隨著制備技術的進步,在需求的不斷拉動下,碳化硅(SiC)器件與模塊的成本逐年降低。相關產(chǎn)品的研發(fā)與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車,可再生能源及儲能等應用領域的發(fā)展,更是不容小覷。
2022-06-15
SiC MOSFET 驅動電壓
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中,我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
直流快充 電源模塊 柵極驅動
在IGBT時代,門極電壓的選擇比較統(tǒng)一,無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域,還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑,提供些有用的參考。
SiC MOSFET 門極電壓
UnitedSiC(現(xiàn)名Qorvo)擴充了其1200V產(chǎn)品系列,將其突破性的第四代SiC FET技術推廣到電壓更高的應用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐,現(xiàn)以TO247-4L(采用開爾文連接)封裝提供,而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能,...
SiC FET 高壓市場 解決方案
本文評估在電阻模數(shù)轉換器(ADC)前面的外部電阻的影響。這些系列的同步采樣ADC包括一個高輸入阻抗電阻可編程增益放大器(PGA),用于驅動ADC和縮放輸入信號,允許直接連接傳感器。但是,有幾個原因導致在設計期間,我們最終會在模擬輸入前面增加外部電阻。以下部分從理論上解釋預期的增益誤差,該誤差...
2022-06-14
SAR 模數(shù)轉換器 ADI
對于手邊的一款外部引線斷裂的蘋果手機無線充電器進行拆卸,觀察其內(nèi)部電路工藝設計。但是由于電路上主要芯片型號文字顯示不清,故此對于其主要工作原理尚不清楚。
手機 無線充電器
功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導體重要的設計目標。我們一路追求單位芯片面積的輸出電流能力,實現(xiàn)方法是:
2022-06-13
功率器件 功率密度
在本系列文章的第一至第四部分中[1-4],我們從硬件角度分享并廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
直流快充 設計指南 控制算法
幾年來,xEV的普及率一直很高。預計2021至2027年間,全球xEV市場的復合年增長率將達到21%,所有細分市場的復合年增長率都將加快。隨著BEV采用率的快速增長,混合動力技術也將大幅增長。事實上,不同技術的普及率取決于地區(qū)。
電動汽車 車輛效率 供應鏈
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