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通信廣電

高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用

在現(xiàn)今電力電子領(lǐng)域，高壓（HV）分立功率半導(dǎo)體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。這些產(chǎn)品具有較低的損耗、更好的雪崩特性，以及高可靠性。本文重點(diǎn)介紹Littelfuse提供的≥2 kVHV分立硅MOSFET器件。

2023-07-08

高壓分立功率半導(dǎo) 分立Si MOSFET 電力電子領(lǐng)域

PCB傳統(tǒng)四層堆疊的缺點(diǎn)

如果層間電容不夠大，電場將分布在電路板相對較大的區(qū)域上，從而層間阻抗減小，返回電流可以流回頂層。在這種情況下，該信號(hào)產(chǎn)生的場可能會(huì)干擾附近改變層的信號(hào)的場。這根本不是我們所希望的。不幸的是，在 0.062 英寸的 4 層板上，各層之間的距離較遠(yuǎn)（至少 0.020 英寸，如圖 1 和圖 2 所示），并...

2023-07-07

PCB 四層堆疊

補(bǔ)償 EMI 濾波器 X 電容對有源 PFC 功率因數(shù)的影響

現(xiàn)代開關(guān)模式電源使用 X 電容器和 Y 電容器與電感器的組合來過濾共模和差模 EMI。濾波器元件位于任何有源（或無源）功率因數(shù)校正 (PFC) 電路的前面（圖 1），因此 EMI 濾波器的電抗對功率因數(shù) (PF) 造成的任何失真都會(huì)改變甚至完美的功率因數(shù)校正 (PFC) 電路。修正了電壓-電流關(guān)系。

2023-07-06

EMI 濾波器 X 電容 PFC 功率

利用MAXQ3210進(jìn)行環(huán)境監(jiān)視

在MAXQ系列以及其他嵌入式微控制器中，MAXQ3210獨(dú)具特色。它把基于EEPROM的代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、壓電喇叭驅(qū)動(dòng)器、9V穩(wěn)壓器集成在低引腳數(shù)封裝內(nèi)。高性能的16位RISC核使其運(yùn)行速度快，并且省電。由于是基于MAXQ10核， MAXQ3210不同于其他的MAXQ微控制器，它采用的是8位累加器，而不是16位累加器。MAXQ...

2023-07-06

MAXQ3210 環(huán)境監(jiān)視

PCB 布局來減少二次諧波失真

值得一提的是，實(shí)際上，變壓器輸出不是理想的差分信號(hào)——兩個(gè)輸出之間可能存在相位和/或幅度不平衡。這些不平衡會(huì)增加二次諧波失真?？梢钥闯?，二次諧波幅度受相位不平衡的影響比幅度不平衡的影響更嚴(yán)重。

2023-07-06

PCB 諧波失真

了解壓電傳感器：壓電效應(yīng)

壓電加速度計(jì)的個(gè)關(guān)鍵方面是壓電效應(yīng)。一般來說，壓電材料在受到機(jī)械應(yīng)力時(shí)可以產(chǎn)生電力。相反，對壓電材料施加電場可以使其變形并產(chǎn)生小的機(jī)械力。盡管大多數(shù)電子工程師都熟悉壓電效應(yīng)，但有時(shí)并沒有完全理解這種有趣現(xiàn)象的細(xì)節(jié)。

2023-07-06

壓電傳感器壓電效應(yīng)

DC/DC開關(guān)電源電感下方到底是否鋪銅？

電感有交變電流，電感底部鋪銅會(huì)在地平面上產(chǎn)生渦流，渦流效應(yīng)會(huì)影響功率電感的電感量，渦流也會(huì)增加系統(tǒng)的損耗，同時(shí)交變電流產(chǎn)生的噪聲會(huì)增加地平面的噪聲，會(huì)影響其他信號(hào)的穩(wěn)定性。

2023-07-04

DC/DC開關(guān)電源電感鋪銅

耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品

功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零時(shí)，功率MOSFET需要作為?！伴_”開關(guān)運(yùn)行。在VGS=0V時(shí)作為常 "開 "開關(guān)的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。

2023-07-04

功率MOSFET 浪涌保護(hù) 高壓保護(hù)