-20
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SiB4xxDK：Vishay采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET
日前，Vishay 宣布，推出采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴(kuò)大了N溝道TrenchFET家族的陣容。今天發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的20V MOSFET。
2009-08-18
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Si4628DY ：Vishay新款低導(dǎo)通電阻單片MOSFET和肖特基SkyFET產(chǎn)品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出使用該公司最新TrenchFET技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過(guò)第三代TrenchFET硅技術(shù)，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類(lèi)產(chǎn)品中前所未有的最低導(dǎo)通電阻，在10V和4.5V柵極驅(qū)動(dòng)電壓下的最大RDS(on)只有3mΩ和3.8mΩ。
2009-08-14
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PLT系列：Vishay穩(wěn)定性極高的TCR薄膜電阻
日前，Vishay 宣布，推出新的PLT系列TCR薄膜電阻。在-55℃～+125℃的溫度范圍內(nèi)，新器件的標(biāo)準(zhǔn)TCR為±5ppm/℃，容差低至±0.02%。
2009-08-11
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MUH1Px：Vishay新系列小尺寸表面貼裝1A整流器具有超快反向恢復(fù)時(shí)間
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布推出新系列小尺寸、表面貼裝的1A整流器 --- MUH1Px。整流器的電壓范圍為100V～200V，25ns的超快反向恢復(fù)時(shí)間可滿足高頻應(yīng)用的要求。
2009-08-10
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TCxT1300X01：Vishay可靠性最高的光電傳感器
日前，Vishay宣布推出通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的TCPT1300X01和TCUT1300X01表面貼裝透射式(斷續(xù)式)光電傳感器，可用于汽車(chē)市場(chǎng)。今天推出的傳感器是業(yè)內(nèi)首款達(dá)到+145℃的結(jié)溫等級(jí)、-40℃～+125℃的工作溫度范圍和潮濕敏感度等級(jí)1(MSL1)的器件。
2009-08-07
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MSE1Px：Vishay具有高達(dá)25kV的ESD小尺寸整流器
日前，Vishay宣布，推出ESD保護(hù)高達(dá)25kV的系列低尺寸表面貼裝整流器 --- MSE1Px。
2009-08-06
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Vishay推出三款采用不同封裝的的500V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新型500V電壓的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，將該公司的6.2代N溝道平面FET技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封裝上。
2009-08-03
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SiR494DP：Vishay新款第三代12V功率MOSFET
日前，Vishay 宣布推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的電壓降至12V，同時(shí)該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當(dāng)中最低的。
2009-07-31
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Vishay新款Power Metal Strip電池分流電阻
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款Power Metal Strip?電池分流電阻 --- WSBS8518，新電阻在8518尺寸封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)了36W功率和低至100μΩ的極低阻值。
2009-07-27
- 破局室內(nèi)信號(hào)難題！移遠(yuǎn)通信5G透明吸頂天線實(shí)現(xiàn)360°無(wú)死角覆蓋
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