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工程師必知的振蕩器動(dòng)態(tài)相位噪聲優(yōu)化四重奏
在高速通信與精密控制系統(tǒng)中,由機(jī)械振動(dòng)引發(fā)的相位噪聲正成為關(guān)鍵性能瓶頸。當(dāng)石英晶體遭遇外力沖擊時(shí),其內(nèi)部壓電效應(yīng)產(chǎn)生的寄生電壓會(huì)直接劣化時(shí)鐘信號(hào)——實(shí)驗(yàn)表明,1g加速度可使典型AT切割振蕩器相位噪聲惡化20dBc/Hz(數(shù)據(jù)來(lái)源:IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control Vol.68)。本...
2025-06-03
抗振 時(shí)鐘信號(hào) 振蕩器 相位噪聲
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科技照亮銀發(fā)生活 創(chuàng)新編織幸福晚年
在老齡化浪潮日益洶涌的今天,如何為銀發(fā)一族構(gòu)筑一個(gè)安心、愜意、便利的居住天地,已成為全社會(huì)共同矚目的課題。富德生命人壽,以“美好生活”居家養(yǎng)老服務(wù)為突破口,憑借產(chǎn)品的科技賦能與創(chuàng)新驅(qū)動(dòng),為老年人的世界添上了溫暖的色彩。
2025-06-03
科技賦能
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意法半導(dǎo)體攜邊緣人工緣智能方案重磅登陸新加坡半導(dǎo)體展會(huì)
全球半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)于2025年5月20日至22日亮相東南亞國(guó)際半導(dǎo)體展會(huì)(展位號(hào)L1901),圍繞“邊緣人工智能與自動(dòng)化解決方案”主題,向業(yè)界展示其針對(duì)智能工業(yè)、智慧城市等場(chǎng)景的技術(shù)創(chuàng)新。作為服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè),ST此次參展凸顯其對(duì)東南亞市...
2025-05-30
意法半導(dǎo)體攜邊緣人工緣智能方案重磅登陸新加坡半導(dǎo)體展會(huì)
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振蕩電路不起振怎么辦?專(zhuān)家教你步步排查
振蕩電路作為電子系統(tǒng)的“心跳發(fā)生器”,其停振將直接導(dǎo)致MCU死機(jī)、通信中斷等致命故障。2024年某車(chē)企因32.768kHz時(shí)鐘停振引發(fā)批量車(chē)機(jī)黑屏,單案損失超200萬(wàn)美元。本文將系統(tǒng)解析石英晶體/LC/RC振蕩器的12類(lèi)不起振根源,結(jié)合Keysight示波器實(shí)測(cè)數(shù)據(jù),為硬件工程師提供可落地的故障排查指南。
2025-05-30
振蕩電路 不起振
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介質(zhì)電容選型全攻略:從原理到原廠成本深度解析
介質(zhì)電容作為電子系統(tǒng)的“能量調(diào)節(jié)器”,通過(guò)電介質(zhì)極化實(shí)現(xiàn)電荷存儲(chǔ)與釋放,其性能直接決定電路效率與可靠性。2024年清華大學(xué)突破性高熵設(shè)計(jì)將MLCC能量密度推至20.8J/cm3,西安交大更實(shí)現(xiàn)400℃高溫穩(wěn)定工作。本文將解析介質(zhì)電容技術(shù)演進(jìn)、選型策略及全球產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局,為高可靠系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供關(guān)鍵參考。
2025-05-30
介質(zhì)電容
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秒發(fā)3.5萬(wàn)現(xiàn)貨!貿(mào)澤和Molex強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手:18萬(wàn)種連接方案
貿(mào)澤電子作為Molex全球授權(quán)代理商,獨(dú)家供應(yīng)超18萬(wàn)種連接器解決方案,其中35,000庫(kù)存產(chǎn)品支持即日發(fā)貨。覆蓋通信、數(shù)據(jù)中心、交通、醫(yī)療和工業(yè)設(shè)備等高需求領(lǐng)域,為工程師提供從設(shè)計(jì)選型到量產(chǎn)交付的一站式連接器資源庫(kù)。
2025-05-29
貿(mào)澤 Molex 連接 通信 數(shù)據(jù)中心 交通 醫(yī)療 工業(yè)
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意法半導(dǎo)體拓展新加坡“廠內(nèi)實(shí)驗(yàn)室” 深化壓電MEMS技術(shù)合作
全球半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體(ST)宣布擴(kuò)大新加坡"廠內(nèi)實(shí)驗(yàn)室"(Lab-in-Fab)項(xiàng)目,聯(lián)合科技研究局微電子研究所 (A*STAR IME)、愛(ài)發(fā)科(ULVAC)、新加坡科技研究局材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 及新加坡國(guó)立大學(xué)(NUS),共同推進(jìn)壓電MEMS技術(shù)開(kāi)發(fā)。
2025-05-29
意法半導(dǎo)體 Lab-in-Fab 壓電MEMS技術(shù)
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電解電容技術(shù)全景解析:從核心原理到國(guó)產(chǎn)替代戰(zhàn)略
電解電容作為電子系統(tǒng)的“能量水庫(kù)”,在電源管理、信號(hào)耦合和濾波電路中扮演著不可替代的角色。其獨(dú)特的高容量體積比和電壓適應(yīng)性使其成為工業(yè)設(shè)備、新能源系統(tǒng)和消費(fèi)電子的核心元件。隨著固態(tài)化、高頻化技術(shù)突破,電解電容正突破壽命與頻率限制,而中美科技競(jìng)爭(zhēng)加速了國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。本文將深入解析...
2025-05-29
電解電容
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CMOS有源晶振電壓特性與精準(zhǔn)測(cè)量指南
CMOS有源晶振的供電電壓(Vcc)直接決定其輸出電壓特性。這種“高壓平、低壓差”的設(shè)計(jì)確保了數(shù)字電路的噪聲容限。例如LVCMOS3V3標(biāo)準(zhǔn)要求Voh≥3.2V(3.3V供電時(shí)),以滿(mǎn)足下游芯片的高電平識(shí)別閾值(≥2.0V)。供電電壓的兼容性是選型核心——如YXC YSO110TR系列支持1.8~3.3V寬壓輸入,適配低功耗IoT設(shè)備...
2025-05-29
CMOS有源晶振 電壓特性 精準(zhǔn)測(cè)量
- 避開(kāi)繁瑣!運(yùn)放差分電容測(cè)量簡(jiǎn)化指南
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