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通信廣電

微特電機(jī) 變生產(chǎn)大國為技術(shù)強(qiáng)國

近幾年，我國微特電機(jī)行業(yè)有了長(zhǎng)足的發(fā)展，尤其在長(zhǎng)江三角洲、珠江三角洲、環(huán)渤海三大地區(qū)已經(jīng)形成我國微特電機(jī)的重要生產(chǎn)基地和出口基地。我國已經(jīng)成為世界微特電機(jī)的生產(chǎn)大國。

2008-09-18

微特電機(jī)

優(yōu)化變換器的FET開關(guān)以改善能量效率

現(xiàn)在越來越多的設(shè)計(jì)師在關(guān)注DC/DC功率系統(tǒng)的效率問題，功率MOSFET是DC/DC功率電路中功率損耗的罪魁禍?zhǔn)?，而通過采用先進(jìn)的器件，可以將這一損耗大幅降低。MOSFET廠商主要通過兩種方式來優(yōu)化工藝的發(fā)展。首先，為了改善產(chǎn)品的開關(guān)特性（開關(guān)速度），他們實(shí)施了先進(jìn)的柵極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，降低了柵極電荷（Q...

2008-09-18

MOSFET 開關(guān)和傳導(dǎo)損耗系統(tǒng)級(jí)效率開關(guān)特性單元密度

電子變壓器發(fā)展方向微型化發(fā)展

電子變壓器行業(yè)為適應(yīng)市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)和配套的需求，近幾年，經(jīng)營機(jī)制有了較大的轉(zhuǎn)變。行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)顯示，民營企業(yè)已占電子變壓器行業(yè)的50%左右。目前我國電子變壓器市場(chǎng)基本處于穩(wěn)定狀態(tài)，由于電子變壓器屬于勞動(dòng)密集型產(chǎn)品，我國勞動(dòng)力成本比較低廉，行業(yè)沒有受到較大沖擊，出口方面反而有了進(jìn)一步...

2008-09-17

電子變壓器壓電陶瓷變壓器

SuperMESH3系列： ST照明和開關(guān)電源應(yīng)用功率MOSFET

意法半導(dǎo)體（ST）進(jìn)一步提高照明鎮(zhèn)流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關(guān)性能和能效，功率MOSFET被用于鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器和半橋電路以及開關(guān)電源內(nèi)。SuperMESH3的創(chuàng)新技術(shù)，配合優(yōu)異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。

2008-09-17

MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3

VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻

Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業(yè)級(jí)別絕對(duì) TCR、在 +25°C 時(shí)最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優(yōu)越功率系數(shù)（“自身散熱產(chǎn)生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。

2008-09-17

電阻 VPR221Z VPR221SZ

我國遭美"337調(diào)查" LED企業(yè)上升至10家

2008年8月30日，我國又有6家LED企業(yè)即半導(dǎo)體照明企業(yè)，被控涉嫌專利侵權(quán)而將面臨美國國際貿(mào)易委員會(huì)(U.S.ITC)的“337調(diào)查”。加上此前已有6家中國大陸LED企業(yè)被起訴且其中4家被列入ITC“337調(diào)查”名單，今年以來，我國已有12家LED企業(yè)遭遇海外知識(shí)產(chǎn)權(quán)糾紛(不包括我國臺(tái)灣地區(qū)企業(yè))。

2008-09-16

知識(shí)產(chǎn)權(quán) LED Rothschild 337調(diào)查

LY530AL：ST超小型GPS應(yīng)用MEMS陀螺儀

通過提供可選的模擬或數(shù)字角速率絕對(duì)值輸出，意法半導(dǎo)體推出LY530AL MEMS陀螺儀，提高設(shè)計(jì)靈活性，簡(jiǎn)化集成難度，并節(jié)省外部元器件。全程量可測(cè)角速率高達(dá)每秒+/-300度，在直觀人機(jī)界面或增強(qiáng)型汽車導(dǎo)航GPS等應(yīng)用中，意法半導(dǎo)體的全新陀螺儀可測(cè)量快速角位移。

2008-09-12

LY530AL MEMS陀螺儀

中能打破多晶硅技術(shù)壟斷成中國硅料第一股

紐約證券交易所前不久突然發(fā)布了一則令全球光伏行業(yè)為之震動(dòng)的消息，總部位于香港的太陽能硅芯片供應(yīng)商協(xié)鑫硅業(yè)(GCL)已向美國證券交易委員會(huì)(SEC)遞交了IPO 申請(qǐng)，而這家公司的業(yè)務(wù)主體正是江蘇中能。

2008-09-11

多晶硅

Si500系列：芯科全硅振蕩器欲全面取代石英振蕩器

9月10日消息，高性能模擬與混合信號(hào)IC廠商Silicon Laboratories (芯科實(shí)驗(yàn)室有限公司, Nasdaq: SLAB)發(fā)表具有業(yè)界最高穩(wěn)定性的全CMOS振蕩器，以此進(jìn)入消費(fèi)性定時(shí)市場(chǎng)，新產(chǎn)品不僅交貨時(shí)間較短、成本較低、可靠度較高且性能更佳，成為一種取代石英振蕩器(XO)的理想方案。

2008-09-11

Si500 硅振蕩器

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