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重磅!國產(chǎn)碳化硅設(shè)備再獲佳績
近日,國產(chǎn)SiC設(shè)備又傳來了振奮人心的消息:北京中電科電子裝備有限公司的SiC晶錠和晶片減薄機實現(xiàn)了6/8英寸大尺寸和新工藝路線匹配的雙技術(shù)突破。
2023-09-21
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問界新M7體驗高階智駕,有哪些車用高端控制芯片?
華為與賽力斯聯(lián)合推出的問界新M7在9月12日正式發(fā)布,一亮相即受到消費者的青睞。
2023-09-21
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低壓電機驅(qū)動設(shè)計
本應(yīng)用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道雙 MOSFET 的低壓電機驅(qū)動設(shè)計。它描述了使用不同電壓應(yīng)用的設(shè)計,以及自適應(yīng) MOSFET 柵極驅(qū)動器,這是驅(qū)動雙 n 溝道半橋的第三種方法。
2023-09-21
低壓 電機驅(qū)動
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長電科技鄭力:高性能先進封裝創(chuàng)新推動微系統(tǒng)集成變革
第24屆電子封裝技術(shù)國際會議(ICEPT2023)于近日在新疆召開,來自海內(nèi)外學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界超700名專家學(xué)者、研究人員、企業(yè)人士齊聚一堂,共話先進封裝技術(shù)創(chuàng)新、學(xué)術(shù)交流與國際合作。長電科技董事、首席執(zhí)行長鄭力出席會議,發(fā)表《高性能先進封裝創(chuàng)新推動微系統(tǒng)集成變革》主題演講。
2023-09-21
長電科技 先進封裝 微系統(tǒng)
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驅(qū)動電源模塊密度的關(guān)鍵因素
依靠簡單的經(jīng)驗法則來評估電源模塊密度的關(guān)鍵因素是遠遠不夠的,例如電源解決方案開關(guān)頻率與整體尺寸和密度成反比;與驅(qū)動系統(tǒng)密度的負載相比,功率密度往往以不同的速率變化;因此合理的做法是將子系統(tǒng)和相關(guān)器件分開分析。先進的封裝和3D電源封裝? (3DPP?) 技術(shù)可讓電源模塊密度匹配其服務(wù)的相應(yīng)...
2023-09-21
電源模塊 密度 關(guān)鍵因素
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艾睿滿足不同電源應(yīng)用需求的多樣化解決方案
電源是所有電子產(chǎn)品的基礎(chǔ),為了滿足不同應(yīng)用在功率、交直流轉(zhuǎn)換上的各種要求,便需要各式各樣的功率元器件、模塊,來提供合適、安全的電源,使系統(tǒng)能夠穩(wěn)定運作。本文將為您介紹由艾睿電子推出的多款功率轉(zhuǎn)換解決方案,以及安森美(onsemi)、村田制作所(Murata)所推出的相關(guān)產(chǎn)品。
2023-09-21
艾睿 電源應(yīng)用 解決方案
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LDO穩(wěn)壓器綜合指南:噪聲、折衷方案、應(yīng)用和趨勢
本文介紹 LDO穩(wěn)壓器選型 時幾個不太注意的關(guān)鍵參數(shù)。還針對特殊低噪聲要求,將開關(guān)穩(wěn)壓器和LDO穩(wěn)壓器進行了比較。此外還討論了行業(yè)趨勢,以及介紹需要高性能LDO穩(wěn)壓器的應(yīng)用。
2023-09-20
LDO穩(wěn)壓器 噪聲 趨勢
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IGBT驅(qū)動芯片進入可編程時代,英飛凌新品X3有何玄機?
俗話說,好馬配好鞍,好IGBT自然也要配備好的驅(qū)動IC。一顆好的驅(qū)動不僅要提供足夠的驅(qū)動功率,最好還要有完善的保護功能,例如退飽和保護、兩電平關(guān)斷、軟關(guān)斷、欠壓保護等,為IGBT的安全運行保駕護航。
2023-09-19
IGBT驅(qū)動芯片 可編程 英飛凌
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如何在有限空間里實現(xiàn)高性能?結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個好方法!
SiC FET在共源共柵結(jié)構(gòu)中結(jié)合硅基MOSFET和SiC JFET,帶來最新寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的性能優(yōu)勢,以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現(xiàn)可采用表面貼裝TOLL封裝,由此增加了自動裝配的便利性,同時減少了元件尺寸,并達成出色的熱特性,在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實現(xiàn)了功率密度最大化和系統(tǒng)成本最小化。
2023-09-18
高性能 RDS(On) 表面貼裝
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