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康佳布局LED產(chǎn)業(yè)鏈 背光源生產(chǎn)線明年1月奠基
據(jù)報(bào)道，康佳大舉進(jìn)軍LED產(chǎn)業(yè)，其LED背光源生產(chǎn)線計(jì)劃于2009年1月中旬，在昆山舉行奠基儀式，大陸LED產(chǎn)業(yè)每年以30%以上的速度發(fā)展，康佳計(jì)劃在未來3~5年內(nèi)建設(shè)完整的LED產(chǎn)業(yè)鏈，估計(jì)年產(chǎn)值將突破人民幣百億元。
2008-12-05
LED 背光源 平面顯示器
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康佳布局LED產(chǎn)業(yè)鏈 背光源生產(chǎn)線明年1月奠基
據(jù)報(bào)道，康佳大舉進(jìn)軍LED產(chǎn)業(yè)，其LED背光源生產(chǎn)線計(jì)劃于2009年1月中旬，在昆山舉行奠基儀式，大陸LED產(chǎn)業(yè)每年以30%以上的速度發(fā)展，康佳計(jì)劃在未來3~5年內(nèi)建設(shè)完整的LED產(chǎn)業(yè)鏈，估計(jì)年產(chǎn)值將突破人民幣百億元。
2008-12-05
LED 背光源 平面顯示器
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三星SDI將在移動(dòng)娛樂市場(chǎng)推出5英寸以上的有機(jī)EL面板
據(jù)日經(jīng)BP社報(bào)道，日前在東京都內(nèi)舉行的“第三屆TSR研討會(huì)”上，韓國三星SDI移動(dòng)顯示器營銷部（Mobile Display Marketing Team）副總裁Woo Jong Lee發(fā)表主題演講，展望了面向移動(dòng)設(shè)備的有源矩陣型有機(jī)EL面板的前景。
2008-12-05
有機(jī)EL面板 有源矩陣柔 性顯示器 觸摸屏
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三星SDI將在移動(dòng)娛樂市場(chǎng)推出5英寸以上的有機(jī)EL面板
據(jù)日經(jīng)BP社報(bào)道，日前在東京都內(nèi)舉行的“第三屆TSR研討會(huì)”上，韓國三星SDI移動(dòng)顯示器營銷部（Mobile Display Marketing Team）副總裁Woo Jong Lee發(fā)表主題演講，展望了面向移動(dòng)設(shè)備的有源矩陣型有機(jī)EL面板的前景。
2008-12-05
有機(jī)EL面板 有源矩陣柔 性顯示器 觸摸屏
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三星SDI將在移動(dòng)娛樂市場(chǎng)推出5英寸以上的有機(jī)EL面板
據(jù)日經(jīng)BP社報(bào)道，日前在東京都內(nèi)舉行的“第三屆TSR研討會(huì)”上，韓國三星SDI移動(dòng)顯示器營銷部（Mobile Display Marketing Team）副總裁Woo Jong Lee發(fā)表主題演講，展望了面向移動(dòng)設(shè)備的有源矩陣型有機(jī)EL面板的前景。
2008-12-05
有機(jī)EL面板 有源矩陣柔 性顯示器 觸摸屏
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比亞迪電子與大股東轉(zhuǎn)讓資產(chǎn)
比亞迪電子宣布向大股東比亞迪集團(tuán)收購主要用于生產(chǎn)手機(jī)金屬部件的設(shè)備，總代價(jià)9,286.3萬元人民幣，另外，公司將向比亞迪集團(tuán)出售供生產(chǎn)耳機(jī)及切割液晶顯示屏保護(hù)膜的設(shè)備，總代價(jià)4,291.4萬元人民幣。
2008-12-05
手機(jī)金屬部件 液晶顯示屏保護(hù)膜 鋰電池 柔性印制電路板
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比亞迪電子與大股東轉(zhuǎn)讓資產(chǎn)
比亞迪電子宣布向大股東比亞迪集團(tuán)收購主要用于生產(chǎn)手機(jī)金屬部件的設(shè)備，總代價(jià)9,286.3萬元人民幣，另外，公司將向比亞迪集團(tuán)出售供生產(chǎn)耳機(jī)及切割液晶顯示屏保護(hù)膜的設(shè)備，總代價(jià)4,291.4萬元人民幣。
2008-12-05
手機(jī)金屬部件 液晶顯示屏保護(hù)膜 鋰電池 柔性印制電路板
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比亞迪電子與大股東轉(zhuǎn)讓資產(chǎn)
比亞迪電子宣布向大股東比亞迪集團(tuán)收購主要用于生產(chǎn)手機(jī)金屬部件的設(shè)備，總代價(jià)9,286.3萬元人民幣，另外，公司將向比亞迪集團(tuán)出售供生產(chǎn)耳機(jī)及切割液晶顯示屏保護(hù)膜的設(shè)備，總代價(jià)4,291.4萬元人民幣。
2008-12-05
手機(jī)金屬部件 液晶顯示屏保護(hù)膜 鋰電池 柔性印制電路板
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Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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