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無需附加傳感器的升壓PFC變換器輸入功率估算可行性與準(zhǔn)確性分析
PFC 變換器廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域，它通過主線路提供直流輸出電壓，并同時(shí)保持高功率因數(shù) (PF) 和低電流失真。其中部分應(yīng)用，如電信、服務(wù)器、工作站電源和插電式電動汽車等，都需要實(shí)時(shí)測量有功輸入功率以監(jiān)控能耗，并實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)效率的提升與智能系統(tǒng)管理。通常情況下，在橋式整流器前面添加專用的電壓...
2022-09-26
傳感器 PFC變換器 輸入功率
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器件封裝是高效散熱管理的關(guān)鍵
汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進(jìn)，從底盤到動力總成，從信息娛樂系統(tǒng)到聯(lián)網(wǎng)和自動化系統(tǒng)，汽車設(shè)計(jì)的方方面面都有著日新月異的進(jìn)步。然而，為人詬病的電動汽車（EV）充電用時(shí)問題（特別是在旅途中充電）帶來的巨大不便，阻礙了電動汽車的推廣普及，因此，車載充電器（OBC）設(shè)計(jì)或許將成為備受關(guān)注的領(lǐng)域。
2022-09-26
器件封裝 散熱管理
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電源設(shè)計(jì)器件布局和布線要點(diǎn)
在電源設(shè)計(jì)中，精心的布局和布線對于能否實(shí)現(xiàn)出色設(shè)計(jì)至關(guān)重要，要為尺寸、精度、效率留出足夠空間，以避免在生產(chǎn)中出現(xiàn)問題。我們可以利用多年的測試經(jīng)驗(yàn)，以及布局工程師具備的專業(yè)知識，最終完成電路板生產(chǎn)。
2022-09-26
電源設(shè)計(jì) 布局
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在電機(jī)旋轉(zhuǎn)的世界里，如何探索出一種更優(yōu)雅的運(yùn)動姿勢？
從中國大唐王朝盛行的胡旋舞，到今天全球共賞、傾倒世界幾個(gè)世紀(jì)的芭蕾舞，旋轉(zhuǎn)都是舞蹈美學(xué)與藝術(shù)的重要組成部分。舞者衣袂飄飄，旋轉(zhuǎn)中姿態(tài)萬千百媚竟生，提高了整個(gè)舞蹈的審美性、觀賞性。舞者的旋轉(zhuǎn)讓這個(gè)物理世界的基本運(yùn)動狀態(tài)帶來藝術(shù)的升華?，F(xiàn)代科學(xué)對旋轉(zhuǎn)運(yùn)動的研究，則為動力學(xué)和運(yùn)動學(xué)...
2022-09-23
電機(jī)旋轉(zhuǎn) ADI
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【無電感】小尺寸 AMOLED 電源芯片
SGM38045 是圣邦微電子重點(diǎn)推出的一顆專門為智能手環(huán)、智能手表等小尺寸 AMOLED 顯示屏提供 AVDD、ELVDD、ELVSS 的無電感電源管理芯片。
2022-09-21
AMOLED 電源芯片
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采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模塊性能解析
半導(dǎo)體市場不斷推動IGBT技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高功率密度、魯棒性和性能水平。對于新一代IGBT而言，始終需要能夠輕松融入設(shè)計(jì)并在不同應(yīng)用中表現(xiàn)良好的產(chǎn)品。IGBT應(yīng)能助力打造出擁有優(yōu)化系統(tǒng)成本的可擴(kuò)展逆變器產(chǎn)品組合。本文通過仿真和應(yīng)用測試，對英飛凌全新TRENCHSTOP? 1700V IGBT7技術(shù)以及對應(yīng)的同類最佳90...
2022-09-21
IGBT7 模塊 性能
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這個(gè)技術(shù)，改善你的電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)！
隨著技術(shù)的進(jìn)步，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，因此這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩(wěn)壓器模塊(VRM)提供。
2022-09-20
電源系統(tǒng) 設(shè)計(jì) ADI
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電動汽車充電的三大設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
用于商業(yè)和住宅用途的典型電動汽車 (EV) 充電站設(shè)計(jì)包括電能計(jì)量、剩余電流檢測（交流和直流）、隔離安全合規(guī)性、繼電器和接觸器，還具有驅(qū)動功能、雙向通信以及服務(wù)和用戶界面。雖然充電站的目標(biāo)是高效地將電力傳輸?shù)杰囕v，但實(shí)現(xiàn)電力傳輸是其最初的功能。
2022-09-20
電動汽車 充電 設(shè)計(jì)
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關(guān)斷柵極電壓欠沖對SiC MOSFET導(dǎo)通行為的影響
本文探討了關(guān)斷時(shí)發(fā)生的柵極電壓欠沖對導(dǎo)通開關(guān)特性的影響。這種影響來自于閾值電壓的遲滯效應(yīng)，指柵偏壓變化時(shí)，閾值電壓的完全可恢復(fù)瞬態(tài)偏移。閾值電壓的遲滯效應(yīng)是由半導(dǎo)體-絕緣體界面缺陷中，電荷的短期俘獲和釋放引起的。因此，關(guān)斷時(shí)的柵極電壓欠沖會對碳化硅（SiC）MOSFET的開關(guān)特性產(chǎn)生影響。
2022-09-20
柵極電壓欠沖 SiC MOSFET 導(dǎo)通
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