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如何在設(shè)計中輕松搭載GaN器件？答案內(nèi)詳~~
如今，圍繞第三代半導體的研發(fā)和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認為是突破傳統(tǒng)硅（Si）器件性能天花板的必由之路。
2024-10-27
GaN器件
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羅德與施瓦茨中標中國移動RedCap以及Cat1bis一致性測試系統(tǒng)項目
對于物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品而言，Cat1bis（單天線Cat1）以其極端簡化的特性定義面向廣大低復雜度以及時延不敏感的應用。而RedCap對標準5G技術(shù)進行一定程度的裁剪從而面向較低復雜度和功耗要求的中高端物聯(lián)網(wǎng)應用。
2024-10-27
羅德與施瓦茨 中標 中國移動 標準 5G 測試系統(tǒng)
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【“源”察秋毫系列】柔性可穿戴電子設(shè)備材料的導電測試
柔性可穿戴電子設(shè)備主要由柔性壓阻傳感器材料、柔性傳感器框架、電極連接、信號采集和處理電路組成。 其中最重要的部分就是對柔性壓阻傳感器材料的測試，對于用于制造壓阻式傳感器的材料 , 需要全面評估其電學、機械、動態(tài)響應和環(huán)境穩(wěn)定性等多方面性能指標 , 以確保材料能夠滿足實際應用的需求。
2024-10-27
泰克科技 柔性 可穿戴 電子設(shè)備 導電測試
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電源中的分壓器
在電源設(shè)計中，可以手動設(shè)置所需的輸出電壓。大多數(shù)集成電源電路以及開關(guān)和線性穩(wěn)壓器 IC 都是通過分壓器來實現(xiàn)這一點的。兩個電阻值的比率必須合適才能設(shè)置所需的輸出電壓。圖 1 顯示了一個分壓器。
2024-10-27
電源 分壓器
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了解交流電壓的產(chǎn)生
交流電 (AC) 不斷反轉(zhuǎn)方向，交替流向一個方向，然后流向另一個方向。交流電壓也可以類似地描述。通常，交流電壓和電流是正弦曲線，峰值、平均值和有效值之間存在確定的關(guān)系。
2024-10-26
交流電壓
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克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應用
隨著行業(yè)不斷探索解決方案，寬禁帶（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），被視為解決之道。禁帶寬度描述了價帶頂部和導帶底部之間的能量差。硅的禁帶寬度相對較窄，為1.1電子伏特（eV），而SiC和GaN的禁帶寬度分別為3.3eV和3.4eV。
2024-10-26
碳化硅 電力電子應用
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實現(xiàn)不間斷能源的智能備用電池第五部分：輔助電源系統(tǒng)
對于采用先進開放計算項目(OCP)開放機架第3版(ORV3)架構(gòu)的數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡(luò)、服務器和存儲設(shè)備，電源單元(PSU)和BBU是支持它們正常運行的命脈。中央電源轉(zhuǎn)換器負責輸送所需的大部分電能。輔助電源組件則扮演著幕后的無名英雄，為了維護包括PSU和BBU在內(nèi)的整個電源供應生態(tài)系統(tǒng)的整體穩(wěn)健性、可靠性和...
2024-10-26
智能備用電池 輔助電源系統(tǒng)
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單結(jié)晶體管符號和結(jié)構(gòu)
請注意，單結(jié)晶體管的符號看起來與結(jié)型場效應晶體管或 JFET 的符號非常相似，只是它有一個代表發(fā)射極 ( E ) 輸入的彎曲箭頭。雖然 JFET 和 UJT 的歐姆通道相似，但其工作方式卻截然不同，不應混淆。
2024-10-24
單結(jié)晶體管
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【“源”察秋毫系列】 Keithley在碳納米管森林涂層纖維復合材料的應用
碳納米管森林由許多垂直生長的碳納米管組成，看起來像一個“森林”，因此得名。每個碳納米管（CNT）是由單層或多層石墨烯片卷曲形成的圓筒結(jié)構(gòu)，其直徑在納米級別，長度可以達到數(shù)微米甚至數(shù)毫米。碳納米管森林中的這些納米管密集排列，垂直生長于基底上。
2024-10-23
Keithley 納米 涂層 纖維 復合材料 納米管
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