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觸摸控制引領(lǐng)時尚
從銀行柜員機、到新潮的手機和家用電器，我們身邊采用觸摸控制的電子設(shè)備越來越多。觸摸傳感技術(shù)有以下很多優(yōu)點，例如，無須機械按鈕和滑板；提供使用方便、直觀的“指尖控制”接口；減少機械磨損，提高可靠性；為產(chǎn)品設(shè)計者提供更大靈活性；減少整體系統(tǒng)成本。
2008-11-21
AT42QT4120 AT42AT4160 MPR031 觸摸控制 觸摸傳感技術(shù) Two Touch
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SiR440DP/SiR866DP/SiR890DP：Vishay新型第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出一款新型 20V n 通道器件，擴展了其第三代 TrenchFET功率MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。
2008-11-20
SiR440DP SiR866DP SiR890DP MOSFET Siliconix
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百億小電機 節(jié)能潛力大
從電動車到白色大家電，從數(shù)碼相機到DVD，從手機到筆記本電腦，生活中的小電機密度與日俱增。近日在滬開幕的第13屆中國小電機技術(shù)研討會透露，今年全球小電機產(chǎn)量預(yù)計首次突破100億臺，其中我國產(chǎn)量占64%，平均每人制造4臺以上。專家認(rèn)為，盡管小電機功率從幾瓦到幾百瓦不等，不能與大電機相比，但...
2008-11-20
無刷直流電機 電機 電動車 白色大家電 數(shù)碼相機 DVD 手機 筆記本電腦
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LIC:景氣低迷與環(huán)境問題
“環(huán)境問題應(yīng)該會給電容器產(chǎn)品帶來更多的機會”——據(jù)2008年11月17日出版的《日經(jīng)電子》的鋰離子電容器（LIC）深度報道，日本某LIC廠商的負(fù)責(zé)人對今后LIC需求的增長充滿期待。原因是LIC有望在峰值電流輔助和制動回收蓄電等節(jié)能領(lǐng)域甚至在CO2削減方面發(fā)揮作用。
2008-11-20
鋰離子電容器 LIC 環(huán)境保護 節(jié)能
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LT3008：凌力爾特纖巧和高壓的LDO
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高壓、微功率、基于 PNP 的 LDO 系列最新成員 LT3008，該器件的超低靜態(tài)電流和停機電流 (<1uA) 使其非常適合于需要適度輸出驅(qū)動能力和高輸入電壓以及超低備用功耗的應(yīng)用，如遠程監(jiān)視和需要延長工作時間的“保持運作”系統(tǒng)低電流電池供電型存儲器。
2008-11-19
LT3008EDC LT3008IDC LDO
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Mouser與Hendon半導(dǎo)體簽訂全球代理協(xié)議
Mouser近日宣布與Hendon 半導(dǎo)體公司簽訂全球代理協(xié)議。
2008-11-17
微電子 集成電路 雙CMOS CMOS 厚膜混合電路
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繼電器：瞄準(zhǔn)通信汽車市場向高端轉(zhuǎn)型
“十一五”已進入發(fā)展的后三年，經(jīng)過多年的超常規(guī)快速發(fā)展，我國繼電器行業(yè)取得了令人矚目的成就。但是,隨著國際經(jīng)濟形勢的發(fā)展變化以及我國進入新一輪經(jīng)濟調(diào)整周期，繼電器行業(yè)的結(jié)構(gòu)調(diào)整必須加快步伐，從產(chǎn)品、技術(shù)、裝備乃至企業(yè)布局上求新求變，由世界繼電器制造大國發(fā)展為創(chuàng)造大國。
2008-11-17
繼電器 汽車電子 通信
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PowerSilicon 精彩亮相中國電子展
在第72屆電子展上，我們在五號展館看到了領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體提供商PowerSilicon 公司的身影，該公司總部位于美國，并在菲律賓、中國大陸和臺灣設(shè)有生產(chǎn)基地和分公司。
2008-11-15
肖特基二極管 MOSFET 功率半導(dǎo)體
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NTB54XXN/ntp54XXN：安森美中等電壓功率MOSFET系列
安森美半導(dǎo)體推出8款新的MOSFET器件，專門為中等電壓開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。這些MOSFET非常適用于直流馬達驅(qū)動、LED驅(qū)動器、電源、轉(zhuǎn)換器、脈寬調(diào)制(PWM)控制和橋電路中，這些應(yīng)用講究二極管速度和換向安全工作區(qū)域(SOA)，安森美半導(dǎo)體的新MOSFET器件提供額外的安全裕量，免應(yīng)用受未預(yù)料的電壓瞬態(tài)影響。
2008-11-14
NTB5411N NTP5411N MOSFET NTB5412N NTP5412N NTB5426N
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
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