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占板面積僅為半平方英寸的UMTS 基站接收器設計分析
滿足性能要求后，市場對宏蜂窩基站集成度的要求是越高越好。集成度到底能達到多高?占板面積為 1/2 平方英寸的UMTS 基站接收器能實現(xiàn)嗎？本文對 LTM 9004 微型模塊 (μModule) 接收器 —— 一款占板面積僅為半平方英寸的 UMTS 基站直接轉(zhuǎn)換接收器進行設計分析。
2013-07-01
UMTS 基站接收器 凌力爾特基站接收器 LTM9004
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占板面積僅3cm2的高集成度接收器設計
市場對高集成度的需求并沒有停止。Linear開發(fā)出占板面積僅3cm2 的接收器，不但擁有 UMTS 基站應用所需的高性能，而且還提供了對于緊湊型設計而言必不可少的小尺寸和高集成度，本文將對 LTM 9004微型模塊 (μModule)接收器進行設計分析。
2013-06-25
接收器 LTM9004 Linear
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ST發(fā)布無線射頻前端技術(shù)平臺，大幅降低4G多頻射頻芯片尺寸
意法半導體發(fā)布全新無線產(chǎn)品射頻前端技術(shù)平臺，優(yōu)化的射頻絕緣體上硅（SOI）制程大幅降低4G等無線高速通信多頻射頻芯片的尺寸 ，新制程H9SOI_FEM可制造集成全部射頻前端功能的模塊。
2013-06-21
意法半導體 無線射頻前端模塊 意法半導體無線射頻前端模塊
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如何用高輸入IP3混頻器實現(xiàn)VHF接收器設計
VHF頻段（30MHz~300MHz）的應用越來越多，而LTC5567是專為在 300MHz 至4GHz 頻段中實現(xiàn)高性能而設計和優(yōu)化，其輸入 IP3 線性性能達到了30dBm。因此如果能用LTC5567實現(xiàn)VHF接收器設計將顯著地改善性能…
2013-06-08
Linear IP3 混頻器 VHF 無線充電
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ADI寬帶RF增益模塊，大大簡化系統(tǒng)設計
近日，ADI推出新款業(yè)界領先的寬帶RF增益模塊ADL5544、ADL5545、ADL5610和ADL5611。全新的RF放大器增益模塊可提供頻率范圍30 MHz至6 GHz內(nèi)的業(yè)界最佳線性度、功耗和噪聲系數(shù)性能組合?？珊喕邉討B(tài)范圍通信、防務和儀器儀表系統(tǒng)的設計。
2013-06-01
ADI RF 放大器
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TDK創(chuàng)新性薄膜RF元件：越扁平越好
如何設計出外形更加纖薄的手機是手機開發(fā)者面臨的主要挑戰(zhàn)之一，因此需要找到更薄的模塊和元件。薄膜工藝技術(shù)最初是由TDK開發(fā)并改進的，TDK利用其先進薄膜工藝技術(shù)制造的小型元件使其性能得以提高而外形更加扁平。
2013-05-29
TDK 薄膜 RF 手機 電容器
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美高森美推出溫度范圍40至85℃超低功耗射頻產(chǎn)品
近日，美高森美推出具有擴展溫度和頻率范圍的超低功耗Sub-GHz射頻產(chǎn)品ZL70251，支持工業(yè)工作溫度且可以用于無需授權(quán)的779-965 megahertz (MHz) 頻段，擴大了產(chǎn)品的應用區(qū)域。
2013-05-24
美高森美 射頻 ZL70251 工業(yè)
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ST新調(diào)諧電路支持MIPI聯(lián)盟射頻前端標準
ST的新產(chǎn)品STHVDAC-304MF3調(diào)諧電路最多可調(diào)節(jié)4個可調(diào)BST電容器，而且支持MIPI聯(lián)盟射頻前端標準，可簡化手機設計，并兼容RFFE的1.8V接口控制。
2013-04-09
ST 調(diào)諧電路 MIPI 射頻
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八大途徑教你降低RF電路設計中的寄生信號
RF電路板設計最重要的是不該有信號的地方要隔離信號，而該有信號的地方一定要獲得信號。這就要求我們有意識地采取措施，確保信號隔離于其路徑適當?shù)牟课?。本文列舉八大規(guī)則設計RF電路，教你如何降低寄生信號。
2013-03-12
RF 寄生信號
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