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保護器件過電應力失效機理和失效現(xiàn)象淺析
半導體元器件在整機應用端的失效主要為各種過應力導致的失效，器件的過應力主要包括工作環(huán)境的緩變或者突變引起的過應力，當半導體元器件的工作環(huán)境發(fā)生變化并產生超出器件最大可承受的應力時，元器件發(fā)生失效。應力的種類繁多，如表1，其中過電應力導致的失效相對其它應力更為常見。
2021-11-16
保護器件 過電應力失效
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基于模型的GAN PA設計基礎知識：GAN晶體管S參數(shù)、線性穩(wěn)定性分析與電阻穩(wěn)定性
在簡單的線性射頻/微波放大器設計中，一般利用s參數(shù)匹配使增益和增益平坦度最大。同樣也會利用這些 S 參數(shù)數(shù)據(jù)來開發(fā)匹配網(wǎng)絡，以解決放大器穩(wěn)定性問題。本文討論在設計氮化鎵 (GaN) 功率放大器 (PA) 過程中，使用模型模擬基本的 S 參數(shù)和穩(wěn)定性分析的重要性。文中介紹使用模型和電阻穩(wěn)定性技術來幫...
2021-11-16
GAN晶體管 S參數(shù) 電阻穩(wěn)定性
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分析無芯變壓器柵極驅動器
功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設計中起著決定性的作用。為了滿足這些應用的特定要求并縮短上市時間，ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器，以實現(xiàn)穩(wěn)健的隔離，這對SiC技術尤其有用。碳化硅已被引入工業(yè)和汽車市場的廣泛應用中，包括太陽能逆變器，所有類型的高壓電源和汽車車載電池充電器。
2021-11-15
無芯變壓器 柵極驅動器
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適用于工業(yè)應用的 NAND 閃存
如今，在 NAND 閃存行業(yè)中，隨處可見存儲密度又達到新高的各種新聞。閃存早已實現(xiàn)了 100 層以上的技術，并且在短期內似乎并沒有遇到瓶頸的跡象。
2021-11-15
工業(yè)應用 NAND 閃存
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運算放大器輸出電壓反向問題：正確選型，輕松化解！
當運算放大器的其中一個內部級不再具有足夠的偏置電壓并因此關閉時，通常會出現(xiàn)這種情況。這將導致輸出電壓擺幅到相反的供電軌上，直至輸入返回到共模范圍，如下所示（在電壓跟隨器中）。請注意，輸入仍可位于電源電壓軌中，但只能高于或低于某個指定共模限值。
2021-11-12
運算放大器 電壓反向
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在選擇SoC和專用音頻DSP時，這些問題你應該考慮到！
低延時、實時聲學處理是許多嵌入式處理應用的關鍵因素，其中包括語音預處理、語音識別和主動降噪(ANC)。隨著這些應用領域對實時性能的要求穩(wěn)步提高，開發(fā)人員需要以戰(zhàn)略思維來妥善應對這些要求。
2021-11-12
SoC 專用音頻DSP
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如何最大限度減小電源設計中輸出電容的數(shù)量和尺寸？
電源輸出電容一般是100 nF至100 μF的陶瓷電容，它們耗費資金，占用空間，而且，在遇到交付瓶頸的時候還會難以獲得。所以，如何最大限度減小輸出電容的數(shù)量和尺寸，這個問題反復被提及。
2021-11-12
電源設計 輸出電容
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二極管串聯(lián)不均壓因素分析
二極管串聯(lián)不均壓主要原因來自自身和外部兩類。自身原因主要由加工工藝造成的，外因主要是由外部電路造成的。同一批次生產出來二極管的伏安特性不一致，造成二極管的靜態(tài)不均壓；反向恢復時間及開通狀態(tài)的不一致造成二極管的動態(tài)不均壓目。外部電路設計會造成雜散電感和電容，在高壓高頻環(huán)境中會造...
2021-11-11
二極管 串聯(lián)
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可視化的片上網(wǎng)絡（NoC）性能分析
Achronix 最新基于臺積電（TSMC）的7nm FinFET工藝的Speedster7t FPGA器件包含了革命性的新型二維片上網(wǎng)絡（2D NoC）。2D NoC如同在FPGA可編程邏輯結構上運行的高速公路網(wǎng)絡一樣，為FPGA外部高速接口和內部可編程邏輯的數(shù)據(jù)傳輸提供了超高帶寬。
2021-11-11
片上網(wǎng)絡 NoC
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