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使用MSO 5/6內置AWG進行功率半導體器件的雙脈沖測試
SiC器件的快速開關特性包括高頻率，要求測量信號的精度至少達到100MHz或更高帶寬 (BW)，這需要使用額定500MHz或更高頻率的示波器和探頭。在本文中，寬禁帶功率器件供應商Qorvo與Tektronix合作，基于實際的SiC被測器件 (DUT)，描述了實用的解決方案。
2025-01-26
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MOS管在開關電源中的核心作用及其關鍵性能參數(shù)對設計的影響
金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOSFET)是現(xiàn)代電子技術中不可或缺的元器件之一，在開關電源設計中扮演著至關重要的角色。開關電源作為現(xiàn)代電力轉換和管理的核心組件，其性能與效率在很大程度上依賴于MOS管的選擇與應用。本文將深入探討MOS管在開關電源中的具體作用，并剖析其關鍵性能參數(shù)對電源整體性能的影響。
2025-01-25
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功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j－top)獲取結溫信息
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-24
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意法半導體榮膺 2025 年全球杰出雇主認證
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 首次被Top Employers Institute評選為2025年全球杰出雇主。
2025-01-24
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第14講：工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機開發(fā)了工業(yè)應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內部結構，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
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基于 SiC 的三相電機驅動開發(fā)和驗證套件
工業(yè)電機驅動器涵蓋廣泛的應用，從低壓工業(yè)驅動器（例如風扇、泵和傳送帶、熱泵和空調）以及伺服驅動器。據(jù)估計，這些通常由交流電源驅動的電動機占工業(yè)用電量的 70-80%。因此，人們有強烈的動機來提高這些驅動器的效率。即使該參數(shù)的微小改進也能在節(jié)省能源和成本方面產(chǎn)生深遠的影響。國際電化學委員會 (IEC) 為電機和集成電機驅動器制定了各種效率標準。例如，現(xiàn)在主要國家都要求采用IE3標準。在歐盟，額定輸出功率在 75 kW 至 200 kW 之間的電機需要符合 IE4 標準。
2025-01-21
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貿澤與TE Connectivity 和Microchip Technology聯(lián)手推出聚焦汽車Zonal架構的電子書
貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與全球連接器和傳感器知名制造商TE Connectivity以及Microchip Technology合作推出全新電子書，深入探討Zonal架構如何幫助設計師跟上汽車系統(tǒng)日益復雜化的步伐，以及它如何從根本上改變車輛構造。
2025-01-17
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用第三代 SiC MOSFET設計電源性能和能效表現(xiàn)驚人！
在各種電源應用領域，例如工業(yè)電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來越嚴苛，已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構應運而生。
2025-01-17
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如何通過配置控制器優(yōu)化CAN總線系統(tǒng)性能
控制器局域網(wǎng)絡(CAN)可在多個網(wǎng)絡站點之間提供強大的通信能力，支持多種數(shù)據(jù)速率和距離。CAN具有數(shù)據(jù)鏈路層仲裁、同步和錯誤處理等特性，廣泛用于工業(yè)、儀器儀表和汽車應用之中。在ISO 11898標準的框架下，借助分布式多主機差分信令和內置故障處理功能，DeviceNet、CANopen等多種協(xié)議針對物理層和數(shù)據(jù)鏈路層規(guī)定了相應的實現(xiàn)方式。本文旨在描述如何針對給定應用優(yōu)化設置，同時考慮控制器架構、時鐘、收發(fā)器、邏輯接口隔離等硬件限制。文章將集中介紹網(wǎng)絡配置問題——包括數(shù)據(jù)速率和電纜長度——說明何時有必要對CAN節(jié)點進行重新配置，以及如何從一開始就實現(xiàn)對節(jié)點的優(yōu)化配置。
2025-01-16
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功率器件熱設計基礎（十二）——功率半導體器件的PCB設計
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-14
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解決模擬輸入IEC系統(tǒng)保護問題
與系統(tǒng)模擬輸入和輸出節(jié)點交互作用的外置高壓瞬變可能破壞系統(tǒng)中未采用充分保護措施的集成電路(IC)?，F(xiàn)代IC的模擬輸入和輸出引腳通常采用了高壓靜電放電(ESD)瞬變保護措施。人體模型(HBM)、機器模型(MM)和充電器件模型(CDM)是用來測量器件承受ESD事件的能力的器件級標準。這些測試旨在確保器件能承受器件制造和PCB裝配流程中的靜電壓力，通常在受控環(huán)境中實施。
2025-01-13
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氣相色譜傳感器解決環(huán)境監(jiān)測需求
本文概述了用于環(huán)境質量監(jiān)測的氣相色譜傳感器系統(tǒng)的工作原理及其關鍵組件。文中將介紹氣相色譜法如何精確地分析與水和土壤污染相關的化合物，探討氣相色譜系統(tǒng)的主要組成部分，包括進氣口、溫度控制裝置、檢測器和電源子系統(tǒng)。此外，我們還將提供低噪聲放大器、模數(shù)轉換器(ADC)、基準電壓和電源管理IC方面的建議，以實現(xiàn)高精度的測量。
2025-01-10
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