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使用SiC MOSFET和Si IGBT柵極驅(qū)動(dòng)優(yōu)化電源系統(tǒng)
在電動(dòng)汽車 (EV) 和光伏 (PV) 系統(tǒng)等綠色能源應(yīng)用所需的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和交流 (AC) 逆變器中，碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是關(guān)鍵元件。但是如要獲得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的柵極在導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)需要精確的驅(qū)動(dòng)電壓（具體取決于所使用的器件）。
2023-08-03
SiC MOSFET Si IGBT 柵極驅(qū)動(dòng) 電源系統(tǒng)
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AFE8092幀同步特性簡(jiǎn)析
TI Transceiver芯片是高集成度，高性能的射頻收發(fā)器芯片。產(chǎn)品族內(nèi)產(chǎn)品架構(gòu)種類豐富。在產(chǎn)品架構(gòu)方面，包括了以AFE77xx系列為代表的零中頻架構(gòu)收發(fā)信機(jī)，以AFE80xx, AFE79xx，AFE76xx系列為代表的射頻直采架構(gòu)收發(fā)信機(jī)。在產(chǎn)品通道數(shù)方面，支持最低2T2R1F，4T4R2F到8T8R2F的通道數(shù)。同時(shí)，也支持大...
2023-08-03
AFE8092 射頻收發(fā)器
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一文解讀GNSS信號(hào)對(duì)網(wǎng)絡(luò)中授時(shí)應(yīng)用的益處
無(wú)論身在何處，我們對(duì)于無(wú)時(shí)無(wú)刻地觀看視頻內(nèi)容已經(jīng)習(xí)以為常。但對(duì)負(fù)責(zé)、構(gòu)建和維護(hù)底層網(wǎng)絡(luò)的幕后工作者而言，事情并沒有那么簡(jiǎn)單，消費(fèi)者日益提升的期望給他們帶來(lái)了重重難題。
2023-08-02
GNSS信號(hào) L1頻段GNSS
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數(shù)字控制器補(bǔ)償模擬控制器
用于電源控制的新興數(shù)字 IC 缺乏模擬 IC 中常見的基本功能，例如內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)和電流限制。數(shù)字電源控制器通常僅具有 PWM（脈寬調(diào)制）邏輯輸出，并且分立柵極驅(qū)動(dòng)器很少包含電流限制。此外，大多數(shù)受保護(hù)的 FET 僅在低頻、低側(cè)應(yīng)用中工作。
2023-08-02
數(shù)字控制器 模擬控制器
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無(wú)需更換/拆除設(shè)備，這個(gè)直接將智能帶入邊緣的技術(shù)是？
IO-Link是一種標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)(IEC 61131-9)，獨(dú)立于現(xiàn)場(chǎng)總線、開放式的點(diǎn)到點(diǎn)的通信，是適用于工業(yè)控制中最底層的設(shè)備（如簡(jiǎn)單的傳感器/執(zhí)行器）的工業(yè)通訊接口，使得設(shè)備可以集成到幾乎任何現(xiàn)場(chǎng)總線或者是自動(dòng)化系統(tǒng)中。
2023-08-02
智能邊緣計(jì)算 IO-Link
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使用音頻增強(qiáng)型 DMA 加速?gòu)?fù)雜的音頻 DSP 算法
音頻工程師面臨的挑戰(zhàn)是設(shè)計(jì)設(shè)備，提供更好的音頻保真度，支持更多音頻通道，處理更高的采樣率和位深度，同時(shí)保持緊張的實(shí)時(shí)處理預(yù)算。
2023-07-31
音頻 DMA 加速 音頻 DSP 算法
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利用智能交流控制設(shè)計(jì)方法實(shí)現(xiàn)更好的家電安全
從機(jī)電到數(shù)字控制的轉(zhuǎn)變首先是通過(guò)現(xiàn)成的電子設(shè)備完成的——系統(tǒng)架構(gòu)是圍繞 MCU、分立晶體管和高壓雙向可控硅構(gòu)建的。
2023-07-31
智能交流 控制設(shè)計(jì)
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使用模糊邏輯設(shè)計(jì)基于 DSP 的電機(jī)控制
變速驅(qū)動(dòng)（VSD）電機(jī)為大幅降低能源消耗和對(duì)外國(guó)燃料的依賴帶來(lái)了希望。一種方法是使用數(shù)字信號(hào)處理器 (DSP) 為無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)等電機(jī)創(chuàng)建新一代基于 VSD 的控制器。
2023-07-31
模糊邏輯設(shè)計(jì) DSP 電機(jī)控制
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兩個(gè)開關(guān)正激變換器
該拓?fù)溆奢斎腚娙萜?CIN、兩個(gè) MOSFET 開關(guān) Q1 和 Q1、電源變壓器 T1、兩個(gè)鉗位二極管 D3 和 D4、兩個(gè)整流二極管 D1 和 D2 以及由 LO 和 Co 組成的輸出濾波器組成。
2023-07-31
開關(guān)正激變換器
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