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厚翼科技START方案適用于高階通訊開發(fā)應(yīng)用
全球行動(dòng)通訊的發(fā)展期望建設(shè)無(wú)縫連結(jié)的環(huán)境，讓民眾在智能網(wǎng)絡(luò)通訊環(huán)境和萬(wàn)物相連，各家通訊芯片商也紛紛積極的發(fā)展與布局。歐美知名4G LTE芯片供貨商，采用厚翼科技(HOY Technologies)START(SRAM Built-in Testing And Repairing Technology)解決方案在高階LTE芯片產(chǎn)品中。由于高階LTE芯片其傳輸帶寬較高，相對(duì)處理的資料量也較大，內(nèi)存的使用量也越來越多，因此，如何確保傳輸數(shù)據(jù)的正確性與否，成為芯片實(shí)作的非常重要的一環(huán)。
2018-10-18
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新曄集團(tuán)攜手歐司朗開啟LED舞臺(tái)照明新視界
目前，各大LED企業(yè)加速布局LED舞臺(tái)照明領(lǐng)域，以搶占市場(chǎng)先機(jī)。除了中小LED照明企業(yè)之外，OSRAM、億光等照明巨頭也紛紛布局，啟動(dòng)差異化競(jìng)爭(zhēng)。
2018-08-07
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讓超頻性能倍增的新型DRAM存取技術(shù)
毫無(wú)疑問，微處理器的頻率可以通過許多方式大幅增加，但卻受限于主存儲(chǔ)器的性能而必須降低其頻率來維持計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。本文作者通過對(duì)靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究，提出一種新的存取技術(shù)，可望提升動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)單元的訪問速度。
2018-01-04
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基于 QDR-IV SRAM 實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)流量管理統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器 IP設(shè)計(jì)
網(wǎng)絡(luò)路由器帶有用于性能監(jiān)控、流量管理、網(wǎng)絡(luò)追蹤和網(wǎng)絡(luò)安全的統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器。計(jì)數(shù)器用來記錄數(shù)據(jù)包到達(dá)和離開的次數(shù)以及特定事件的次數(shù)，比如當(dāng)網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)壞包時(shí)。數(shù)據(jù)包的到達(dá)會(huì)使多個(gè)不同的統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器發(fā)生更新；但一臺(tái)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器的數(shù)量及其更新速度常常受到存儲(chǔ)技術(shù)的限制。
2017-09-28
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基于QDR-IV SRAM實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)流量管理統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器IP設(shè)計(jì)
網(wǎng)絡(luò)路由器帶有用于性能監(jiān)控、流量管理、網(wǎng)絡(luò)追蹤和網(wǎng)絡(luò)安全的統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器。計(jì)數(shù)器用來記錄數(shù)據(jù)包到達(dá)和離開的次數(shù)以及特定事件的次數(shù)，比如當(dāng)網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)壞包時(shí)。數(shù)據(jù)包的到達(dá)會(huì)使多個(gè)不同的統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器發(fā)生更新，但一臺(tái)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器的數(shù)量及其更新速度常常受到存儲(chǔ)技術(shù)的限制。
2017-09-08
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淺談ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。
2017-07-26
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串行和并行接口SRAM對(duì)比，誰(shuí)才是未來的主力軍？
外置SRAM通常配有一個(gè)并行接口。考慮到大多數(shù)基于SRAM的應(yīng)用的存儲(chǔ)器要求，選擇并行接口并不令人驚訝。對(duì)于已經(jīng)（和仍在）使用SRAM的高性能（主要是緩存）應(yīng)用而言，與串行接口相比，并行接口擁有明顯優(yōu)勢(shì)。但這種情況似乎即將改變。
2016-02-14
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對(duì)比串行與并行接口SRAM，誰(shuí)才是未來的主流？
外置SRAM通常配有一個(gè)并行接口，考慮到大多數(shù)基于SRAM的應(yīng)用的存儲(chǔ)器要求，選擇并行接口是必要的。對(duì)于已經(jīng)使用SRAM的高性能（主要是緩存）應(yīng)用而言，與串行接口相比，并行接口擁有明顯優(yōu)勢(shì)。但這種情況似乎即將改變。
2016-01-12
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對(duì)比分析串行和并行接口SRAM，誰(shuí)勝一籌？
基于SRAM應(yīng)用的存儲(chǔ)器，都選擇并行接口。而眾所周知外置SRAM都配有并行接口，于串行接口相比，并行接口擁有明顯的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于使用SRAM高性能應(yīng)用而言，并行接口也比串行接口更具優(yōu)勢(shì)。
2015-11-04
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網(wǎng)友求助：數(shù)據(jù)總線波形異常原因在哪？
求助??！請(qǐng)教下有經(jīng)驗(yàn)的各位，這個(gè)數(shù)據(jù)總線上的波形到底應(yīng)該是什么樣的，我這個(gè)板子上第二條數(shù)據(jù)總線上掛著4個(gè)芯片，分別是一個(gè)SRAM，雙口ram，一塊FPGA和一塊DSP，到底是什么問題導(dǎo)致數(shù)據(jù)總線出問題。
2015-05-12
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就是這么完美！在異步SRAM中速度和功耗“齊步走”
快速和低功耗在異步SRAM產(chǎn)品中，是兩個(gè)完全不同類型的產(chǎn)品。這兩種類型是兩個(gè)不同的系列，它具有自己獨(dú)特的特性、價(jià)格和優(yōu)勢(shì)。因此要想在快速異步SRAM中實(shí)現(xiàn)低功耗，或者在低功耗SRAM中實(shí)現(xiàn)快速存取速度，那簡(jiǎn)直異想天開。但是本文就實(shí)現(xiàn)了這兩種特性的完美平衡，難道是天方夜譚嗎？
2015-01-27
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淺析以FLASH和反熔絲技術(shù)為基礎(chǔ)的FPGA
當(dāng)可編程邏輯器件受到高能粒子的撞擊時(shí)，撞擊過程中產(chǎn)生的能量會(huì)改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數(shù)據(jù)，無(wú)法預(yù)測(cè)系統(tǒng)運(yùn)行的狀態(tài)，從而引起整個(gè)系統(tǒng)失效。在航天設(shè)備中要嚴(yán)禁出現(xiàn)這種情況，這就需要更可靠更安全的可編程邏輯器件。以FLASH和反熔絲技術(shù)為基礎(chǔ)的FPGA與以SRAM為基礎(chǔ)的FPGA相比，在抗單粒子事件方面存在更大的優(yōu)勢(shì)，可靠性更高。
2014-09-02
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