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MAX4983E/MAX4984E：Maxim高速USB DPDT開(kāi)關(guān)
Maxim推出雙刀雙擲(DPDT)模擬開(kāi)關(guān)MAX4983E/MAX4984E，可切換多路480Mbps高速USB (USB 2.0)信號(hào)。器件具有極低的導(dǎo)通電阻(典型值為5Ω)和較高的帶寬(950MHz)，允許采用單個(gè)連接器實(shí)現(xiàn)高性能的切換。
2008-05-15
MAX4983E MAX4984E 高速USB (USB 2.0) DPDT開(kāi)關(guān)
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SMM4F：意法半導(dǎo)體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導(dǎo)體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管，新系列產(chǎn)品在三個(gè)主要方面提高性能：在小空間內(nèi)提供先進(jìn)的保護(hù)功能、降低泄漏電流實(shí)現(xiàn)低損耗、結(jié)溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費(fèi)電子
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SMM4F：意法半導(dǎo)體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導(dǎo)體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管，新系列產(chǎn)品在三個(gè)主要方面提高性能：在小空間內(nèi)提供先進(jìn)的保護(hù)功能、降低泄漏電流實(shí)現(xiàn)低損耗、結(jié)溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費(fèi)電子
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SMM4F：意法半導(dǎo)體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導(dǎo)體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管，新系列產(chǎn)品在三個(gè)主要方面提高性能：在小空間內(nèi)提供先進(jìn)的保護(hù)功能、降低泄漏電流實(shí)現(xiàn)低損耗、結(jié)溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費(fèi)電子
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SMM4F：意法半導(dǎo)體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導(dǎo)體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管，新系列產(chǎn)品在三個(gè)主要方面提高性能：在小空間內(nèi)提供先進(jìn)的保護(hù)功能、降低泄漏電流實(shí)現(xiàn)低損耗、結(jié)溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費(fèi)電子
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TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF條件下），而采用0603封裝的具有業(yè)內(nèi)最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
TR8 MicroTan鉭芯片電容
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TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF條件下），而采用0603封裝的具有業(yè)內(nèi)最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
TR8 MicroTan鉭芯片電容
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STGxL6NC60D：意法半導(dǎo)體新款I(lǐng)GBT系列
意法半導(dǎo)體推出一系列新的IGBT，新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計(jì)工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過(guò)20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi)，應(yīng)用的整體功率可望提高到一個(gè)新的水平，遠(yuǎn)勝標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開(kāi)關(guān)電源
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STGxL6NC60D：意法半導(dǎo)體新款I(lǐng)GBT系列
意法半導(dǎo)體推出一系列新的IGBT，新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計(jì)工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過(guò)20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi)，應(yīng)用的整體功率可望提高到一個(gè)新的水平，遠(yuǎn)勝標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開(kāi)關(guān)電源
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