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通信廣電

如何解決高頻信號(hào)傳輸領(lǐng)域存在的阻抗失配現(xiàn)象

在高頻領(lǐng)域，信號(hào)或電磁波必須沿著具有均勻特征阻抗的傳輸路徑傳播。一旦阻抗失配或不連續(xù)現(xiàn)象，一部分信號(hào)被反射回發(fā)送端，剩余部分電磁波將繼續(xù)被傳輸?shù)浇邮斩恕?/p>

2021-08-24

高頻信號(hào)傳輸阻抗失配

微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對(duì)器件性能的影響：對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對(duì)于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。

2021-08-23

負(fù)載效應(yīng) DRAM

數(shù)字IC的高級(jí)封裝盤點(diǎn)與梳理

數(shù)字 IC 的封裝選項(xiàng)（以及相關(guān)的流行詞和首字母縮略詞）繼續(xù)成倍增加。微處理器、現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 和專用定制 IC (ASIC) 等高級(jí)數(shù)字 IC 以多種封裝形式提供。

2021-08-23

數(shù)字IC 高級(jí)封裝

英特爾面向 CPU、GPU 和 IPU發(fā)布了重大技術(shù)架構(gòu)的改變和創(chuàng)新

在 2021 年英特爾架構(gòu)日上，英特爾公司高級(jí)副總裁兼加速計(jì)算系統(tǒng)和圖形事業(yè)部總經(jīng)理 Raja Koduri 攜手多位英特爾架構(gòu)師，全面介紹了兩種全新 x86 內(nèi)核架構(gòu)的詳情；英特爾首個(gè)性能混合架構(gòu)，代號(hào)“Alder Lake”，以及智能的英特爾? 硬件線程調(diào)度器；專為數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的下一代英特爾? 至強(qiáng)? 可擴(kuò)展處理...

2021-08-22

英特爾 CPU GPU IPU

開關(guān)電源的LLC 拓?fù)?/span>

近來，LLC拓?fù)湟云涓咝?，高功率密度受到廣大電源設(shè)計(jì)工程師的青睞，但是這種軟開關(guān)拓?fù)鋵?duì)MOSFET的要求卻超過了以往任何一種硬開關(guān)拓?fù)?。特別是在電源啟機(jī)，動(dòng)態(tài)負(fù)載，過載，短路等情況下。CoolMOS 以其快恢復(fù)體二極管，低Qg 和Coss能夠完全滿足這些需求并大大提升電源系統(tǒng)的可靠性。

2021-08-22

開關(guān)電源 LLC 拓?fù)?/p>

如何理解FIT和MTBF

在我們的日常工作中，經(jīng)常會(huì)碰到器件失效或系統(tǒng)故障，這時(shí)為了清楚界定失效事件的嚴(yán)重性，就需要定量的來描述具體的失效率，這就需要用專業(yè)的術(shù)語來溝通，而有的工程師喜歡談FIT，有的工程師喜歡談MTBF，其實(shí)這兩個(gè)概念所描述的主體是不一樣的，因此有必要在此簡析一下。

2021-08-20

FIT MTBF