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北京東方中科：科技租賃幫助企業(yè)度過金融危機
金融危機的負面影響自今年年中以來正逐漸波及到中國各個實體行業(yè)，企業(yè)紛紛通過節(jié)約挖潛降低運營成本準備過冬。但危機也為另一類企業(yè)發(fā)展帶來機會，這類企業(yè)的服務(wù)是專門針對降低企業(yè)運營成本而設(shè)計。國內(nèi)領(lǐng)先的科技儀器設(shè)備租賃服務(wù)提供商北京東方中科集成科技有限公司儀器租賃事業(yè)部總經(jīng)理裘黎劍...
2008-12-08
科技儀器設(shè)備 租賃 生產(chǎn)設(shè)備 金融危機
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我國OLED產(chǎn)業(yè)發(fā)展必須向核心技術(shù)領(lǐng)域滲透
被寄予厚望的OLED這一新型顯示技術(shù)，盡管仍然落后日韓，但中國與他們的差距相對較小，可以說OLED是中國平板顯示產(chǎn)業(yè)的希望。筆者認為，發(fā)展我國OLED產(chǎn)業(yè)必須向核心技術(shù)領(lǐng)域滲透，特別是在大尺寸OLED技術(shù)上取得突破。在國家產(chǎn)業(yè)政策的指導(dǎo)下，應(yīng)走研究機構(gòu)、高校、企業(yè)聯(lián)合發(fā)展的道路。
2008-12-08
LCD 液晶 PDP 等離子 OLED
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三星副總裁HS Kim：OLED幾年內(nèi)不能取代LCD
正當許多廠商認為OLED將會成為未來電視的發(fā)展趨勢而爭相投入OLED技術(shù)研發(fā)時，三星則仍致力于現(xiàn)有技術(shù)的研發(fā)。三星平板發(fā)展事業(yè)部副總裁HS Kim近日在一次參訪中稱，盡管三星目前仍是OLED顯示技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者之一，公司并不急于推出相關(guān)產(chǎn)品，直至OLED電視的價格可以被控制在消費者的接受范圍內(nèi)。
2008-12-08
OLED LCD 等離子 液晶電視
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電子元件：人民幣貶值有利于元器件行業(yè)
2008年11月10日，中國人民銀行行長周小川稱，不排除會通過人民幣貶值措施來扶持國內(nèi)出口業(yè)的可能。至2008年12月3日，人民幣匯率已經(jīng)連續(xù)第4個交易日走低，人民幣兌美元已經(jīng)連續(xù)兩天"跌停"，中間價再跌22個基點，走出4連陰的走勢，創(chuàng)出人民幣匯改以來的新紀錄。
2008-12-08
電子元器件 人民幣貶值
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EKX系列：Vishay最新高性能鋁電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新系列徑向鋁電容器--- EKX系列器件，這些器件可實現(xiàn) +105°C 的高溫運行，且具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。
2008-12-08
EKX系列 鋁電容器
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康佳布局LED產(chǎn)業(yè)鏈 背光源生產(chǎn)線明年1月奠基
據(jù)報道，康佳大舉進軍LED產(chǎn)業(yè)，其LED背光源生產(chǎn)線計劃于2009年1月中旬，在昆山舉行奠基儀式，大陸LED產(chǎn)業(yè)每年以30%以上的速度發(fā)展，康佳計劃在未來3~5年內(nèi)建設(shè)完整的LED產(chǎn)業(yè)鏈，估計年產(chǎn)值將突破人民幣百億元。
2008-12-05
LED 背光源 平面顯示器
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三星SDI將在移動娛樂市場推出5英寸以上的有機EL面板
據(jù)日經(jīng)BP社報道，日前在東京都內(nèi)舉行的“第三屆TSR研討會”上，韓國三星SDI移動顯示器營銷部（Mobile Display Marketing Team）副總裁Woo Jong Lee發(fā)表主題演講，展望了面向移動設(shè)備的有源矩陣型有機EL面板的前景。
2008-12-05
有機EL面板 有源矩陣柔 性顯示器 觸摸屏
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比亞迪電子與大股東轉(zhuǎn)讓資產(chǎn)
比亞迪電子宣布向大股東比亞迪集團收購主要用于生產(chǎn)手機金屬部件的設(shè)備，總代價9,286.3萬元人民幣，另外，公司將向比亞迪集團出售供生產(chǎn)耳機及切割液晶顯示屏保護膜的設(shè)備，總代價4,291.4萬元人民幣。
2008-12-05
手機金屬部件 液晶顯示屏保護膜 鋰電池 柔性印制電路板
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Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET
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