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Amphenol公司推出緊密型印刷電路板(PCB)電源連接器
AmphenolIndustrial現(xiàn)在推出了三款緊密、高安培數(shù)的連接器，適用于與印刷電路板的高強(qiáng)度電流、單點(diǎn)連接。新型的PowerBlok、RADSERT及PGY連接器采用了RADSOK技術(shù)，消除了螺紋連接的故障，同時(shí)增加了可靠性、靈活性及電路板設(shè)計(jì)的可用表面空間。
2008-11-01
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PXI Express：NI與BAE Systems、Phase Matrix公司共同發(fā)布PXI綜合測(cè)試儀
美國(guó)國(guó)家儀器有限公司與BAE Systems公司、Phase Matrix公司于近日共同發(fā)布了一款針對(duì)軍事和商業(yè)射頻/微波應(yīng)用的、基于PXI平臺(tái)的下一代26.5GHz綜合測(cè)試儀。這款綜合測(cè)試儀通過整合模塊化硬件與平臺(tái)軟件來創(chuàng)建用戶自定義的測(cè)試測(cè)量系統(tǒng)，它屬于虛擬儀器的一個(gè)分支。
2008-10-27
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iSuppli：09年太陽能電池用硅材料將開始降價(jià)
“2010年，太陽能電池用硅材料的供求關(guān)系將緩解。在此之前，2009年現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格將大幅下降”?！绹?guó)iSuppli公司高級(jí)主管和總分析師（Senior Director and Principal Analyst）Henning Wicht在該公司主辦的研討會(huì)“iSuppli Japan Seminar 2008”上，對(duì)結(jié)晶硅太陽能電池單元原料——多晶硅材料的供求關(guān)系情況作了如此預(yù)測(cè)。
2008-10-26
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用于軟起動(dòng)器的晶閘管模塊SEMiSTART
本文介紹了電機(jī)起動(dòng)控制的三種方式，軟起動(dòng)器對(duì)晶閘管的要求，晶閘管模塊中使用的裝配和連接技術(shù)以及SEMiSTAT模塊的技術(shù)指標(biāo)。
2008-10-22
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VL5510：ST汽車視覺化先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)CMOS傳感器
意法半導(dǎo)體推出一款高動(dòng)態(tài)范圍的CMOS傳感器，新產(chǎn)品專門為基于視覺技術(shù)的汽車駕駛輔助市場(chǎng)設(shè)計(jì)，融合了意法半導(dǎo)體先進(jìn)的汽車電子技術(shù)和CMOS前沿影像技術(shù)。
2008-10-20
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USB傳感器與存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)記錄中的應(yīng)用
本文在隨著最新一代智能USB Host控制器IC的推出形勢(shì)下，提出與MCU配合使用不僅可為PC應(yīng)用使用USB數(shù)據(jù)采集設(shè)備，而且還可將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在低成本高容量的閃存盤上這一觀點(diǎn)，并通過數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用實(shí)例來闡述這一觀點(diǎn)的應(yīng)用。
2008-10-15
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IGBT驅(qū)動(dòng)電路M57962L的剖析
IGBT是一種新型功率器件，即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世紀(jì)末出現(xiàn)的一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)集于一身：輸入阻抗高，開關(guān)頻率高，工作電流大等，在變頻器、開關(guān)電源，弧焊電源等領(lǐng)域得到廣泛地應(yīng)用。M57962L采用+15V、- 10V雙電源供電，由于采用- 10V關(guān)斷電壓，能更可靠關(guān)斷，同時(shí)具有封閉性軟關(guān)斷功能，從而使IGBT更加安全的工作。
2008-10-11
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提高DC/DC轉(zhuǎn)換器EMC性能的新策略
為了提高DC/DC轉(zhuǎn)換器的電磁兼容性，基于混沌現(xiàn)象的寬頻譜特性提出了一種新的DC/DC轉(zhuǎn)換器控制策略。首先推導(dǎo)了能夠產(chǎn)生可控幅度混沌序列的Logistic映射形式，然后利用混沌序列對(duì)電流滯環(huán)控制策略的電流參考值進(jìn)行擾動(dòng)。從而擴(kuò)展了電感電流的功率譜，降低了在開關(guān)頻率及其諧波頻率上發(fā)射的電磁干擾。仿真研究證明，該控制策略可以改善的DC/DC轉(zhuǎn)換器電磁兼容性能。
2008-10-09
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降低開關(guān)電源電磁干擾水平的研究
本文以一個(gè)能產(chǎn)生混沌、超混沌、亞超混沌與超混沌信號(hào)的電路為信號(hào)源,以Boost型DC/DC變換器為對(duì)象,研究混沌的性質(zhì)對(duì)降低開關(guān)電源電磁干擾水平效果的影響。仿真結(jié)果表明:不同性質(zhì)的混沌序列,有不同的降低Boost型變換器的電磁干擾水平的效果。
2008-10-05
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AIS326DQ：ST針對(duì)汽車系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用MEMS加速度傳感器
意法半導(dǎo)體推出旗下首款的汽車質(zhì)量級(jí)三軸MEMS加速度傳感器。新產(chǎn)品AIS326DQ符合AEC-Q100汽車產(chǎn)品質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。意法半導(dǎo)體充分發(fā)揮成功的MEMS八寸晶圓廠制造能力，以具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格為系統(tǒng)集成商提供MEMS前沿技術(shù)。
2008-10-01
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CCD數(shù)字相機(jī)的電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
為實(shí)現(xiàn)多路DC/DC轉(zhuǎn)換功能，提出一種開關(guān)型穩(wěn)壓電源與線性穩(wěn)壓電源相結(jié)合的系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案。分析了具有BOOST/BUCK功能的開關(guān)電源和線性穩(wěn)壓電源的工作特性，并結(jié)合CCD相機(jī)的整體設(shè)計(jì)要求，實(shí)現(xiàn)了相機(jī)電源的功耗低、發(fā)熱量小、EMI干擾輕的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2008-09-29
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SuperMESH3系列： ST照明和開關(guān)電源應(yīng)用功率MOSFET
意法半導(dǎo)體（ST）進(jìn)一步提高照明鎮(zhèn)流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關(guān)性能和能效，功率MOSFET被用于鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器和半橋電路以及開關(guān)電源內(nèi)。SuperMESH3的創(chuàng)新技術(shù)，配合優(yōu)異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。
2008-09-17
- 研華AMAX革新城式：三合一平臺(tái)終結(jié)工業(yè)控制“碎片化”困局
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