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VCUT05D1-SD0：Vishay推出超小型ESD保護二極管用于便攜電子產(chǎn)品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小型CLP0603硅封裝的新款雙向對稱(BiSy)單路ESD保護二極管---VCUT05D1-SD0。VCUT05D1-SD0具有10pF的低電容，可在便攜式電子產(chǎn)品中保護信號和數(shù)據(jù)線路免受瞬態(tài)電壓信號的侵擾，并大大節(jié)省PCB空間。
2011-09-28
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IHLP-3232CZ-11：Vishay推出小尺寸高電流電感器用于移動設備
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款采用3232外形尺寸的IHLP?小尺寸、高電流的電感器---IHLP-3232CZ-11。IHLP-3232CZ-11尺寸小巧，具有8.26mm x 8.79mm的占位面積和3.0mm的超低高度，低至1.62m?的最大DCR和0.22μH～33.0μH的標準感值能夠讓系統(tǒng)高效工作。
2011-09-21
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Vishay發(fā)布18款FRED Pt? Hyperfast和Ultrafast整流器
近日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出18款采用TO-252AA (D-PAK)功率塑料SMD封裝、正向電流為4A～15A的200V和600V的FRED Pt? Hyperfast和Ultrafast整流器。這些器件兼具極快的恢復時間、低正向壓降和反向電荷，其中包括業(yè)界首個采用此種封裝且正向電流大于10A的600V整流器。
2011-09-15
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WSK0612：Vishay推出業(yè)內(nèi)首個4接頭、1W的檢流電阻用于電流檢測
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip?電阻--- WSK0612。該電阻是業(yè)內(nèi)首個4接頭、1W的檢流電阻，采用小尺寸的0612封裝，具有0.5 mΩ～5mΩ的低阻值。
2011-09-06
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WSLP2726/4026：威世推出高功率低阻值Power Metal Strip?電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用2726和4026外形尺寸的新款表面貼裝Power Metal Strip?電阻--- WSLP2726和WSLP4026，該電阻兼具5W～7W的高功率等級和0.5mΩ的極低阻值。器件采用4接頭設計，可實現(xiàn)1.0%的穩(wěn)定電阻容差。
2011-09-01
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Vishay 技術專場華麗登陸成都和西安！
受環(huán)保意識高漲和日本核泄漏的影響，太陽能發(fā)電和風力發(fā)電越發(fā)成為新能源利用的核心。太陽能發(fā)電風電實現(xiàn)并網(wǎng)的核心組件是光伏逆變器和風電變流器。效率和可靠性是逆變器、變流器設計的關鍵，而新型功率器件和被動元件的使用可以有效降低逆變器/變流器損耗，提高效率和可靠性。針對這一需求，國際知名分立器件和被動元件供應商威世公司（Vishay）推出包括電容、電源管理、二極管與功率模塊、光耦等全方位的元器件解決方案。
2011-08-25
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Vishay西部新能源元器件體系概述
知名分立器件和被動元件供應商Vishay 于23日在成都明悅大酒店舉辦了在西部電子論壇的首站演講——成都Vishay 技術專場講座，會議集二極管與功率模塊、光耦、電源管理、電容四場技術演講，全面講解了新型元器件在新能源、逆變器、通訊、高可靠性和工業(yè)領域的設計。
2011-08-25
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Vishay 新型電子元器件在工業(yè)及新能源中的應用
知名分立器件和被動元件供應商Vishay 繼23日在成都成功舉辦了技術專場之后，25日整體技術團隊移師西安，進一步把在工業(yè)及新能源應用的新型元器件技術帶給西部的電子市場。會議集電源管理、二極管與功率模塊、電容、光耦四場技術演講，全面講解了新型元器件在新能源、逆變器、通訊、高可靠性和工業(yè)領域的設計。
2011-08-25
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Vishay擴展VLMW41XX系列，確保LED應用的顏色均勻性
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為滿足在各種照明應用中對顏色均勻性的要求，Vishay擴大了VLMW41XX系列采用PLCC-2封裝、基于藍寶石的冷白光SMD LED的色域裝箱和訂購選項。器件現(xiàn)可提供14種不同的色域，根據(jù)CIE1931進行非常窄的色度坐標分組。另外，Vishay的客戶可以訂購由4中相近色域組成的LED。
2011-08-19
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SiB437EDKT：Vishay推出微型低導通電阻功率MOSFET用于便攜設備
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。
2011-08-18
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VJ系列：Vishay推出無磁性電容器用于MRI(磁力共振影像)設備
近日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于MRI(磁力共振影像)設備的新系列無磁性表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)--- VJ。VJ系列無磁性電容器采用C0G(NPO)和X7R/X5R電介質，提供多種外形尺寸、額定電壓和電容值器件。
2011-08-15
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IHLP-3232CZ-01：Vishay發(fā)布小尺寸、高電流電感器用于移動設備
Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，發(fā)布采用3232外形尺寸、3.0mm超薄的新款IHLP?小尺寸、高電流電感器- IHLP-3232CZ-01。小尺寸的IHLP-3232CZ-01具有高效率和低至1.61mΩ的最大DCR，以及0.22μH～10.0μH的標準感值范圍。
2011-08-10
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