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了解這些 就可以搞懂 IGBT
絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開關(guān)而聞名。IGBT通過在單個(gè)器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關(guān)的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結(jié)合。IGBT用于中到大功率應(yīng)用，如開關(guān)電源、牽引電機(jī)控制和感應(yīng)加熱。
2023-07-18
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絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡史
盡管人們對寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體器件感到興奮，但硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時(shí)候都更加重要。在我們10月份發(fā)布的電動(dòng)汽車電力電子報(bào)告[2]中，TechInsights預(yù)測，xEV輕型汽車動(dòng)力總成的產(chǎn)量將從2020年的910萬增長到2026年的4310萬，這使得其復(fù)合年增長率(CAGR)達(dá)到25%。SiC MOSFET目前預(yù)計(jì)占市場的約26%，到2029年預(yù)計(jì)將占市場份額的50%。
2023-07-16
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IOTE 2023深圳物聯(lián)網(wǎng)展邀請函
IOTE 2023 第二十屆國際物聯(lián)網(wǎng)展·深圳站，將于2023年9月20-22日在深圳國際會(huì)展中心（寶安）震撼來襲，以“IoT構(gòu)建數(shù)字經(jīng)濟(jì)底座”為主題，將IoT技術(shù)引入實(shí)體經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域，促進(jìn)數(shù)字化轉(zhuǎn)型和智能化升級，推進(jìn)智能家居、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、智慧城市、智慧醫(yī)療等多個(gè)領(lǐng)域的數(shù)智化深度融合，共同推動(dòng)全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)的繁榮與進(jìn)步。
2023-07-14
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SiFive中國技術(shù)論壇圓滿落幕, 實(shí)力詮釋RISC-V成“垂直半導(dǎo)體時(shí)代”必選項(xiàng)
“RISC-V勢不可擋，” 暌違中國數(shù)年的RISC-V主要發(fā)明人、SiFive共同創(chuàng)辦人兼首席架構(gòu)師Krste Asanovic教授，在近日剛剛圓滿落幕的2023 SiFive RISC-V中國技術(shù)論壇北京、上海、深圳三地巡回演講時(shí)，始終強(qiáng)調(diào)了這一核心思想。
2023-07-10
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高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用
在現(xiàn)今電力電子領(lǐng)域，高壓（HV）分立功率半導(dǎo)體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。這些產(chǎn)品具有較低的損耗、更好的雪崩特性，以及高可靠性。本文重點(diǎn)介紹Littelfuse提供的≥2 kVHV分立硅MOSFET器件。
2023-07-08
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5G VoNR Vs. 4G VoLTE ! 5G雙連接下的載波聚合是怎樣的？
5G的網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)其實(shí)承襲自4G，只支持分組交換，不支持電路交換，也就是說自身的5GC核心網(wǎng)是沒法支撐語音業(yè)務(wù)的，必須依賴于一個(gè)叫做IMS的系統(tǒng)。
2023-07-05
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了解電荷放大器頻率響應(yīng)
Allegro MicroSystems 的A1337被描述為高度集成、基于霍爾效應(yīng)的 0° 至 360° 角度傳感器。它包括各種集成信號(hào)處理和便捷的數(shù)字通信。
2023-07-05
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MIMO系統(tǒng)與波束賦形（下篇）
在這篇文章我們來了解下NR 預(yù)編碼碼本的設(shè)計(jì)思路，預(yù)編碼與模擬波束賦形在Massive MIMO 上的結(jié)合，以及Keysight Multi Transceiver RF Test Set (E6464A/E6416A)在Massive MIMO 波束賦形測試中的應(yīng)用。
2023-06-30
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貼片保險(xiǎn)絲及典型應(yīng)用
Littelfuse作為一家專業(yè)的保護(hù)器件廠家，其保險(xiǎn)絲/熔斷器產(chǎn)品種類覆蓋范圍最為齊全，從工作電壓來說，有交流與直流保險(xiǎn)絲，電壓范圍從低壓24V到高壓38000V；從工作電流來說，有最小62mA到最大6kA；從分?jǐn)嗄芰碚f，有50A到300kA；從安裝方式來說，有貼片、插件、座子、鎖螺栓等方式。保險(xiǎn)絲的分類方式很多，本篇文章對于貼片保險(xiǎn)絲進(jìn)行匯總，方便有需人士查閱借鑒。
2023-06-29
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晶體管的第一個(gè)76年：變小了，卻變大了？
1947年，當(dāng)John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一個(gè)能正常工作的晶體管時(shí)，他們未曾想到，晶體管如今會(huì)成為電子產(chǎn)品的最重要組成部分。晶體管被譽(yù)為20世紀(jì)最偉大的發(fā)明之一，它改進(jìn)了真空管在功耗和尺寸方面的缺陷，為電子設(shè)備的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)，也為人們帶來了便捷高效的數(shù)字化生活。
2023-06-21
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貿(mào)澤隆重推出新一期EIT計(jì)劃，探索智能家居技術(shù)與Matter連接標(biāo)準(zhǔn)的交集
2023年6月21日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布其屢獲殊榮的Empowering Innovation Together（共求創(chuàng)新，EIT）計(jì)劃推出最新一期內(nèi)容，重點(diǎn)關(guān)注Matter連接標(biāo)準(zhǔn)。在本期EIT中，連接標(biāo)準(zhǔn)聯(lián)盟 (CSA) 和業(yè)界知名制造商的全球技術(shù)專家齊聚一堂，共同探討Matter從市場推廣到設(shè)計(jì)規(guī)范的各個(gè)方面。
2023-06-21
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自加熱Vbe 晶體管恒溫器無需校準(zhǔn)
一種明顯的替代方法是使用晶體管 Vbe tempco 進(jìn)行溫度自檢測，由于其明顯的簡單性而很有吸引力，但在實(shí)踐中，它的實(shí)用性受到不可預(yù)測的晶體管 Vbe 可變性的限制。在參考文獻(xiàn) 1 中，的模擬大師 Jim Williams 解釋了這個(gè)問題如何需要初始傳感器晶體管校準(zhǔn)（如果傳感器需要更換，則需要重新校準(zhǔn)）。
2023-06-16
- 研華AMAX革新城式：三合一平臺(tái)終結(jié)工業(yè)控制“碎片化”困局
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